0750-1-freview (1143754)
Текст из файла
1-1ТМЧК ! Раки!1а1 !Ьзеп!еигиг!55епасьаГГеп Носпасьи!е Сбг Теспп!Ь, 99!715спай ипг! Ки!1иг 1.е!Р2!9 Посо«с»«|е Гаг тес»при»ЯП«се«П «пе К«и«г се|рг|а поги«сь зо и м, амп 1«!ос|а йи55!апс! - Россия 195251 Санкт-Петербург ул. Политехническая 29 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого Председателю дисс. совета Д 212,229.02 Рагс Ог Ма аоьаппеахепгпег Отзыв Ргоымв копов«М!оп на автореферат диссертации Осипова Артема Арменаковича, представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники на тему «Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристалического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности» чогиапд !пепи! 6пги!сыипзигггепеепег маасмпепЬаи РпнГ«хап РопсЬ«па Еааииа1 гпаепгеипегмепасьаяеп Т «49 341 3076 - 4115 Г «493413076-4202 !опаппеа.аепгпег0мпв!«|г!6.де Судя по содержанию автореферата, Осипов А.
А. в своей диссертационной работе разработал плазмохимическую установку для скоростного и глубокого травления различных материалов„а также экспериментально доказал состоятельность и функциональность выбранной концепции. Далее на основе разработанной установки изучены основные физико-химические законо- мерности процессов плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития, а также возможности повышения скорости травления н качества травящейся поверхности путем термостимулированния процессов плазмохимического травления. На основе полученных знаний сформулированы главные положения технологии высокоскоростного направленного глубокого плазмохимического травления подложек из монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития. НосЬ»си«ге Гвг тесЬпжь иэнасьая «по Киииг сеграгз Сильной стороной диссертации, на мой взгляд, является разработка концепции установки реализующей очень сложный физико-химический процесс и создание опытного образца этой установки.
В особенности следует отметить Кагг-1!еЬМпесььзсг. 132 04277 се!РггЗ бппипзсаекеп М оп!аз Ыа Гге!Гаа 9-18 иьг «Ьи«!Мегрищ М 1/2 Направления выполненных исследований безусловно имеют важное практи- ческое значение для технологий микроэлектроники и микросистемотехники, а также, например, для новых поколений солнечных батарей и для других областей техники. Носпзспые гвг Тесло~к, уунтзспай ипд кы1иг ее~рве оригинальную конструкцию подложкодержателя с возможностью регулирования и термостатирования его поверхности.
Хоть в рамках автореферата сложно дать исчерпывающую информацию о конструкции установки, но на основе представленных рисунков структура, а также основные узлы и приборы на качественом уровне вполне идентифицируются. Важной и очень ценной частью работы является также исследования травления монокристаллического кварца„карбида кремния и ниобата лития с помощью разработаной установки и выявление технологических условий оптимального протекания физико-химических процессов травления относи- тельно качества структур, а также производительности и энергоемкости их получения.
Результаты этих масштабных исследований кратко, но полно представлены и в автореферате. К сожалению за рамками автореферата остался сравнительный анализ достигнутых параметров качества, призводительности и энергоемкости с подобными параметрами конкурирующих установок, определяющих мировой уровень развития в этой области. Отмечена лишь общая конкурентоспособность предложенной концепции. В целом следует отметить, что предложенной диссертацией аспирант демон- стрирует солидную теоретическую оснащенность и тонкое экспериментальное чутье. Оформление автореферата выполнено грамотно, особенно следует отметить продуманные рисунки и графики. Стиль изложения точен и ясен, Указанные замечания не снижают весьма положительных впечатлений и оценки работы. Судя по автореферату, диссертация А.
А. Осипова соответствует требованиям, предъявляемым к диссертациям на соискание ученой степени кандидата технических наук. Своей диссертацией А. А. Осипова вносит существенный вклад в развитие технологической базы микроэлек- троники и микросистемотехники, а ее автор несомненно заслуживает присуждения ему степени кандидата технических наук по специальности 0527.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. Лейп пез Еепгпег (Йоханнес Центнер~ РгоЕе Нося вопи!е гбг Тесло! К, НТГвсйай опт Кийог $ е~рлц Гакипаг !пдеыечпиввепвеьапеп Роиаавсьхтя р мгасьзвибь 04251 ге1~юз ььххчырпвкм .
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.