0750-concl (Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности), страница 3

Например, при разработке сквозного травления шероховатость дна травления не должна иметь значения в отличие от гладкости и угла наклона стенок. В заключении официальный оппонент, д.т.н. А.С. Гудовских, отмечает, что диссертационная работа Осипова Артема Арменаковича «Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности» является завершенной научно-квалификационной работой, 11 которая по критериям актуальности, научной новизны, обоснованности и достоверности выводов соответствует п.п. 9-11 «Положения о порядке присуждения ученых степеней», утвержденного Постановлением правительства Российской Федерации от 24 сентября 2013 года № 842 (ред.

от 01.10.2018, № 11б8). Уровень задач„решенных соискателем, представляется соответствующим требованиям, предъявляемым к диссертациям на соискание ученой степени кандидата технических наук, Содержание диссертации соответствует специальности 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов„ материалов и приборов злектронной техники. Автореферат и опубликованные работы достаточно полно характеризуют результаты проведенных исследований и отражают основное содержание диссертации. Диссертант, Осипов Артем Арменакович, заслуживает присуждения ему ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27,06 — Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов, материалов и приборов электронной техники.

Выбор официальных оппонентов и ведущей организации обосновывается их компетентностью, высокой квалификацией, широкой известностью своими достижениями в отраслях науки, соответствующих теме диссертации, наличием публикаций в области рассматриваемых диссертантом вопросов и способностью определить научную и практическую ценность диссертационной работы, а именно тем, что: - официальный оппонент, доктор технических наук, старший научный сотрудник, профессор МИЭТ, Киреев Валерий Юрьевич, является известным и авторитетным специалистом в области применения низкотемпературной плазмы для травления и очистки широкого спектра материалов электронной техники, а также является специалистом в области разработки. модернизации и создания технологического оборудования для микроэлектронной промышленности. Публикации оппонента по специальности 05.27.06 — Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов, материалов и приборов электронной техники, в частности, представлены: 1.

ч'езе1оч, В. $. Апа!уйса1 шоде1 оГ р1аяпа-сЬеш1са1 е~сЫпд ш р1апаг геасюг / Ва1ып, А. В., "ч'огопоч, У. А., К1гееч, 'Ч. У.„Уаз11еча, О. Ъ'. // 1п 1оцгпа1 оГ РЬуз1сз: СопГегепсе Яег1ез. — 2016. — 'Ч. 748. — Х.1. — Р. 012015. 2. Киреев В.Ю.Нанотехнологии в микроэлектронике. Нанолитография— процессы и оборудование,' Киреев В.Ю. // Долгопрудный: Издательский Дом «Интелектяз 2016. — 320 с. 3.

РупкЬе~ Х. А. ГаЬг1са6оп апд 8гис1у оГ Рагагпегегз апд Ргорег6ез оГ Хапозггисшгес1 МегпЬгапез Гог МЕМБ Ремсез / Х. А. РуихЬе~", Е. Е. бцзе~, Т. А. бгуахпе~ а, А. А. РесИсо~а, Р. А. Ргопоча, Ъ'. Уи. К1гееъ, Е. Р. К1г11еп1со, Р. М. М1р~поч, Р. 'Ч. Ь1о~11со~, Х. Х.

РатуиЕот, А. А. РгезпиЫипа, А. Р. Ва1а~п, Р. Б. Еппа1соч //ХапогесЬпо1о81ез ш Кцзз1а. — 2017. — Ч. 12. — Х. 7-8.— Р. 42б-437. - официальный оппонент, доктор технических наук, ведущий научный сотрудник СПбАУ РАН, Гудовских Александр Сергеевич, является ведущим специалистом в области твердотельной микро- и наноэлектроники на квантовых эффектах 1полупроводниковые гетероструктуры, солнечные элементы, границы раздела, тонкопленочные технологии). Публикации оппонента по специальности 05.27.06 — Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов, материалов и приборов электронной техники, в частности„представлены: 1. КидгуазЬоъ Р.

1пйиепсе ог" сгуо8еп1с дгу егсЬ1пе оп пппог|гу сагпегз Небгпе 1п ъегг1са11у а118пед з111соп папозггцсшгез / Кис1гуазЬо~, Р., Могол~', 1., бпйо~ з1сйЬ, А., 1 Ъаго~, А., Ког1уаг, К., 1 1ЬасЬе~, А., ХазЬсЬеЫп, А., Раъ.1о~, Я. //А1Р СопГегепсе Ргосеейп8з. — 2019. — Ч. 20б4. — Х. 1. — Р. 03000?. 2. Могоуож, 1. А. 1пйиепсе оГ дгу егсЬ1п8 сопйг1оп го деотеггу ог" ~'ег6саПу а11дпес1 з111соп папозггцсгигез / Могокоъ, 1. А., бис1о~ййЬ, А. 8., Кис1гуазЬоч, Р. А., Ког1уаг, К. Р. //.1оцгпа1 оГРЬуз1сгс СопГегепсе $епез — 2017. — Ч.

917. — Х, 5. 3. Моголоъ, 1. А. Ейесг оГ гепзрегагцге оп дгу егс1з1п8 оК Ш-У зггисшгез / Могохоъ, 1. А., бидо~ййЬ, А. 8., КидгуазЬо~, Р. А., Ког!уаг, К. Р., ЯшЬ1па, К. У. // 1оигпа1 оГ РЬуысз: СопГегепсе 8епез — 2018. — Ъ'. 1124. — Х. 4. — Р.

