Учебник-22 (Условие второго домашнего задания (циклограммы))
Описание файла
Файл "Учебник-22" внутри архива находится в следующих папках: Условие второго домашнего задания (циклограммы), Учебник. PDF-файл из архива "Условие второго домашнего задания (циклограммы)", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
ботанная подложка с цомошью робота, приводимого в движение механизмом 14, переносится на поворотную планку 12 механизма съема 11 н затем в свободную ячейку соответствуюшей кассеты 8. В освободившийся модуль переносится новая подложка и процесс травления в данном модуле повторяется. На описанной установке можно добиться хорошей воспроизводимости результатов травления, Так, значение среднеквадратического отклонения ширины линий не превышает 0,05 мкм при обработке поли-и монокристаллическогокремния,510э, 5)зХь а также А) и Мо. При этом источник ВЧ-напряжения имеет мошность 720 Вт, частоту 13,56 МГц. Управление установкой автоматическое с помощью микропроцессоров.
5.3. УСТАНОВКИ ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ В производстне ИС вакуумным нанесением тонких пленок можно получать проводники и контактные площадки, тонкопленочные резисторы, конденсазоры, индуктивные элементы, диэлектрические покрытия и магнитные пленки, полупроводниковые структуры ИС. В качестве материалов пленки используются металлы, диэлектри' ки, полупроводнанковые н магнитные сплавы и соединения. Основными характеристикам~и тонких пленок является их ,'структура, размер зерна, чистота, адгезия к подложке, механичес:кие напряжения и т.
д., которые определяются параметрами техно'::логического процесса и оборудования для нанесения пленок. На ,качество тонких пленок влияют такис факторы, как качество мате'риала подложки и ее очистки, шероховатость и температура под';"ложки, чистота исходного материала, скорость осаждения, парци,:,'альное давление остаточных газов в рабочей камере, взаимное рас~~йоложение и относительное перемещение источника и приемной оверхности Процесс нанесения тонких пленок требует изолированного от атмосферы объема, в котором создается требуемое разрежение. а процесс нанесения пленок состоит из: образования атомарного и молекулярного потока вещества из источника испарения или спыления, переноса этого потока от источника до подложки, нденсации атомов или молекул на подложке и образования янки „, Основные требования к устаноикам вакуумного нанесения тон.
г х пленок (УВН) заключаются в обеспечении максимальной чис- ы пленки, ее адгезии к подложке, заданной структуры и раз- ра зерна, получении высокой равномерности толщины пленки, Ъспечении требуемой производительности обработки. Удовлетво'йие этих требований осуществляется путем выбора способа на:,ения пленки и типа вакуумной системы, выбора наиболее эф- Клнвпого источника испарения или распыления материала, спо- 'л, 93 .