И.Л. Кнунянц - Химическая энциклопедия, том 3 (1110089), страница 88
Текст из файла (страница 88)
Рибосбладвн). М.-глнкопротеин, в углеводную часть к-рого входят остатки следовой к-ты я гексозаминов. Молекула фермента состоит нз двух субьеднниц (мол. масса каждой ок. 60 тыс.), на одной из к-рых находится активный центр, солержащнй ФАД. В состав активного центра входят также остатки гнсгнднпа н по крайней мере 2 нз 7-8 принадлежащих ферменту групп БН, к-рые необходимы для проявления каталнтич.
активности. Величина РН, при к-рой проявляется макс. каталнтнч. активность, зависит от источника фермента н находится в области 7,5-9,0; р( 4,7-5,3, Известны первичные структуры нек-рых М. и созданы гнпотетнч. модели строения их активного центра. Два осн. нэофермента М.(А н Б) разлячаются по аминокислотному составу, мол. массе субьедишщ (примерно на 3 тыс.), чувствительности к ингибиторам и по субстратной специфичности. Нанб.
сцецифич. ннгябнтор М.А-Х-342,4- дахлорфенокси)пропгьч-Н-метил-2-пропиниламзш (хлоргнлин); М.Б избирательно ингнбируется 1Ч-(1-метил-2-фенилэтил)- !«1-метил-2-пропиннламнном (депренилом). Эти ингибиторы необратимо юишируют ФАД. Специфичность обоих ингнбнторов прояатяется только в нюких концентрациях. Существуют также ингибиторы др. строения и механизма действия, напр.
производные гидразина (см. Алвшделрессавясы). Спецнфич. субстраты М. А-серотонни н норадреиалии, М. Б — 2-фенилэтнламни и бензилвмин. Обе формы М. одинаково хорошо окислшот тнрамин ь2-(4-пудроксифенил)- эх на амин!. М, содержится гл. обр. в печени, почках, мозге, тромбоцитах я плаценте млекопитающих, в печени и мозге рыб, а также в нек-рых бактериях, напр. в кокках Багсша 1и!еае. Обычно фермент расположен в мембранах митохондрий в комплексе с фосфолнпидами, в нек-рых клетках М. находится в мембранах эндоплазматич. Ретвкулума и в цито- плазме. Счнтаетск что М. защищает органюмы от воздействий бногениьсх аминов путем их яншггивацви и регулирует содержание серотоннна и иорадреналнна в нервной ткани. Мн. продукты р-пий.
катализируемых М., также обладают биол. аативностью и способны оказывать специ нч. воздействие на обмен в-в. ктивность М. чаще всего опредешпот с помощью аминов, меченных '4С, аналюируя образование меченых альдегндов, избирательно экстрагяруемых иск-рыми орг. р-рителями; применяют также методы, основанные на определен " НгОг. В иром-сти уцьмобнлизовалные М. используют в тирамин-чувствнт. электродах, предназначенных для контроля свежести мяса. Л»пк Горквв В. 3., Амннапканпм в вк гвамнне е меввмпм, М., 1931; маваап»м о«снам. Ваап апд ыпва1 упспдесь ед ьу к, кат8о, к нмсп, т. невка», аппо-Окг-рппсссоп 1ых ав»пам мм ыасяпв агам!па оаеьмса, сд.
Ьу В. Мопдап, Усопда, 19ЗХ В.Л. Пе «ске. МОНОГЛЙМ« см. Глины. МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫРАЩИВАНИЕ, проводят раэл. методами, обеспечиваняцими получение индивидуальных кристаллов заданного размера, формы и дефектности. Прн М. в. заранее полученные мелкие крисгаллы (затравку) помещают в пересьпц. среду (пар, р-р, расплав, твердое в.во) и выдерскнвают там до укрупнения затравки. Пересыщение и т-ру среды Аоддержнвают такимн, чтобы затравка росла со скоростью 10 ' — 1О ' мм/с без спонтанного образованна центров кристаллюацин с сохранением морфологич. устойчивости (см. Кристаллизация).
Монокристаллнчнесгь вы- 254 132 МОНОКРИСТАЛЛОВ росших кристаллов проверяют методом рентгеноструктурного анализа. Иногда в качестве затравки используют кристаллы, образовавшиеся в пересыщ. среде в начале выдержки (самозатравка). Из пара проводят М. в, в-в, летучих илн образующих летучие соед, при т-ре кристаллизации, а также продуктов их взаимод. или термич.
разложения, нз р-ра-хорошо растворимых в-в и продуктов их взаимод., из расплава-конгруэнтно плаввцихся в-в, из твердой фаэытугоплавкях и корроэиоиноактивных в-в, Вырашиванве из вара. Исходное поликристаллич. или аморфное в-во помещают в источник пара (пнтатель) и нагревают до испарення. Пары в-ва из источника лиффуидируют или переносятся с потоком газа-носителя в зону, где находитса затравка, охлажденная относительно источника (метод лесу™бли маци и). В качестве источника используют также в-ва, при разложении к-рых на затравке образуется кристаллизующееся в-во.
