Н.С. Зефиров - Химическая энциклопедия, том 5 (1110092), страница 317
Текст из файла (страница 317)
направление [112] в нарассвющем кристапс параллельно направлению [1100] посыожхи (см, К)лзспизллы). Э. особенно леско осусцестююется, если разность параметров обеих решеток не превышает -10%, При ббльших расхождениях сопрягаются лаиб. плотиоупаковаиные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решеток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют т.
наз. дислокации несоответстаы, обычно обрюующие сетку. Плотность дислокаций в сетке тем больше, чем больше разность параметров сопрягающихся решеток. Меши параметр одной из решеток (добавлением примеси), можно управлять кол-вом дислокаций в эпитжсиально нарасгюощем слое. Э. происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состовщей из участков подложка — кристалл, кристалл — маточная среда и подложка — среда, была минимютьной.
У в-в с близкими структурами и параметрами (напр., Ап на А8) образование границы сопряжения энергетически невыгодно, и нарастающий слой имеет в точности струхтуру подложки (псевдоморфизм). С увеличением толщины упруго напряженной псевдоморфной пленки запасенная в ней энергю растет, и при толщинах более критической (для Ап на А8 это ок. 60 нм) нарастает пленка с собсгв. структурой. Помимо структурно-геом. соответствия, сопрюкение данной пары в-в при Э.
зависит от т-ры процесса, степени пересыщения (переохлаждения) кристэллизующесося в-ва в среде, от совершенства подложки, чистоты ее пов-сти и др. условий кристаллизации, Для разных в-в и условий существует т. иаз. эпитжсиальназ т-ра, ниже к-рой нарастает только неориентированнвя пленка. Э. обычно начинается с возникновения на подложке отд. кристалликов, к-рые срастаются (коапесцируют), образуя сплошн)по пленку (зпитжсиальную). На одной и той же подложке возможны разные типы нарастания, напр.
[100](100) Аа[[[1ООД100)ХаС1 и [110](111)Аа[[[110](111)ХаС1, Наблюдалась твхже Э. на подлсскхе, покрытой тонкой пленкой (песк. десятков нм) С, О, Оз и дро что можно обьяснить реальной структурой кристалла подложки, влияющей на промажут. слой. Возможна Э. на аморфной подложке, на к-рой создан кристаллографичесхи симметричный микрорельеф (графоэпитаксия). Эпнтжсиальные пленки выращивают методами жидкостной, газофазной и мол.-пучковой элита«сии (сы. Полупроводнюсовые манырналы), вакуумным напылением и др.
Э. широко используют в микроэлектронике (транзисторы, интегральные схемы, светодиоды и др.), в квантовой электронике (многослойные полупроводниковые гетерострухтуры, инжекц. лазеры), в устройствах интегральной оптики, в вычислит. технике (элементы памяти с цнлиндрич.
магнитными доменами) и т. п, Лима Палач»пи Л,С., Паппро» ИИ,Орисптвромепаакриссалапзапиа, М., 1964; из по, Зпитаисиааааыс плсикп, М., 1971; Со»рсмс»пал ирпсгааимра)им, т. 3, Мо 1980. См. таама иит. при оз. Им»»сник аакррмиок, Плампсиак мыка»окая, Хй»ичымм ы»кдскис из зазооой Раз». Е. и. Гиаарзизоз.
958 484 Э ПИ:/ьЛОРГИДРИН ЭПИХЛОРГИДРЙН (1-хлор-2,3-эпоксипропан, хлорметил- оксиран), мол.и. 92,53; бесцв. дпщкость с резким неприят- ным запахом; т.пл. -57,0'С, т.кип. 116,11'С; з/701,181; зчзв 1,4381; давление пара (кПа) 0,48 (О 'С), 1,73 (20 'С), 60,65 (100 С) 417 (170 С), )з 6 О, 10-за Кл.м. ь7 СВгс? 1, 327 'С, р 4,72 МПа, з/, 0,394 г/сыз; 0 жцдкости 7мПа.с) 1,12 [20 'С), 0,48 (100 'С), пара (мкПа с) 8,24 ~20 'С), 10,68 (100 'С); 7 (мН м) 37,4 (20 'С), 26,4 (100 'С); Ср [ХДхг/(хг К)! жидкости 1,528 (20 'С), 1,867 (100 'С), гюрз 1,013 (20 'С), 1,193 (100 'С); Ь/з' (кДзг/кг) 487,4 (20 'С), 435,0 (100 'С), /Но — 1771 ХДж/моль, ЬН»0 -177,1 ХДХ/моль; коэф.
