Учебник-16 (Условие второго домашнего задания (циклограммы))

вольтный изолятор 17. Рабочий газ подается в источник ионов через натекатель 18, Повышение эффективности процесса ионнзацни обеспечивается электромагнитной катушкой 4. В рабочей камере 13 размещены поворотный столик 11 с обра, батываемой подложкой 10, термокатод-нейтрализатор 8. На флан- пах камеры установлены привод 14 вращения столика, механизм поворота заслонки 16 и смотровое окно 9. Нижний фланец пред:;: назначен для соединения рабочей камеры с вакуумной систе'-. мон 12.

Принцип работы установки заключается в следующем. Элек)''- троны, эмиттированные раскаленной вольфрамовой нитью ка года 1, ,--.; устремляютсн к аноду 3, но летят не прямолинеЙно, а по спираль- ~,ным траекториям под действием магнитного поля катушки 4. Стал)::киваясь с атомами рабочего газа. электроны ионизируют его, в З'результате чего образуется плазменное облако 19. С помощью з'электродов ионной оптики 5, 6 и 7 ионы аргона вытягиваются из я' плазмы, фокусируются в пучок !5 определенного сечения и усков~';ряются до энергии, достаточной для эффективного распыления маг4териалов на поверхности подложки.

Для управления началом и окончанием т)тавления служит за- ~~~":слопка с механизмом поворота 16. В случае распыления днэлск".,Ытрнческих материалов ионный пучок 15 нейтрализуется электро~э~: вами, испускаемыми термокатодом 8, и травление производится ь!'атомами аргона. Для изменения угла падения ионов или атомов ~~" аргона столик !1 имеет возможность поворота относительно на- )~:.правления луча 15. Равномерность травления обеспечивается вра- ~ 'шепнем столика с помощью электродвигателя 14 Высокая чистота процесса травления достигается тем, что в ~",.'Рабочей камере !3 можно поддерживать давление ниже 10-з Па. факто возможно благодаря тому, что между объемом источника ио1~аов 2, в ко ором для устойчивого горения газового разряда созда::~~ется и поддерживается давление примерно 10-' Па, и объемом луабочей камеры 13 обеспечивается перепад давлений за счет ::.~Вязкой проводимости ионной оптики или наличия специальной :.-:диафрагмы. Существенно повысить производительность процесса ионного з!)травления микроструктур ИС позволяет групповая обработка под,"4ажек большого диаметра.

На рис. 5.10 представлена схема устаЪ~овкн плазмохимического травления микроструктур, реализуюьцая ~~~еетод групповой обработки. В основу работы установки положен '%; особ возбуждения молекул реакционной смеси газов энергией ', Ч плазменного разряда и взаимодействия их с поверхностью об;;вбатываемых подложек. Подложки 6 (рис. 5.10,а) диаметром 75, 100 или 150 мм за' ужаются в рабочую камеру 1 с помощью пневмозахвата 7 манифлятора устройства загрузки. Откачка рабочего объема до дав"~фипя 9 !О-' Па осуществляется вакуумным агрегатом, состоящим 87 .