Диссертация (1143771), страница 19
Текст из файла (страница 19)
– 1720 pp.Галперин, В.А. Процессы плазменного травления в микро- и нанотехнологиях / В.А.Галперин, Е.В. Данилкин Ф.И. Мочалов; под ред. С.П. Тимошенкова. – М. БИНОМ.Лаборатория знаний, 2010. – 283 с.Данилин, Б.С. Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления иочистки материалов / Б.С. Данилин, Ю.В.
Киреев. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 264 с.Jansen, H. A survey on the reactive ion etching of silicon in microtechnology / H. Jansen, H.Gardeniers, et al. // Journal of micromechanics and microengineering. – 1996. – V. 6.
– № 1. –P. 14-28.Ветошкин, В. М. Экспериментальная установка для исследования вакуумно-плазменныхпроцессов обработки кварца: дис. канд. тех. наук: 01.04.01 / Ветошкин ВладимирМихайлович. – Ижевск, 2009. - 138 с.Chen, F. F. Introduction to plasma physics and controlled fusion / Francis F. Chen. - SpringerInternational Publishing, 2016.
- 490 pp.Голишников, А. А. Вакуумные плазменные технологии в производстве СБИС: учеб.пособие / А.А. Голишников, М.Г. Путря. – М.: МИЭТ, 2010. – 163 с.Александров, С.Е. Плазмохимические процессы и оборудование: учеб. пособие / С.Е.Александров, А.А. Уваров. – СПб.: Изд-во Политехн. Ун-та, 2012 – 400 с.Королев, М.А.
Технология, конструкции и методы моделирования кремниевыхинтегральных микросхем. Часть 1. – 2-е изд. (эл.) / М.А. Королев, Т.Ю. Крупкина, М.А.Ревелева. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. – 397 с.Kamimura, R. Dry etching technologies of optical device and III-v compound semiconductors /R. Kamimura, K. Furuta // IEICE Transaction on Electronics. - 2017. V. E100.C. - № 2.- P.150–155.Chang, X. Developments of surface-wave excited plasma sources using 915 MHz ultra highfrequency wave and 2.45 GHz microwave: Doctor thesis / Xijiang Chang.
– ShizuokaUniversity, 2013. - 120 pp.Lallement, L. Etching studies of silica glasses in SF6/Ar inductively coupled plasmas:Implications for microfluidic devices fabrication / L. Lallement, C. Gosse, et al. // Journal ofVacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. – 2010. – V. 28. – № 2. – P.277-286.Ujiie, T. Fabrication of quartz microcapillary electrophoresis chips using plasma etching / T.Ujiie, T. Kikuchi, et al. // Japanese Journal of Applied Physics. – 2000.
– V. 39. – Part 1. – №6A. – P. 3677-3682.Cimalla, V. Group III nitride and SiC based MEMS and NEMS: materials properties,technology and applications / V. Cimalla, J. Pezoldt, O. Ambacher // Journal of Physics D:Applied Physics. – 2007. – V. 40. – № 20. – P. 6386-6434.Choi, J.H. Fabrication of SiC nanopillars by inductively coupled SF6/O2 plasma etching / J.H.Choi, L. Latu-Romain, et al. // Journal of Physics D: Applied Physics. – 2012. – V. 45. – № 23.– P. 235204 (9 pp.).Choyke, W.
J. Silicon carbide: A review of fundamental questions and applications to currentdevice technology / W.J. Choyke, H. Matsunami, G. Pensl (ed.). – Wiley, 1997. – 1168 pp.Tamir, T. Guided-wave optoelectronics: device characterization, analysis, and design / T.Tamir, G. Griffel, H.L. Bertoni (ed.). – Springer, 2013.
– 501 pp.Li, S. Heating of Rayleigh surface acoustic wave devices in 128° YX LiNbO3 and ST X quartzsubstrates / S. Li, J. Desrosiers, V.R. Bhethanabotla // 2017 IEEE SENSORS, Glasgow, UK,October 29 to November 1, 2017. – P. 1-3.Сысоев, А.А. Процессы обработки затравок для выращивания совершенных объемныхмонокристаллов полупроводникового карбида кремния методом ЛЭТИ: дис.
канд. тех.13720.21.22.23.24.25.26.27.28.29.30.31.32.33.34.35.36.37.наук: 05.27.06 / Сысоев Андрей Александрович. – СПб., 2001. – 100 с.Громов, Д.В. Материаловедение для микро-и наноэлектроники: учеб. пособие / Д.В.Громов, А.А. Краснюк. - М.: МИФИ, 2008. – 156 с.Zhe, C.F.
Silicon Carbide: Materials, Processing & Device / C.F. Zhe. – CRC Press, 2003. –416 pp.Tschumak, E. Comparative study of 3C-GaN grown on semi-insulating 3C-SiC/Si (100)substrates / E. Tschumak, K. Tonisch, et al. // Materials Science Forum.
– 2009. – V. 615-617.– P. 943-946.Severino, A. 3C-SiC film growth on Si substrates / A. Severino, C. Locke, et al. // ECSTransactions. – 2011. – V. 35. – № 6. – P. 99-116.Лучинин, В.В. Отечественный карбид кремния / В.В. Лучинин, Ю.М. Таиров // Известиявысших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 6. – С. 3-26.Kim, K.C. Formation mechanism of interfacial voids in the growth of SiC films on Si substrates/ K.C. Kim, C.
Park, et al. // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces,and Films. – 2001. – V. 19. – № 5. – P. 2636-2641.Lebedev, A.A. Heterojunctions and superlattices based on silicon carbide / A.A. Lebedev //Semiconductor science and technology. – 2006.
