Диссертация (1143771), страница 22

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 22)

Путря //Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2014. – № 1. – С. 36-41.Pedersen, M. Plasma etching of deep high-aspect ratio features into fused silica / M. Pedersen,M. Huff // Journal of Microelectromechanical Systems. – 2017. – V. 26. – № 2. – P.

448-455.Chapellier, P. DRIE of high Q-factor length-extensional mode quartz micro-resonator / P.Chapellier, B. Verlhac, et al. // Frequency and Time Forum and IEEE International FrequencyControl Symposium (EFTF/IFC), 9-13 October, Besancon, France, 2017 Joint Conference ofthe European. – IEEE, 2017. – P. 218-221.Pan, W.S. Reactive ion etching of SiC thin films by mixtures of fluorinated gases and oxygen /W.S. Pan, A.J. Steckl // Journal of the Electrochemical Society. – 1990. – V. 137. – № 1. – P.212-220.Асабина, Е.А. Дефекты в твердых телах и их влияние на свойства функциональныхматериалов.

Электронное учебно-методическое пособие / Е.А. Асабина. – НижнийНовгород: Нижегородский госуниверситет, 2012. – 65 с.Syakur, A. Electrical tracking formation on silane epoxy resin under various contaminants / A.Syakur, H. Berahim, T. Rochmadi // TELKOMNIKA (Telecommunication, Computing,Electronics and Control). – 2013. – V. 11. – № 1. – P. 17-28.Cho, H. Ultradeep, low-damage dry etching of SiC / H. Cho, P. Leerungnawarat, et al. //Applied Physics Letters. – 2000.

– V. 76. – № 6. – P. 739-741.Beheim, G. Deep reactive ion etching for bulk micromachining of silicon carbide / in TheMEMS Handbook / G. Beheim., ed. By M. Gad-el-Hak. – CRC Press LLC, USA, 2002. – С.21-1-21-12.Camara, N. Study of the reactive ion etching of 6H–SiC and 4H–SiC in SF6/Ar plasmas byoptical emission spectroscopy and laser interferometry / N. Camara, K. Zekentes // Solid-StateElectronics. – 2002.

– V. 46. – № 11. – P. 1959-1963.Ahn, S.C. A study on the reactive ion etching of SiC single crystals using inductively coupledplasma of SF6-based gas mixtures / S.C. Ahn, S.Y. Han, et al. // Metals and MaterialsInternational. – 2004. – V. 10. – № 1. – P. 103-106.Jiang, L. Dry etching of SiC in inductively coupled Cl2/Ar plasma / L.

Jiang, N.O.V. Plank, etal. // Journal of Physics D: Applied Physics. – 2004. – V. 37. – № 13. – P. 1809-1814.Chabert, P. Deep etching of silicon carbide for micromachining applications: Etch rates andetch mechanisms / P. Chabert // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronicsand Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. – 2001. – V. 19. – № 4.– P.

1339-1345.Ruan, J.-A. Low RF power SiC substrate via etch / J.A. Ruan, S. Roadman, W. Skelton //International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology CSMANTECH Conference, Portland Marriot Downtown Waterfront, Portland, Oregon, USA,May 17th-20th, 2010.Okamoto, N. Differential etching behavior between semi-insulating and n-doped 4H-SiC inhigh-density SF6/O2 inductively coupled plasma / N. Okamoto // Journal of Vacuum Science &Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. – 2009. – V. 27. – № 3. – P. 456-460.145173.Осипов, А.А.

Разработка процесса сквозного, скоростного плазмохимического травлениямонокристаллического кварца в газовой смеси SF6/O2 / А.А. Осипов, С.Е. Александров идр. // Журнал прикладной химии. - 2018. - Т. 91. - № 8. С. 1101 – 1107.146.

Характеристики

Список файлов диссертации