Диссертация (1143771), страница 21
Текст из файла (страница 21)
Deep structures wet etched into lithium niobate using a physical mask / A.B.Randles, B.J. Pokines, et al. // International Journal of Computational Engineering Science. –2003. – V. 04. – № 03. – P. 497-500.Guangyuan, S. Novel optical waveguides: from dielectric to plasmonic: Doctor of philosophythesis / Si Guangyuan.– National University of Singapore, 2011. – 87 pp.Гуляев, В.В. Исследование кинетики и механизмов взаимодействия газоразряднойфторсодержащей плазмы с поверхностью LiNbO3: дис. канд.
тех. наук: 05.27.01 / ГуляевВячеслав Валентинович. – Воронеж, 2011. - 135 с.Ren, Z. Etching characteristics of LiNbO3 in reactive ion etching and inductively coupledplasma / Z. Ren, P.J. Heard, et al. // Journal of applied physics. – 2008. – V. 103. – № 3. – P.034109-1-034109-8.Poberaj, G. Lithium niobate on insulator (LNOI) for micro-photonic devices / G. Poberaj, H.Hu, et al. // Laser & photonics reviews. – 2012.
– V. 6. – № 4. – P. 488-503Ulliac, G. Argon plasma inductively coupled plasma reactive ion etching study for smoothsidewall thin film lithium niobate waveguide application / G. Ulliac, V. Calero, et al. // OpticalMaterials. – 2016. – V. 53. – P. 1-5.Chen, L. Hybrid silicon and lithium niobate electro-optical ring modulator / L.
Chen, Q. Xu //Optica. – 2014. – V. 1. – № 2. – P. 112-118.Weis, R.S. Lithium niobate: summary of physical properties and crystal structure / R.S. Weis,T.K. Gaylord // Applied Physics A. – 1985. – V. 37. – № 4. – P. 191-203Munn, R.W. Principles and applications of nonlinear optical materials / R.W. Munn, C.N.Ironside. – Springer Netherland, 1993. – 257 pp.Tsuchiya, T. Dry etching and low-temperature direct bonding process of lithium niobate waferfor fabricating micro/nano channel device / T. Tsuchiya, K. Sugano, et al. // 19th InternationalConference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems (TRANSDUCERS), 18-22June, Kaohsiung, Taiwan, 2017.
– P. 1245-1248.Li, X.P. Low-loss bent channel waveguides in lithium niobate thin film by proton exchange anddry etching / X.P. Li, K.X. Chen, et al. // Optical Materials Express. – 2018. – V. 8. – № 5. – P.1322-1327.142112.113.114.115.116.117.118.119.120.121.122.123.124.125.126.127.128.129.130.Mahmoud, M. Lithium niobate electro-optic racetrack modulator etched in Y-cut LNOIplatform / M. Mohamed, L.
Cai, et al. // IEEE Photonics Journal. – 2018. – V. 10. – № 1. – P.6600410-1-6600410-11.Сольский, И.М. Получение оптически однородных монокристаллов ниобата литиябольших размеров / И.М. Сольский, Д.Ю. Сугак, В.М. Гава // Технология иконструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 5. – С. 55-61.Кузьминов, Ю.С. Электрооптический и нелинейнооптический кристалл ниобата лития /Ю.С. Кузьминов. – М.: Наука, 1987. – 264 с.Wong, K.K. (ed.). Properties of lithium niobate: EMIS datareviews series No. 28 / K.K. Wong(ed.) – INSPEC, The Institution of Electrical Engineers, London, UK, 2002. – 417 pp.Альдебенева, Е.П. Исследование физических свойств и областей применения кристалловниобата лития / Е.П. Альдебенева, А.А. Достовалов // Техника.
Технологии. Инженерия. –2017. – № 1. – С. 14-17.Sanna, S. Lithium niobate X-cut, Y-cut, and Z-cut surfaces from ab initio theory / S. Sanna,W.G. Schmidt // Physical Review B. – 2010. – V. 81. – № 21. – P. 214116-1-214116-11.Балышева, О.Л. Материалы для акустоэлектронных устройств: учеб. пособие / О.Л.Балышева. – СПб.: ГУАП, 2005. – 50 с.Chang, C.-M. A parametric study of ICP-RIE etching on a lithium niobate substrate / C.-M.Chang, C.-S.