тепло- проводности [Вт/(м К)) жидкости 0,142 (20 'С), 0,126 (100 'С), пара 0,0107 (20 'С), 0,0164 (100 'С); 8 жидкости 20,8 (21,5 'С); злехтропроводность 3,4.10 6 см/м (25 'С). Хорошо раста. в орг. р-энгелях; р-римосзь в наде (% по массе) 6,55 (20 'С), 10,38 (80 'С); р-римость воды в Э. 1,42 (20 'С), 5,7 (80 'С); об[зазует азеотропную смесь с водой (75% Э. по массе, т.
кип. 88 С), к-рая при 20 'С расслаиваетож верх. водный слой содержит 5,99% Эа нижний — 98,8%. Э. легко присоединяет НС! прн обычной т-ре, образуя 1,3-дихлорпщрин глицерина С!СН7СН(ОН)СНзСЦ в пирвз?в- не или в конц. р-ре СаС11 р-ция протеюит количествгязно и служит дпя определения эпоксидной группы. В присут, небольших кол-в щелочи Э. присоединяет соед. с одним или неся. подвижными атомами Н, образуя хлорпщрины КСН,СН(ОН)СНгС1; при действии )з)Н3 илн аминов дает ~СН7СН(ОН)СНгС3 (К= Н, орг. ос?нож); при деиствии нзбьпха щелочи прн 100 'С медленно превращается в глице- СН йн ин; в присуг.
разбавленных нсорг. к-т образуетсэ Н (ОН)СН(ОЙ)СНгС1. Взаимод, Э. со спиртами приводит к простым эфирам С1СН1СН(ОН)СНзОВ. С карбоновыми кис- лотами в присуг. основных катализаторов (пиридин, амины и др.) или РеС13 Э, образует сложные эфиры, напр, с лишной СН,СООН при 180 'С дает 2-гидрокси-3-хлорнропилацетат; с фенолами в кислой среде при 150 — 160 'С даст фениловые эфиры хлоргиприна, в щелочной — эфиры глицнпола.
Э. вступает в р-цию козщенсации с бисфенолом А, образуя диановме злоксидиыв смолы. При полимеризацни Э., в зави- симости от условий и катализаторов, образуются каучуки. Получиот Э. депп?рохло[зированнем дихлорпщринов гли- церина: 4-5%-ный водныи р-р исходных в-в с Са(ОН), (известковое молоко) нагревают до 100 'С, образующийся Э. быстро выводят из зоны р-цнн во избежание протекания дальнейших процессов и после конденсации и отделения от водного слси перегоняют; чистый продухт содержит более 99,5% Э, Э. получают также эпоксидированием аллилхлорида орг. пщропероксидами, напр.
трвт-бугилп(дропероксидом в при- суг. комплексных соед. Мо при 100 'С. Э.— промежуточный продукт при произ-ве синтетич. гли- церина, эпоксидных смол, ряда ионообменных смол, знихдор- лифзиновых каучуков. Э, легко воспламеняется, раздражает слизистые оболочви дыхат, путей, вызывает дерматиты, поражает почхи и печень. Т.всп. 26?С (в закрытом приборе), 35 'С (в открытом приборе)', т.
самовоспл. 410 'С; температурные пределы вос- пламенения 26-96 'С; КПВ 2,3-49,0%; ПДК в возпухе рабо- чей зоны производственных помещений 1 мг/мз, в воде водо- емов ранитарно-бытового назначения 0,01 мг/л. Мощности по произ-ву Э. -320 тыс. т в год (1990), Ломл Оюнн'Д.А., Пранзнодсзао андзснюаскага ганнсрннв, М., 1974, г.