– V. 21. – № 6. – P. R17-R34.Starke, U. SiC surface reconstruction: Relevancy of atomic structure for growth technology / U.Starke, J. Bernhardt, et al. // Surface Review and Letters. – 1999. – V. 6. – № 06. – P. 11291141.Capano, M.A. Silicon carbide electronic materials and devices / M.A. Capano, R.J. Trew //MRS Bulletin. – 1997. – V.
22. – № 3. – P. 19-23.Shi, Y. UV nanosecond laser machining and characterization for SiC MEMS sensor application/ Y. Shi, Y. Sun, et al. // Sensors and Actuators A: Physical. – 2018. – V. 276. – P. 196-204.Гольцова, М. Силовая полупроводниковая электроника Многообещающие технологиистановятся реальностью / М. Гольцова // Электроника: Наука, технология, бизнес. –2014. – № 4. – С. 54-71.Сейдман, Л.А. Формирование трехмерных структур в подложках карбида кремнияплазмохимическим травлением / Л.А. Сейдман // Известия высших учебных заведений.Материалы электронной техники.
– 2015. – Т. 18. – № 3. – С. 157-171.Осипов, К.Ю. Технология формирования щелевых сквозных металлизированныхотверстий к истокам мощных GaN/SiC-транзисторов с высокой подвижностьюэлектронов / К.Ю. Осипов, Л.Э. Великовский // Физика и техника полупроводников. –2012. – Т. 46. – № 9. – С. 1239-1243.Ekinci, H. Plasma etching of n-Type 4H-SiC for photoconductive semiconductor switchapplications / H. Ekinci, V.V. Kuryatkov, et al. // Journal of Electronic Materials.
– 2015. – V.44. – № 5. – P. 1300-1305.Voss, L.F. SiC via fabrication for wide-band-gap high electron mobility transistor/microwavemonolithic integrated circuit devices / L.F. Voss, K.Ip.S.J. Pearton, et al. // Journal of VacuumScience & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing,Measurement, and Phenomena. – 2008. – V. 26.
– № 2. – P. 487-494.Kim, B. Etching of 4H–SiC in a NF3/CH4 inductively coupled plasma / B. Kim, S.Y. Lee, B.T.Lee // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and NanometerStructures Processing, Measurement, and Phenomena. – 2003. – V. 21. – № 6. – P. 2455-2460.Okamoto, N. Elimination of pillar associated with micropipe of SiC in high-rate inductivelycoupled plasma etching / N. Okamoto // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum,Surfaces, and Films. – 2009.
– V. 27. – № 2. – P. 295-300.Okamoto, N. SiC backside via-hole process for GaN HEMT MMICs using high etch rate ICPetching / N. Okamoto, T. Ohki, et al. // CS MANTECH Conference, Tampa, Florida, USA,May 18th-21st, 2009.13838.39.40.41.42.43.44.45.46.47.48.49.50.51.52.53.54.55.Jiang, L. Inductively coupled plasma etching of SiC in SF6/O2 and etch-induced surfacechemical bonding modifications / L. Jiang, R. Cheung, et al.
// Journal of Applied Physics. –2003. – V. 93. – № 3. – P. 1376-1383.Jiang, L. Impact of Ar addition to inductively coupled plasma etching of SiC in SF6/O2 / L.Jiang, R. Cheung // Microelectronic engineering. – 2004. – V. 73. – P. 306-311.Khan, F.A. High rate etching of SiC using inductively coupled plasma reactive ion etching inSF6-based gas mixtures / F.A. Khan, I. Adesida // Applied physics letters. – 1999. – V. 75. – №15. – P.
2268-2270.Kim, D.W. Magnetically enhanced inductively coupled plasma etching of 6H-SiC / D.W. Kim,H.Y. Lee, et al. // IEEE transactions on plasma science. – 2004. – V. 32. – № 3. – P. 13621366.Plank, N.O.V. The etching of silicon carbide in inductively coupled SF6/O2 plasma / N.O.V.Plank, M.A. Blauw, et al. // Journal of Physics D: Applied Physics. – 2003. – V. 36. – № 5. – P.482-487.Wang, J.J.
Inductively coupled plasma etching of bulk 6H-SiC and thin-film SiCN in NF3chemistries / J.J. Wang, E.S. Lambers, et al. // Journal of Vacuum Science & Technology A:Vacuum, Surfaces, and Films. – 1998. – V. 16. – № 4. – P. 2204-2209.Kim, D.W. High rate etching of 6H–SiC in SF6-based magnetically-enhanced inductivelycoupled plasmas / D.W. Kim, H.Y. Lee, et al. // Thin Solid Films. – 2004. – V. 447.
– P. 100104.Kathalingam, A. Self assembled micro masking effect in the fabrication of SiC nanopillars byICP-RIE dry etching / A. Kathalingam, Mi-Ra Kim, et al. // Applied Surface Science. – 2011. –V. 257. – № 9. – P. 3850-3855.Choi, J.H. Fabrication of SiC nanopillars by inductively coupled SF6/O2 plasma / J.H. Choi, L.Latu-Romain, et al. // Materials Science Forum. – 2012. – V. 711.
– P. 66-69.Tanaka, S. Deep reactive ion etching of silicon carbide / S. Tanaka, K. Rajanna, et al. // Journalof Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing,Measurement, and Phenomena. – 2001. – V. 19. – № 6. – P. 2173-2176.Luna, L.E. Deep reactive ion etching of 4H-SiC via cyclic SF6/O2 segments / L.E. Luna, M.J.Tadjer, et al.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