Yu, et al. // 10th IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered andMolecular Systems, 7-11 April, Xi’an, China, 2015. – P. 485-486.Lee, C.L. CF4 plasma etching on LiNbO3 / C.L. Lee, C.L. Lu // Applied Physics Letters. – 1979.– V. 35. – № 10. – P. 756-758.Jackel, J.L. Reactive ion etching of LiNbO3 / J.L. Jackel, R.E. Howard, et al. // Applied PhysicsLetters. – 1981. – V. 38.
– № 11. – P. 907-909.Wang, C. Integrated high quality factor lithium niobate microdisk resonators / C. Wang, M.J.Burek, et al. // Optics express. – 2014. – V. 22. – № 25. – P. 30924-30933.Chen, L. Patterned ion-sliced lithium niobate for hybrid photonic integration on silicon / L.Chen, J. Nagy, R.M.
Reano // Optical Materials Express. – 2016. – V. 6. – № 7. – P. 24602467.Hu, H. Plasma etching of proton-exchanged lithium niobate / H. Hu, A.P. Milenin, et al. //Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. – 2006. – V. 24. –№ 4. – P. 1012-1015.Smith, S.E.
Investigation of nanoscale etching and poling of lithium niobate: Thesis of Masterof Science / Stacie Elizabeth Smith. – Montana State University-Bozeman, College ofEngineering, 2014. – 136 pp.Benchabane, S. Highly selective electroplated nickel mask for lithium niobate dry etching / S.Benchabane, L.
Robert, et al. // Journal of Applied Physics. – 2009. – V. 105. – № 9. – P.094109-1-094109-6.Гуляев, В.В. Особенности травления ниобата лития фторсодержащими радикалами / В.В.Гуляев, Ю.И. Дикарев и др. // Вестник Воронежского государственного техническогоуниверситета. – 2009. – Т. 5. – № 7. – С. 143-147.Коняев, И.В. Особенности кинетики травления ниобата и танталата лития вофторсодержащей плазме / И.В. Коняев, Л.Н.
Владимирова и др. // ВестникВоронежского государственного технического университета. – 2017. – Т. 13. – № 3. –С. 123-127.Гуляев, В.В. Изменение морфологии, элементного и фазового состава поверхностиниобата лития после плазмохимического и радикального травления / В.В. Гуляев, Ю.И.Дикарев и др // Вестник Воронежского государственного технического университета. –2010. – Т. 6. – № 9.
– С. 145-150.Гуляев, В.В. Высокоскоростное плазмохимическое травление ниобата лития / В.В.Гуляев, Ю.И. Дикарев и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2010. –Т. 12. – № 4. – С. 360-368.143131.132.133.134.135.136.137.138.139.140.141.142.143.144.145.146.147.148.149.150.151.152.153.154.155.Leech, P.W. Enhancement of the etch rate of LiNbO3 by prior bombardment with MeV O2+ ions/ P.W. Leech, M.C. Ridgway // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum,Surfaces, and Films.
– 1999. – V. 17. – № 6. – P. 3358-3361.Jun, D. Deep anisotropic LiNbO3 etching with SF6/Ar inductively coupled plasmas / D. Jun, J.Wei, et al. // Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology andMicroelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena. – 2012. – V. 30. – №1. – P. 011208-1-011208-6.Park, W.J. Ridge structure etching of LiNbO3 crystal for optical waveguide applications / W.J.Park, W.S. Yang, et al. // Optical Materials. – 2006. – V. 28. – № 3. – P.
216-220.Mitsugi, N. Challenges in electron cyclotron resonance plasma etching of LiNbO3 surface forfabrication of ridge optical waveguides / N. Mitsugi, H. Nagata, et al. // Journal of VacuumScience & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. – 1998. – V. 16. – № 4. – P. 22452251.Hartung, H. Fabrication of ridge waveguides in zinc-substituted lithium niobate by means ofion-beam enhanced etching / H. Hartung, E.-B.
