0750-orgreview (1143769), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Рекомендации по использованию результатов и выводов, приведенных в диссертации Результаты диссертационной работы Осипова А.А. могут быть рекомендованы для практической реализации на предприятиях электронной промышленности. занимающихся производством различных микроэлектронных приборов и~или разработкой современно~о высокотехнологического оборудования, в том числе АО «Ангстрем» (г. Москва, Зеленоград), АО «НПП «Радар ммс» (г. Санкт-Петербург), АО «Светлана-Электронприбор» (г. СанктПетербург), ПАО «Микрон» (г.
Москва, Зеленоград), АО «НИИМЭ» (г. Москва, Зеленоград). АО «ПКК Миландр» (г, Москва, Зеленоград). АО «НИИМА «Прогресс» (г. Москва), АО НИИ «Гириконд» (г. Санкт-Петербург), ФГУП ЭЗАН (г. Черноголовка), ОАО «Авангард» (г. Санкт-Петербург). Кроме того. полученные результаты представляют интерес для использования в НИИ и университетах, занимающихся исследованиями процессов взаимодействия плазмы с поверхностью материалов и разработкой приборов микроэлектроники и микросистемой техники, в частности в НИЯУ МИФИ, Научно-образовательном центре по фундаментальным проблемам приложений физики низкотемпературной плазмы, Институте общей физики им. А.М.
Прохорова РАН. Национальном исследовательском университете МИЭТ, Томском политехническом университете. Институте радиотехники и электроники нм. В.А. Котельникова РАН, Институте физики микроструктур РАН, Томском государственном университете систем управления и радиоэлектроники, Удмуртском государственном университете, Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете, Московском физико-техническом институте. Ивановском химико- технологическом университете, Физико-технологическом институте им. К.А. Валиева РАН и Оформление диссертации, публикацци и апробации Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы.
Работа изложена на 146 страницах машинописного текста. содержит 95 рисунков и 37 таблиц. Список литературы включает 173 наименования. Работа написана ясным, доступным для понимания языком. Диссертация оформлена в соответствии с требованиями ВАК РФ. Материалы диссертации опубликованы в 4 работах в журналах, входящих в перечень ВАК и наукометрические базы данных Бсорцз ' %об. Основные результаты диссертации докладывались автором на международных и всероссийских конференциях и семинарах. Вопросы н замечании По диссертационной работе имеются следующие вопросы и замечания 1. Автор делает выводы о физико-химических закономерностях только исходя из результатов анализа микрофотографий. полученных методом растровой электронной микроскопии.
при этом не применялись никакие методы «ш з1гц» анализа реакционной среды во время процесса плазмохимнческого травления. 2. В работе отсутствуют данные о температуре образцов во время процесса плазмохимического травления. 3. Применение контроля глубины областей травления с помощью электронной микроскопии позволяет говорить только об оценке значений данной характеристики. Не вполне понятно, почему не использовались другие методы измерения, например, про филометрия. Перечисленные замечания не снижают обшей высокой оценки работы.
выполненной на высоком научном и методическом уровне. Заключение Диссертационная работа Осипова Артема Арменаковича «Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности» является самостоятельной завершенной научно-квалификационной работой, в которой изложены научно обоснованные и экспериментально подтвержденные результаты и выводы. Полученные результаты обладают научной новизной и практической ценностью. их достоверность не вызывает сомнений. Автореферат и опубликованные работы автора отражают ее основное содержание. Содержание диссертации соответствует п. 1-4 паспорта специальности 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»: п.1.
Разработка и исследование физико-технологических и физико-химических принципов создания новых н совершенствования традиционных материалов и приборов электронной техники, включая полупроводники, диэлектрики, металлы, технологические среды и приборы микроэлектроники и функциональной электроники. п.2. Разработка и исследование конструкционных основ создания и методов совершенствования оборудования для производства материалов и приборов по п. 1.
п.3. Разработка и исследование технологических основ создания и методов совершенствования материалов и приборов по п. 1. п.4, Разработка и исследование физико-технологических и физико-химических моделей новых материалов и приборов по п.1, технологических процессов их изготовления, а также моделей проектирования соответствующего технологического оборудования. Отрасль наук: технические науки.
Заведующий лабораторией Диагностики материалов и структур твердотельной электроники д,ф,-м.н. Брунков Павел Николаевич Ученый секретарь ФТИ им. Иоффе проф., д.ф.-м.н. Я Ц,, И1ергин Андрей Петрович 194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д,2б Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, телефон: (812) 297-2245, факс; 1812) 297-1017, е-ша11: розьера;ша11 1ойе.тц По научному уровню, полученным результатам, содержанию и оформлению диссертационная работа соответствует требованиям, предъявляемым в п.п. 9 — 14 «Положения о присуждении ученых степенейя от 24 сентября 2013 г, № 842 (ред, от 01.10.2018) к диссертациям на соискание ученой степени кандидата наук.
Автор диссертации, Осипов Артем Арменакович, заслуживает присуждения ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников. материалов и приборов электронной техники», Отзыв составлен на основании знакомства с текстом диссертации и авторефератом, и доклада Осипова А.А. на семинаре лаборатории Диагностики материалов и структур твердотельной электроники ФТИ им. А.Ф. Иоффе 21 февраля 2019 года, протокол № 1.
.