041031. - ведущая организация — Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук — широко известна своими научными исследованиями в области физики плазменных явлений (низкотемпературная плазма, газовый разряд, плазменные технологии, динамика плотной плазмы), взаимодействия газ-поверхность 1адсорбция, десорбция, ионизация, элементарные структуры на поверхности), дефектов в кристаллических полупроводниках, теоретических основах микроэлектроники и твердотельных приборах и разработками полупроводниковых приборов. Основные публикации по специальности 05.27.06 — Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов, материалов и приборов электронной техники, в частности, представлены: 1.

А. Тгопеч. ГаЬг1саг!оп оГ Ь!8Ь ехбпсбоп гайо 1пЬ1цгп шоЬа1е !п~едга1ес! орйса! пкк3и1а1огэ ияп8 рЬоюге1гаспче 1гппш1п8 / А. Тгопеч, М. РагГепоч, Р. А8гияоч, 1. 111сЬеч, 1. 8Ьатгау, А. 8Ьагпгау //1п1е8га1ес! Ор1!сз: 1)еч|сез, Ма1ег!а!ь, апд ТесЬпо1о8!еа ХХ11. — 1п1егпабопа! Яос1е1у 6ог Орйсз апд РЬоюп!сз — 2018. — У. 10535. — Р.

1053527. 2. К. 1. Магпа1!гпоч. Ь1апосгуа1а1 Гоггпайоп !и Йе оиаггх яп81е сгузта! дие ю йеппа! ч!Ьгат1опз оГ йа1осапопз / К. 1. Маша1шюч., 'Ч. 1. Чепе8геп //РЬуа!сз оГ 1Ье Яо1Ы Я1а1е. — 2016, — Ч. 58. — )Ч. 8. — Р. 1659-1662. 3. А. А. 1.еЬес1еч. Н!8Ь 9иа1ау ОгарЬепе Огочп Ьу 8иЫппайоп оп 4Н-ЯС 10001) / А. А. 1.еЬедеч, 'ч'. 1/'и. Оачус1оч, О. Уи. ~3аасЬоч, Б. Р. 1.еЬедеч, А. М. Ягп!гпоч, 1. А. Е11зеуеч, М. 8. ВипаечзЫу, Е. Ч. ОпзЬсЬ!па, К. А.

Во1са1, 3. Реко1й //8еппсопс1исюгз. — 2018. — Ъ'. 52. — Х. 14. — Р. 1882-1885. Диссертационный совет отмечает, что на основании выполненных соискателем исследований: разработана н создана оригинальная экспериментальная установка для плазмохимического травления разнообразных материалов электронной техники, обеспечивающая значительное расширение диапазонов варьирования технологическими параметрами, и позволившая установить новые физико-химические закономерности процессов травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития, на базе которых разработаны высокопроизводительные технологические процессы плазмохимического термостимулированного травления указанных материалов; предложен новый подход к решению проблемы повышения скорости травления и снижения шероховатости поверхности обрабатываемых материалов (монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития), основанный на использовании термостимуляции процессов плазмохимического травления за счет нагрева обрабатываемых подложек до 400 'С; доказана возможность получения поверхностных структур большой глубины ~до 400 мкм) в подложках из монокристаллического кварца, карбида кремния иниобата лития с высокими скоростями травления и низкой шероховатостью поверхности за счет контролируемого изменения вкладов химической и физической составляющих процесса травления при варьировании технологическими параметрами в широких пределах.

Научная и теоретическая значимость исследований обоснована тем, что: подложек 150 - 400 'С; на основе результатов исследований экспериментальных на основе применения методов математического моделирования предложена концепция универсальной технологической установки, предназначенной для осуществления процессов плазмохимического травления различных материалов электронной техники в широком диапазоне температур обрабатываемых подложек, а также при их размещении на разных расстояниях от зоны генерации высокочастотного разряда; в результате обширных экспериментальных исследований установлены основные физико-химические закономерности процессов плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития; получены новые фундаментальные знания о процессах травления в низкотемпературной газоразрядной плазме монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития в диапазоне температур обрабатываемых сформулированы представления о формировании дефектов на поверхности обрабатываемых материалов и предложены методы, предотвращающие их образование; в результате применения методов научного планирования экспериментов впервые определена степень влияния основных технологических параметров процесса плазмохимического травления на скорость травления монокристаллического кварца„ карбида кремния и ниобата лития.

Значенпе полученных соискателем результатов исследования для практики подтверждается тем, что: разработана технология глубокого высокоскоростного направленного плазмохимичес кого травления монокристаллического карбида кремния, которая внедрена в технологический процесс изготовления сквозных отверстий в подложках $1С, применяемых при создании приборов специального назначения в АО «Светалана — Электронприбор»; — разработан новый метод плазменной полировки подложек карбида кремния на установке с источником индуктивно-связанной плазмы; разработана технология глубокого высокоскоростного направленного плазмохимического травления монокристаллического кварца, с помощью которой создан прецизионный датчик давления, разработанный в АО «НПП ссРадар ммс»; впервые разработана технология глубокого (более 100 мкм) высокоскоростного направленного плазмохимического травления монокристаллического ниобата лития, прошедшая успешные испытания в АО «НПП «Радар ммс».