Н.С. Зефиров - Химическая энциклопедия, том 5 (1110092), страница 245
Текст из файла (страница 245)
пов-сти отсеков морских судов, металлич, резервуаров и соорухеиий. От аналогичных А1- и М8-сплавов отличаются пожаро- и взрывобщопасиосгью, при аиодиом распюреиии ие выделюст Нт, незначительно изменяют РН окружающей сризы. Имеют стационарный отрицат. потеицииг 800 — 820 МВ, рабочий — 730 — 750 МВ, фжтич, токоотдачу 740 — 780 а чгкг и уд. Расход 11,2 — 11,8 кг/(А г). Недостатки Ц. сс невысокая стойкость против коррозии (особенно во ишзсиой атмосфере и при нагревании), к-рую повышают нанесением металлич. (Сг, Х1, Сс0 и лвхокрасочиых покрытий, а тисже изменение мех, св-в и размеров в результате естественного старения. Полуфабрикаты и изделия из Ц.
с. подвергает разл, видам термич. обработки. Гомогеиизациоииый отхиг литых Ц.с. проводят при 320-340 'С, рекристылизациоииый 0цш повышения пластичности и уменьшение аиизотропии мех. св-в)— при - 200 'С. Для стабилизации размеров отдельные Ц, с. подвергают закалке от 360 'С и старению в течение 3 — 10 ч при 60-100 'С, Ллес: М е л ь в с л М. В., Меиилолрефв» вромьюмсввмх ил ствах мстимел а салолов, 2 атл., Мо!970; Келии ВА., Лмбвввстивял., Цижолм» амелм, М., 1986. А.М.З ч ЦЙНКА СУЛЬФАТ ЕпЗОс, бесцв.
кристаллы ромбич. сиигоиии (а = 0,6731 им, Ь = 0,8581 им, с = 0,4760 им, 2 = 4, пространств. группа Рива); плоти. 3,54 г/см', Со 99 14 Дзк/(моль К); ЫХ,"6 — 982 01 КДж/мос18 Бмсл 110,62 Дзг/(моль К); при иир. до 600 — 800 'С разлагается до ЗОз и оксосульфатов, выше 930 'С образуетсв ЕпО. Раств.
в воде и глицерине. Р-римость в воде растет почти линейно с 753 ЦИНКА 381 Полльлтель твз Увэе хате Бесиа. Жслввз Кзбалл Гсхсл- Крбвз.е Гслее- Красный Кзбвл. Гслсл- Плрлмелрм рима~В, вм: и с т,'с 0,5656 8,8996 0,6626 !575 (в,езз Мпл) 0,6685 1Зез' <о,оги Мцл) 5,72 49,7 Е,ьэза 0,7690 0,38слз 0,62618 1820 (0,37 Мцл) 1185 4,08 1178 4,89 45,5 149,8 мюз Ю.7 0,026 т,с Плоти., тгсмт С', Дв/(моль К) ай „лцаалсль Аде Хцвзм Яств, Двг(моль К) теиаюрол мысом, Втг(см К) Котф. ареммлмси Шарив» ллврсисввей соим, лВ Эффсхтвлльи мессе: ллехтрсюв Хмрж Пммивиоетс, смтт(В с): ллслтроиол хирел 5,42 за 265,3 -192 -1!9,2 92 638 -164 86 0,19 2,З7 9,7 Абб 2,7 2,97 2,24 1,8 Е,!7 О,б 6,27 0,58 0,6 140 530 28 340 ыо ' Т.рл воиьмр(мото исрсхолл 1175 тй ЬЯ верстове 1,15 «Длиьмль. С т-ре Волвморфлото перехода 1145 'С, АЫ лерсхохл 8,96 лдмзсоль.
'ЬЙ 65 «длимоль. Модификации, существующие при атм. давлении,— широкозоииые полупроводники. У иих наблюдается пьезозлектрич. эффект. Модификации высокого давления обладают метиглич. проводимостью. Ц. х, обладают высокой чувсгвительиостью к электромаги. волнам, вплоть до самых коротких. Этим обусловлены оси. области их применении — кж люминофоров, сциитилляторов, материалов ИК оптики и т.п. 754 т-рой ог 27,6% по массе при — 7 'С до 41,4% при 39 'С. В этом интервале т-р кристаллизуетос гептаощрат ЕпБОс 7Н2О (цинковый купорос) с ромбич.
решеткой. При 39-70 'С кристаллизуется гексагидрат, р-римосгь Ц. с. При этом 47,7% (70 'С), Выше 70 'С образуется моиопсдрат, рримосгь Ц. с. падает до 44% (105 'С). Моиогидрат обезвоживается при 238 'С. Известны также нестабильные тетра-, ди- и гептагидраты (мопоклиииой сингоиии). Описаны основные сульфаты Ул, напр. ЗУл(ОН)2 ЕпЗОс х х 4Н20, а также кислый Ц. с.