Затравку при этом нагревают до т-ры, прв к-рой разложение исходного в-ва происходит с достаточной скоростью (метод ван Аркела и де Бура). Иногда в пар вводат реагеяты, к-рые вэаимод. на пов-стн затравки с образованяем кристаллизующегося в-ва (метод хим. кристаллизации, см. Химическое осалсделие иэ газовой фпэы). Если в-во является нелетучим, ио образует летучие термически неустойчивые соед. с к.-л.
другим в-вом (транспортирующим реагентом), то М.в, проводят методом хим. транспорта. При этом источник и затравку помещают в пары транспортирующего реагента, а затравку нагревают относительно источника; в результате в источнике образуется летучее саед., к-рос переносится к затравке, где разлагается с регенерацией транспортирующего реагента (см. Хциические транспортные реакции). Монокристаллич. пленки (нацр., Ое) получают конденсацией мол. пучков на поа-сти затравки (метод Векшинского). Нитевидные кристаллы (чусыь) выращивают т. наэ. ПЖК-методом. При этом на пов-сть затравочного кристалла перед его коитахтом с паром (П) наносят капли пидкостн (Ж), хорошо растворяющей крнсталлюующееся в-во и не растекающейся по кристаллу (К). Каждая капля поглощает в-во из пара, становится пересыщенной и обеспечивает рост той части кристалла, к-рая смочена ею; если рост из капли идет быстрее, чем из пара, то под каплей вырастает нитевидный кристалл, сечение к-рого близко к диаьытру капли.
ПЖК-методом получают, напр., кристаллы Я. Ое (р-ритель-расплав Ап) и бйС (р-ритель-расплав А!) размером ! х 200 мкм; методом хим. транспорта-соед. типа АжВ" размером до 5 см (транспортирующие реагенты-1, С!э, летучие хлориды); методом хим.
кристаллизации-81С и Т)Вгэ размером до 0,5 см с малым кол-вом дефектов; методом ваи Аркела н де Бура-кристаллы особо чистых тугоплавких металлов (Сд, Хп, Со); методом десублимапии-металлов (%ь, Та, 1Щ неорг. солей (ЫГ, Мйрэ, СпС1э) и орг. в-в (антрацена н уротропяна) разного размера. Выращивание из расплава. Контейнер с расгиавом и затравкой охлаждают так, чтобы затравка все~да бьша холоднее расплава, но переохлаждение на ее пов-сги было невелико и затравка росла без депдрнтообразования или появления «параэитныхв кристаллов.
Этого достигают разными способами: меняя т-ру нагревателя (метод Стронга-Штебера), перемещая нагреватель относительно контейнера (метод Бриджмена — Стокбаргера), размещая затравку иа неподвнжном охлаждаемом стержне (метод Наккена), вытягивая затравку из расплава по мере роста кристалла без вращения (метод Киропулоса) илн с вращением (метод Чохральского). Затравке илн щели, из к-рой вытягнвают кристалл, иногда придают спец, форму, выращивая кристаллы разного профиля (метод Степанова). Особенно широко распространен метод Чохральского, при к-ром затравку закрепляют на охлаждаемом стержне, опускают в расплав, а затем вытягивают из расплава при непрерывном вращении стержня.
Метод используют для иром. получения металлич. и полупроводниковых кристаллов размером 1 — 50 см с регулированием их качества (дефектности) путем изменения скоростей вращения н вытя- 255 гивания затравки. Иногда, не вводя затравки, контейнер локально охлаждают, напр. потоком воздуха, добиваясь образования самозатравки на наиб.
холодном месте и ее направленного роста (метод Обреимова — Шубникова). Пря получении сверхчистых монокристаллов затравку вытягивают иэ расплавленной части слитка кристаллизующегося в-ва, а нерасплавленная часть слитка играет роль контейнера (бестигельный метод). В методе зонной плавки контейнер нагревают так, что формируется узкая зона расплава у пов-сти затравки. В широко распространенном методе Вернейля порошок кристаллизующегося в-ва высьшают из бункера на цов-сть затравки, помещенной под пламенем горелки или газового разряда; проходя через пламя, частицы порошка плавятся и в виде капель достигают пов-сти затравки, где закристаллиэовываются.
Методы Стронга-Штебера и Наккена чаще всего используют лля выращивания крупногабаритных кристаллов легкоплавких орг. в-в (нафталина размером 20-50 см, бифталата калия размером 1 — 20 см); методы Бридпмена-Стокбаргера и Киропулоса -кристаллов иеорг, солей (ХаС! и КС! размером 20 — 90см); методы Чохральского н зонной плавки — кристаллов металлов н полупроводяиков (Ое, Зь ОдАэ, 2пдэ размером 1-50 см); метод Степанова — металлич.
кристаллов сложной формы (труб из А! и лопаток турбин размером до 1 м); метод Всрнейля-тугоплавких оксидов н солей, легированных примесями (корунда и рубина в виде стержней длиной до 3 м). Выраппеание из жадного раствора, Методы применают лэя в-в, хорошо р-римых прн т-ре выращивания. Затравку закрепляют на неподвижном или вращающемся кристаллоносце и помещают в насыщ. р-р, после чего р-р охлаждают, испаряют р-ритель или добавляют высаливающий агент (см.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
