0750-concl (Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности)

ЗАКЛЮЧЕНИЕ ДИССЕРТАЦИОННОГО СОВЕТА Д 212.229.02, СОЗДАННОГО НА БАЗЕ ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО АВТОНОМНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ПЕТРА ВЕЛИКОГО» МИНИСТЕРСТВА НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРА11ИИ ПО ДИССЕРТАЦИИ НА СОИСКАНИЕ УЧЕНОЙ СТЕПЕНИ КАНДИДАТА НАУК аттестационное дело № решение диссертационного совета от 16.05.2019 г.протокол № 24 О присуждении Осипову Артему Арменаковичу, гражданину РФ, ученой степени кандидата технических наук. Диссертация «Раз аботка технологии ско остного гл бокого плазмохимического т авления монок исталлического ква а ка би а к емния и ниобата лития и и малой мо ности» по специальности 05.27.06— «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники» принята к защите 21 февраля 2019 года, протокол № 20, диссертационным советом Д 212.229.02 на базе Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого» Министерства науки и высшего образования Российской Федерации 1ул.

Политехническая, д. 29, г. Санкт-Петербург, 195251),приказ о создании диссертационного совета 816 н/к от 18.11.2013 года. Соискатель, Осипов Артем Арменакович, 1992 г. рождения, в 2014 г. окончил Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский университет «МИЭТ»». г.

Москва с присуждением квалификации инженера по специальности 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника». В период подготовки диссертации ~2014 †20 гг.) обучался в очной аспирантуре на кафедре «Физико-химия и технологии микросистемной техники» института металлургии машиностроения и транспорта Федерального государственного автономного образовательного учреждении высшего образования «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого».

В 2018 г. с отличием окончил аспирантуру по направлению подготовки 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи» (диплом 107824 3810361), по специальности 05.27.06 — «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники». В настоящее время работает ассистентом на кафедре «Физико-химия и технологии микросистемной техники» института металлургии машиностроения и транспорта Федерального государственного автономного образовательного учреждении высшего образования «СанктПетербургский политехнический университет Петра Великого» Министерства науки и высшего образования Российской Федерации.

Диссертация выполнена на кафедре «Физико-химия и технологии микросистемной техники» института металлургии машиностроения и транспорта Федерального государственного автономного образовательного учреждении высшего образования «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого» Министерства науки и высшего образования Российской Федерации. Научный руководитель — доктор химических наук, профессор Александров Сергей Евгеньевич, заведующий кафедрой «Физико-химия и технологии микросистемной техники» института металлургии машиностроения и транспорта Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого».

Официальные оппоненты: 1. Киреев Валерий Юрьевич. доктор технических наук, старший научный сотрудник, профессор кафедры «Проектирование и конструирование интегральных микросхем» Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»».

г. Москва; 2. Гудовскнх Александр Сергеевич, доктор технических наук, ведущий научный сотрудник лаборатории возобновляемых источников энергии центра нанотехнологий Федерального государственного бюджетного учреждения высшего образования и науки «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук» (СПбАУ, Академический университет), г. Санкт-Петербург; дали положительные отзывы о диссертации. Ведущая организация — Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Физико-технический институт им. А.Ф.

Иоффе» Российской академии наук ~194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26), в своем положительном отзыве, подписанном доктором физикоматематических наук, заведующим лабораторией диагностики материалов и структур твердотельной электроники Павлом Николаевичем Брунковым, доктором физико-математических наук, профессором, ученым секретарем ФТИ им. Иоффе Андреем Петровичем Шергиным, и утвержденном заместителем директора по научной работе, доктором физикоматематических наук Сергеем Владимировичем Лебедевым, — указала„что диссертационная работа Осипова Артема Арменаковича является самостоятельной завершенной научно-квалификационной работой, в которой решена актуальная задача развития и совершенствования технологического оборудования и технологий травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития, и изложены научно обоснованные и экспериментально подтвержденные результаты и выводы.

Полученные результаты обладают научной новизной и практической ценностью, их достоверность не вызывает сомнений. Автореферат и опубликованные работы отражают ее основное содержание. Содержание диссертации соответствует п.1-4 паспорта специальности 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники». В отзыве подчеркнуто, что по научному уровню, полученным результатам, содержанию и оформлению диссертационная работа соответствует требованиям, предъявленным в п.п.