ЕпЗОс.Й2ЗОс, кристаллизующийся из 95%-иого р-ра НзЗОс. Известны также двойные сульфаты: ХвзЗОс УлБОс 4НзО, К~ЗОс ЕпЗОл 6Н2О и др. Ц. с. получают из вторйчного сйрья и из руд при обработке Н1БОс. Образующийсв р-р применяют в произ-ве вискозы, квк мшгроудобреиие и добавку к кормам, компонент электролита при получении Еп электролизом и при цииковаиии, как флотореагент, компоиеит глазных капель, для пропитки древесины, отбеливания бумии.
Лом.: П е л и и М. В., тсхиелмвл мииерлльвмх солей, 4 ита, л, 1, Л„197с, с. 714-28. В. П. Делллол. ЦИНКА СУЛЬФЙД, см. Цинка лалькагенидм. ЦЙНКА ХАЛЬКОГКНЙДЫ, саед. Еп с халысогеиами (табл.). При атм. давлении существуют в виде двух модификаций — стабильной кубической со структурой типа сфалерита (просьраиств. группа Р43и, 2 = 4) и метасгабильиой гексагоиальиой типа вюрцита (пространств. группа Рбзис, 2= 2).
Возможно получение кристаллов со структурами, включаю- шими кубич. (трехслойиые) и гексапзи. (двухслойные) упакожи. Особенно много политипиых модификаций (до 150) известно у ЕпЗ. При высоких давлениях все Ц. х. переходят в др. кубич. модификации со структурой типа ХаС1 (по др. данным, типа СзС1). Все Ц. х. Могут иметь отклонения от стехиометрии, испаряются коигруоитио с диссоциацией в парах иа хомпоиеиты. СВОйктВА ХАДЬКОГВЦВДОВ ЦИВКА ж цинкл Для сульфида ЕпЯ ур-ния температурной зависимости давления пира: для сфалерита 18р (мм рт. ст.) = 10,571- — 13846/Т (1095 — 1435К); длн вюРпита 18Р (мм Рт.
ст,) = = 9,842 — 13026/Т(1482 — 1733 К), ПеРеход в КУбич, физУ 1П (а=0,499 нм при 18 ГПа) наблюдается при давлении 16,4 ГПа, обратный переход — при 10 — 11 ГПа. ЕпЯ в виде белого аморфного осадки (легхо дающего коллоидные р-ры) образуется при действии Н78 или (ХН4)78 на нейтральные р-ры солей цинка. Свежеосажденнмй Епб хорошо раста. в сильных минеральных к-тах, но не раста. в уксусной к-те, р-рах щелочей, ХН,, сульфидов щелочных металлов, При стоянии осадок постепенно кристаллизуется, что ведет к уменьшению р-римости в к-тах. Р-римость ЕпЯ (в форме сфитерита) в воде -6 10 % по массе. Во влажном воздухе и в виде водной суспензии медленно окисляется до ЕпЯО4. В орг.
р-рителях не раста. Т-ра носил. на возвухе 755 'С. Получают ЕпЗ из Еп и Я в режиме самораспространяюще1ося высокотемпературного синтеза. Используют тюске пщротермальный метод: ЗЕпО+ 48+ 2ХНз+ Н7Π— 3ЕпЗ+ -«(хне)7ЯО4, осюкдение из водных р-ров — из щелочных действием тиомочевины или из слабокислых (рН 2-3) действием Н7З. Монокристаллы выращивают из расплава методом направленной кристаллизации под давлением Аг, из р.ра в расплаве, напр. РЬС)7, осаждением из газовой фазы — в результате возгонки, взаимод.
паров компонентов или транспортными р-циямн с 17 или ХН4С1 в качестве носителя, щдротермальным методом — из р-ра Н,РО или КОН. Пленки сульфида выращивают обычно напылением. ЕпЗ вЂ” люминофор для вкранов электронно-лучевых и рентгеновских трубок, сцинтилуиторов и т. п., полупроводниковый материал, компонент белого пигмента (см.
Люновон). Прир. минералы сфалерит и щорцит (вюртцит) — сырье для извлечения Ул. Д и с у л ь ф и д УлЗ7 — кристаллы с кубич, структурой тица пирита (а= 0,59542 нм, 8=4, пространств. группа Ра3); плоти. 5,56 г/смз, получают взаимод. с ЕпБ и 3 при давлении 6,5 ГПи и 400-600 'С. Для с ел е н и д а ЕпЗе (кубич. Модификация) ур-ние температурной зависимости давления пара; 1Зр (мм рт,ст.)= =9,436 — 12140/Т (952 — 1209К). При давлении 13,5 ГПа переходит в к)бич. Металлич. модификацию (а = 0,511 нм).
ЕпЯе м.б. освящен из р-ра в виде лимонно-желтого, плохо фильтрующегося осадка, Влажный ЕпЗе очень чувствителен к действию возвуха, Высушенный или полученный сухим пугем устойчив на воздухе, окисление его с улетучиванием ЗеО7 начинается при 300-350 'С. Разлагается разб. к-тами с вьщелением Н7Зе.