Kley, et al. // Optics letters. – 2008. – V. 33. –№ 20. – P. 2320-2322.Sohler, W. Integrated optical devices in lithium niobate / W. Sohler, H. Hu, et al. // Optics andPhotonics News. – 2008. – V. 19. – № 1. – P. 24-31.URL:http://www.intech-group.ru/upload/instrukcija_po_jekspluatacii_na_vacuumyi_datchik_APGX.pdfURL: https://www.comsol.com/release/5.3URL: https://www.northamericanstainless.com/wp-content/uploads/2010/10/Grade-4301.pdfURL: http://asm.matweb.com/search/SpecificMaterial.asp?bassnum=mq430anЧиркин, В.С. Теплофизические свойства материалов (Справочное руководство) / В.С.Чиркин. – М.: ФИЗМАТГИЗ, 1959.
– 356 с.URL: http://enresurs.com/vata.htmlURL: http://ztim.ru/vata_mkrr-130Варгафтик, Н.Б. Справочник по теплофизическим свойствам газов и жидкостей / Н.Б.Варгафтик. – М.: НАУКА, 1972. - 720 с.Казанцев, Е.Н. Промышленные печи. Справочное руководство для расчетов ипроектирования. 2-е издание, дополненное и переработанное / Е.Н. Казанцев. – М.:МЕТАЛЛУРГИЯ, 1975. – 368 с.URL: http://www.metotech.ru/art_nagrev_1.htmГОСТ 12766.1-90 Проволока из прецизионных сплавов с высоким электрическимсопротивлением. Технические условия. – М.: ИПК Издательство стандартов, 2003.
– 16 с.Петрова, Л.Г. Электротехнические материалы: Учебное пособие / Л.Г. Петрова, М.А.Потапов, О.В. Чудина. – М.: МАДИ (ГТУ), 2008. – 198 с.URL: http://www.zaogross.ru/soprotivlenie_nihroma.html#33URL: http://meradat.ru/catalog/section/27/category/1/product/162/URL: http://www.termodat.ru/pdf/pid.pdfTaguchi, G. Taguchi methods: design of experiments. (Taguchi Methods Series) Book 4 / G.Taguchi, Y. Yokoyama. – Amer Supplier Inst, 1993.Minnick, M.D.
Optimum reactive ion etching of x-cut quartz using SF6 and Ar / M.D. Minnick,G.A. Devenyi, R.N. Kleiman // Journal of Micromechanics and Microengineering. – 2013. –V. 23. – P. 117002-1-117002-6.Дикарев, А.Ю. Травление германия фторосодержащими радикалами из газоразряднойплазмы / А.Ю. Дикарев, Ю.И. Дикарев и др. // Конденсированные среды и межфазныеграницы. – 2005. – Т. 7. – № 3. – С. 308-312.d’Agostino, R. Plasma etching of Si and SiO2 in SF6–O2 mixtures / R. d’Agostino, D.L. Flamm// Journal of Applied Physics.
– 1981. – V. 52. – № 1. – P. 162-167.144156.157.158.159.160.161.162.163.164.165.166.167.168.169.170.171.172.Knizikevičius, R. Influence of temperature on the etching rate of SiO2 in CF4+O2 plasma / R.Knizikevičius, V. Kopustinskas // Microelectronic engineering. – 2006. – V.
83. – № 2. – P.193-196.Болячевская, К.И. Основы химической кинетики: Учебное пособие / К.И. Болячевская,А.А. Литманович и др., под ред. И.М. Паписова. – М.: МАДИ (ГТУ), 2007. – 80 с.Schaepkens, M. Effect of radio frequency bias power on SiO2 feature etching in inductivelycoupled fluorocarbon plasmas / M. Schaepkens, G.S. Oehrlein, J.M. Cook // Journal of VacuumScience & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing,Measurement, and Phenomena. – 2000. – V. 18. – № 2. – P. 848-855.Голишников, А.А. Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния длятехнологии трехмерной интеграции кристаллов / А.А. Голишников, М.Г.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