14, 1Ш-!5; Праман»сан»с ххорорююласкна нрадукз» Снрсназю», нод рал. Л.А. Онана, М., 1978, с. 24-55. ХЬ А ?)мсср. ЭПИХЛОРГИДРЙНОВЫЕ КАУЧУКЙ, гомо- и сополиме- ры эпихлорпщрина. В шюм-сти выпускают гомопопимер зпихлорпщрина об- Шсй ф-ЛЫ т СН7СН(СН1С!)Ота СОПОЛИМЕр ЗПНХЛОртндрниа с зтиленоксидом ф-пы (. СН7СЙ(СНгС!)ОСНгСН70-)„и тер- полимер эпихлорпщрина, этиленохсида и аппилглици- дилового эфира ф-лы ГСНгСН(СН7С!)ОСНзСН705ьСН1— — СН(СН7ОСН?СН = СН,)Π— (см.
Табл.). 959 СОСТАВ И СВОИСТВА ЭПИХПОРГИДРИИОВЫХ КАУЧУКОВ И РЕЗИН ИА ИХ ОСНОВЕ Показатель Гоманолнмср Соналнмср Тарнолнмар Коуоукн СКЭХ? СКЭХ?зС*' скэхг-ст'" Содсрнсднс, % но мюсс ннссюртддюы юнна»хе»с хвора кнслорода ннэсхсюьнь» сот. Пала., зхдгз Тсмнсрсзура он»вас.
,'С Вюкосзь на Муна нрн 100 'С Гсзонранннзсмоазь по азату, зй/(с.пл) 100 зв 17 1390 -29 63 30-34 20-25 24 3-7 1240 -55 68 зг 20-25 23 ?гю -45 40-Во 50-80 Зз-!00 (2-4) 10'с Раз нам Вюхоозь но Мут нрн 100 'С Проз?мста дрн рсазхнс. ннн, МПс Олнхэт. удзннсдна дрн рюрьаа, % Сора»занда»с рознеру, Тюрласзо ю Шору А Энааннаааю, % Тсмнсрлгура хрункаснз, 'С Козф. »арюоаюзякоюн нрн -35 'С Озюмаз. оьзсзоммл днфюрммли носюа сказан но 20% н зсасннс 24 о нрн 100 'С Нсяухзннс н аммн юо. окзакзалуюл (50: 50), % 5Ш?0 70.100 60-100 15-17 17-21 ! 5-17 МШЗ20 Мо 5Ш70 6О-ВО 60-80 80-90 11-15 70-80 28-33 -(40-44) 70-80 ЗШЗ5 -(40 14) 05 о,в 20-25 20-30 в-ю 15-70 'Гсрхнор-н, ю!хзнн-100, днахноя.100, азвхрюма-П Гзрхнор-С, гниюнь 700, дкслрюн-2000, онюромс-С. Гсрхнор.т, »арон.400, нннхрома-С8.
Э.к. синтезируют в р-ре (р-ритгли — ароматич. или алифатич. )тлеводороды, простые эфиры и их смеси с углеводородами) или в массе в присуг, каталитич. систем на основе триалкилалюминия при 30 — 70 'С н давлении 0,2-0,3 МПа в течение 8-12 ч. Стабилизируют Э. к.
Хж неокрэшивэюшими (замешенные фенолы), так и окрашивающими (производные вторичных ароматич. аминов) энтиохсидантами. Резиновые смеси на основе Э.к. Пповвт на вапьцах (15-17 мнн при 40-50 'С) или в резиносмесителе (7-10 мин при т-ре не выше 100 'С). Дзи вулкэниза(щи Э.к. применяют полнамины и тиосоединения, к-рые в присуг. оксидов металлов реагируют с подвижными атомами хлора, перохснпм и серно-усжорительиые смеси (см. Вулканнзаэыл). Типовая (стандартная) резиновая смесь длэ всех видов Э.к. (в долях по массе): каучук — 100; стеариновая'к-та — 1,0; МВО (жженав магнезия) — 1,0! Ъ?О (цинковые белила) — 3,0-5,0; каптэхс— до 0,8; тиурам — до 1,5; техн. углерод — 50; сера — до 1,0; роднины 8-62 — 2,0.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