Получают ЕпЗе взаимод. Еп с Яе, ЕпЯ с Н1ЗеОз с послед. прокаливанием при 600-800 'С, при нщр. Епб с ЯеО1 или смеси ЕпО, ЕпЗ с Яе (2ЕпО+ ЕпЗ + 3 Зев — ЗЕпбе 4. ЗО1). Предложен таске метод нагревания смеси ЕпО с Зе и щавелевой к-той. Монокристаллы селенида вырщцивают направленной кристаллизацией расплава под давлением, освящением из газовой фазы — возгонкой, взаимод. паров компонентов или транспортными р-циями. Пленки получают из газовой фазы. ЕпЯе — лазерный материал, компонент люминофоров. В природе — минерал штиллеит.
Д и селе н ил ЕпЯез со структурой типа пирита (и =0,62930 нм) получен из простых а-в под дажснием 6,5 ГПа при 1000-1300 'С. Теллурид ЕпТе в зависимости от способа получещщ— серый порошок„краснеющий при растирании, или красные исталлы. Гексагон, ыодифихация при всех т-рих метастаильна, м. б.
получена только из газовой фазы; ур-ние температурной зависимости давления пара для кубич. модификации: 18р (мм рт, сг.) = 9,718 — 11513/Т (918 — 1095К). Под давлением 8,5 — 9 ГПа превращается в кубич, фазу Ш, к-рая при 12-13,5 ГПа переходит в гексагон. Металлич. Модификацию 1У со структурой типа 8-Зп. Устойчив на воздухе. Порошкообразный разрушается водой. В орг.
р-ритеаях не раста., минеральными к-тами разлагается с вьщслением Н7Те. Синтезируют ЕпТе либо сплааченисм компонентов в инертной атмосфере, либо при негр. смеси ЕпО с Те и щавелевой к-той. Мойокристаллы выращивают направленной кристал- 755 лизацией расплава или вьпягиванием по Чохрааьскому. Используют тахже осюкдение из газовой фюы — путем возгонки, юаимод. паров компонентов или транспортными р-цивми. Пленки получают из газовой фазы. ЕпТе — материал для фоторшисторов, приемников ИК излучения, дозиметров и счетчиков рндиоизлучения, люминофор, полупроводниковый материал, в т. ч, в лазерах. Лата Палунралолннхаомс холохогеаалм н силлам но нх ослолс, м., 1975; моралалан.к., кулненолВ.А., срам)лм нлнгл.
полукннс н оюнсе. слас славслва, М., 1987. П. И. Редорое. ЦЙНКА ХЛОРЙД ЕпС17, бесцва очень гигроскопичные кристаллы; известен в 3 модификациях: и — тетрагон. сингцнии (а = 0,540 нм, с= 1,035 нм, 8 =4, пространств. группа /42е/), — монохлинной сингонии (а= 0,654 нм, Ь = 1,131 нм, с = 1,233 нм, [) = 90', х = 12, пространств. группа Р21/и) и 7— тетрагон, сингонии (а= 0,370 нм, с= 1,067 нм, г= 2, пространств.
группа Р47/нтс); т. пл. 283 'С т. кип. 732 'С; плоти. 2,91 г/смз; Сро 71,38 Дж/(моль К); /гН,гр -415,33 кДж/моль, ЬН~„23,03 кДж/моль; Бзоол 111,54 Дж/(моль К). Хорошо раста. в воде (432 г в 100 г воды при 25 'С и 614 г при 100 'С), ржтв. в зфиое, зтаноле, глицерине, ацетоне. Благодаря пщро. лизу водныи р-р Ц.х. имеет кислую р-июю, при частичной нейтрализации обршуюття основные хлориды: Еп(ОН)С!, Епз(ОН),С!7 2НзО и др. Известны: 5 кристаллопщрагов ЕВСЧ.нйзО, где и = 4, 3, 2,5, 1,5, 1; комплексные хлориды М[ЕпС17), Мз[ЕпС4), Мс[ЕпС)4), где М = ХН4, К„Ха, Сз; аммиакаты [Еп(ХНз)4)С11.Н7О, [Еп(ХНз)о)С17 и др. В прои-сти Ц.х. цолучюот действием соляной к-ты на вторичное сырье или обохскенную руду. Получают Ц. х, тжже А- п и нагр.
до 420 'С гранулированного металлич. Еп в токе , действием С17 на нагретые до 700 'С ЕпО, ЕпЗ, р-цией Еп с НС1. Очищают Ц. х. сублимацией при 600 — 700 'С в токе С17. Ц.х. применяют киг антисептик для древесины, при ИЗГОТОВЛЕНИИ ПЕРГаМЕНтть Ювс ОЧИСТКИ МстВШОВ ПЕРЕД Пайкой, клх компонент алехтролита для глльванич.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