9 — 14 «Положения о присуждении ученых степеней» от 24 сентября 2013 г. № 842 1ред. от 01.10.2018) к диссертациям на соискание ученой степени кандидата наук. Автор диссертации, Осипов Артем Арменакович, заслуживает присуждения ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.0б «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники». В качестве основных замечаний в отзыве отмечено: 1. Автор делает выводы о физико-химических закономерностях только исходя из результатов анализа микрофотографий, полученных методом растровой электронной микроскопии, при этом не применяет никакие методы «1п зпи» анализа реакционной среды во время процесса плазмохимического травления.

2. В работе отсутствуют данные о температуре образцов во время процесса плазмохимического травления, 3. Применение контроля глубины областей травления с помощью электронной микроскопии позволяет говорить только об оценке значений данной характеристики. Не вполне понятно, почему не использовались другие методы измерения, например, профилометрия. Соискатель имеет 11 опубликованных работ, из них 9 по теме диссертации, в том числе 4 работы опубликованы в рецензируемых научных журналах, рекомендуемых ВАК РФ Наиболее значимые работы: 1.

Осипов, А.А. Оптимизация технологических параметров процесса плазмохимического травления монокристаллов кварца / А.А. Осипов. С.Е. Александров, А.А. Осипов // Журнал прикладной химии. — 2016. — Т. 89. — № б. — С. 704-710. Вк зад А.А. Осипова — разработка плана эксперименпюв, проведение экспериментов, участие в обсуждении и интерпретации результатов эксперимента и подгопювке текста публикации. (бстр.) 2. А!ехапдгоч, 8.Е. Р1аяпа-е?с?п1п8 оГ 2В-ро1ед 81аззез: А гонте ?о с1гу 1пЬо8гарЬу / Я.Е. А1ехапдгоь., А.А. ?.1рочз1сй„А.А. Оз?роч, ?Х. Кеййо, В.К. Та8аптзеч // Арр?1ес1 РМ*а|сз 1 епегз. — 2017. — У. 111. — Х.

11. — Р. 1-2. Вклад А.А. Осипова — разработка плана экспериментов, проведение экспериментов, подготовка текста публикации. (2 стр) 3. Осипов, А.А. Разработка процесса сквозного„скоростного плазмохимического травления монокристаллического кварца в газовой смеси 8Рь/02 / А.А. Осипов, С.Е. Александров, А.А. Осипов, В.И. Березенко // Журнал прикладной химии. — 2018, — Т. 91. — № 8.

— С. 1101-1107. Вклад А.А. Осипова — разработка плана экспериментов, проведение эксперииентов, участие в обсуждении и интерпретации результатов эксперимента и подготовке текста публикации. (7 стр.,/ 4. Осипов, А.А. Травление карбида кремния в индуктивно-связанной плазме при малой мощности / А.А. Осипов, С.Е. Александров, ?О.В, Соловьев, А.А. Уваров, А.А. Осипов.

//Микроэлектроника. — 2019, — Т. 48.- №. 1. С. 31-37 Вклад А.А. Осипова — разработка плана экспериментов, проведение экспериментов, участие в обсуждении и интерпретации результатов эксперимента и подготовке текста публикации. /7 стр/ На диссертацию и автореферат поступили положительные отзывы от; Йоханнеса Центнера (РЬР. профессора Лейпцигского университета прикладных наук), Курушкина Михаила Вячеславовича (к.х.н., ординарного доцента Университета ИТМО), Красови нного Дмитрия Михайловича (к.х.н., ведущего инженера ОГК АО «Светлана-Рост»), Вьюгииова Владимира Николаевича (к.ф.-м.н., директора по науке и научно-техническому развитию АО ссСветлана-Электронприбор»), Беленького Бориса Петровича (к.т.н., заместителя генерального директора по науке АО «НИИ «Гириконд»), Корлякова Андрея Владимировича (д.т.н., профессора кафедры «Микро- и наноэлектроника» ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЗТИ» им.