Учебник-5 (Условие второго домашнего задания (циклограммы))
Описание файла
Файл "Учебник-5" внутри архива находится в следующих папках: Условие второго домашнего задания (циклограммы), Учебник. PDF-файл из архива "Условие второго домашнего задания (циклограммы)", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
4.3. УСТАНОВКИ ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ПРИ ПОНИЖЕННОМ ДАВЛЕНИИ "а блица 4.! Значеяяя вараметра реактора Параметр установки для осаждення слоев атносеерносо давлевня яовнженного давления >до 200 До 50 нсло одновременно загружаеммх подложек 'азброс толгдиим слоев: по пластине, +% по партии пластин, +ассе ,корость осаждения, им 'мии 'всход газа носителя, мв ч 5...10 10...15 20...100 1,5...5 3...5 5...20 0,05 Понижение давления газовых смесей в реакторе осаждения слоев до 25...2650 Па (0,2...20 мм рт. ст.) дает ряд преимуществ по сравнению с реакторами атмосферного данлепвя.
Как следует из табл. 4.1, понижение давления позволяет существенно увеличить количество одновременно загружаемых подложек, повысить равномерность толщины наносимых слоев, резко уменьшить расход газа-носителя. В целом расходы на обработку одной подложки в реакторе пониженного давления в 5-10 раз меньше, чем при атмосферном давлении, причем различие усиливается при увеличении диаметра подложек.
Столь высокая эффективность реакторов пониженного давления объясняется тем, что в иих скорость мпссоперепоса (прокачки) газовых смесей значительно повышена посравпепиюсоскоростью реакции осаждения слоев. В результате обеднение смесей при прохождении вдоль реактора сказывается значительно меньше, чем прн атмосферном давлении, поскольку концентрация активных компонентов в газовой фазе остается практически постоянной по всей длине зоны реакции. Кроме того, при переходе от атмосферного давления к пониженному скорость диффузии исходных реаентов в зазор между пластинами возрастает примерно в !000 раз.
Универсальная установка для осаждения слоев при пониженном давлении, схсма которой показана на рис. 4.!1, изготовлена па базе одпотрубного агрегата термической обработки подложек : трехэопным резистивным нагревателем. Установка включает слетующие основные узлы: нагреватель, реактор, вакуумную и газо>ую системы, систему очистки выбросов. Газовая система установки содержит основные каналы для >абочих газов и вспомогательные для продувки инертными газами.
3 каждом газовом канале установлен запорный кран 9, регулятор гавления 8, измеритель расхода газов 7, натекатель 6, электромагмгтный клапан 5. Смеситель 4 предназначен для получения газо- .
