И.Л. Кнунянц - Химическая энциклопедия, том 3 (1110089), страница 224
Текст из файла (страница 224)
деталей с целью получения пов-сти с ивзким коэф. отражения света н высоким коэф. теплового излучения. Химическое О. черных металлов проводят в кислотных или щелочных составах при 30 — 100'С. Обычно используют смеси соляной, азотной или ортофосфорной к-т с добавками соед. Мп„ Са()ч!Ох)8 и др. Щелочное О. проводят в р-ре щелочи с добавками окислителей при 30-180'С. Оксидные пленхи на лов-сти черных металлов получают также в расплавах, состоящих из щелочи, )ч)аЫОз и )ч!а)ч(О„МпОх нрн 250- 300'С.
После О. изделия промывают, сушат и иногда полвергают обработке в окислителях (К1Сг,07) нли промасливаюг. Химическое О. применшот для обработки нек-рых цветных металлов. Наиб. широко распространено химическое О. иэделий из магния н его сплавов в р-рах на основе К,Сг,О,. Медные или медневвые изделия окисляют в составах, содержащих )ч!аОН и К888Ов. Иногда химическое О. используют лля О.
алюминия й сплавов на его основе (дуралюминов). В состав р-ра входят Н,РО4, СЮ, и фториды. Однако по качеству оксидные пленки, полученные химическим О., уступают пленкам, нанесенным методом анодирования. Электрохимическое О., вли анодное О. (анодирование; см. Элкктролимичеенал обработка металлов), деталей проводят в жидких (жидкостное О.), реже в твердых злектро- 695 литах.
Пов-сть окисляемого материала имеет положит. потенциал. Жидкостное О. в водных и неводвых р-рах электролита применяют для получения защитных, декоративных покрытий и диэлектрич. слоев иа пов-стн металлов, сплавов н полупроводниковых материалов при изготовлении приборов со структурами металл-диэлектрик †полупроводник и СВЧ интегральных схем, оксидных конденсаторов, коммутац. плат ва основе алюминия и др. Наиб.
широко анодное О. используют для нанесения оксцлньгх слоев на конструкция из А1 и его сплавов. При этом получают защитные (толщиной 0,3 — 15 мкм), износостойкие и элсктроизоляционные (2 — 300 мкм), цветные и эматаль-покрытия (эмалеподобные), а также тонкослойные (0,1-0,4 мкм) оксидные пленхи. Для образования толстых оксидных слоев применяют в оси. р-ры Нх304 и СгОх. Тонкие оксидные пленки получают в р-рах на основе НхРО4 и Н,ВО,.
Цветное анодирование проводят в р-рах, содержащих орг. к-ты (щавелевую, малеиновую, сульфосалнцнловую и др.). Зматаль-покрытня получают в электролитах, содержащих„ как правило, СгОз. Анодирование магния й его сплавов осуществляют в р-рах, содержащих НаОН, фториды, хроматы металлов.
Анодное О. стали проводят в р-рах щелочи или СгОэ. Методы анолного О. получают распространение в полупроводниковой технологии, особевио для получения оксидных слоев на полупроводниках тапа АИВ, АнВ" и т. п. Плазменное О. проводят в кислородсодержащей низкотсмпературной плазме, образуемой с помощью разрядов постоянного тока, ВЧ и СВЧ разрядов. Таким способом получают оксидные слои иа пов-сти кремния, полупроводниковых соед.
типа А"'В" при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем, при создании туниельных переходов на основе пленок 74Ь и РЬ в криоэлектронных интегральных схемах, а также для повышения састочувствительности серебряно-цезиевых фотокатодов. Разновидность плазменного О.-яонно-плазменное О., проводюсое в высокотемпературной кислородсодержащей плазме СВЧ или дугового разряда в вакууме (ок. 1 Па) и т-ре обрабатываемой пов-сти не выше 430 'С. Пря таком способе О. ионы плазмы достигают пов-сти изделия с энергиями, достаточными для их проникновения в поверхностный слой и частичного его распыления.
Качество оксидных пленок, полученных этим методом, сравнимо с качеством пленок, выращенных при термическом О., а по нек-рым параметрам превосхолнт нх. Лхм Дововсн Р..П., Смит А..М., Барра Б.-м., Основы технологии кремнвсхю ввтсгрвлънхы смм. Окиптанйс, днзфугпя-тпвтвхсия, пср. с англ., м., 19691 .1в й н с р В. и., эюпвтвыо покрытия метаялов, м, !974; тсюгологяя таймы планок. Спрввочнвх, пср. с юпл, т. 1-7, М., 1977; Справачввк по ымкгрохвмнв, пол рсд. Л. М. С)хатам, Л., 1981, Ю. и. Нслвсс. ОКСИДИФЕНИЛАМИНЫ (гидроксидифеняламины), мол. м.
185,22. Различают 2-, 3- н 4-Н. Все Н.— бесцв. кристаллы (см. табл.); хорошо раста. в этаноле, лиэтиловом эфире, ацетоне, пэохо-в воде. уйн-4~~~ Н О. обладают св-вами финплан и вторичных ароматич. асгиггон. При обработке СОх при повьгш. т-ре О, карбоксилнруются в положение, соседнее с группой ОН. При вэанмод. с ухсусным ангидридом ацетилируются по аминогруппе, с бензоилхлоридом в пирндине бензоилируются по гндроксигруппе. В пролг-сти находят применение 3- и 4-О. Первые получают нагреванием 3-аминофенола с гвдрохлоридом анилина прн 210 — 215'С, вторые — конденсацией 4-аминофенола с анилином при ! 70-200'С в присут.
)ч!Н4С!. Др. способы синтеза Ол 2-О. получают нагреванием пнрокатехнна с анилином при 180'С в присут. СаС1, в атмосфере СО, или нагреванием 2-аминофенола с бромбензолом в присут. СП1; З-О.-нагреванием резорцина с аннлином в сиойствл гидроксидиФкннльминов сое е т, с т.авн., 'С р, Кл.м (батога 20'С) 69-70 В! 73 160-139гчб мм рт,ег. 340 330 ъо. 3-О.
4-О. Гам. 10™ 6,54 10" ао присут. СаС!„. 4-0.— взавмод. гидрохинона с аиилином при 240 С в присут. сульфаниловой к-ты или при 180 — 186'С в присут. ЕлС1„а также нагреванием бромбензола с 4-аминофенолом в присут. соединений Сп. 5-0.-исходное сырье в произ-ве азо- н оксазиновых красителей. 4-0.— антиоксидант для бензина и трансформаторного масла, т.всп. 192'С; ПДК 0,5 мг'м'. н.ж лрти, е. ОКСИДОРЕДУКТВЗЫ, класс ферментов.
катализирующих обратимые окислит.-восстановит. р-пии. в к-рых происходит перенос восстановит. эквивалентов (двух атомов Н, двух электронов нли гндрцц-иона Н ) от восстановителя (специфич. субстрат р-ции) к окислителю (относительно неспецифич. субстрат), напр.: АНВ+ ВВВА+ ВНВ 697 28 химическая анц., т. 3 АН — восстановнтель,  — окислитель Подклассы О, (нх 17) сформированы по типу окисляемого в-ва (восстановителя), подподклассы — по типу окислителя (акцептора восстановит. Эквивалента). О. всех подподклассов, для к-рых акцептором слуящт ие 0„ а любое др. саед., иаз.
дегидрогеназами, или релуктазами, если акцептор О,-оксидазами. В тех случаю!, когда атом 0 включается в состав субстрата, ферменты наз. оксигеназами (при включении в молекулу одного атома О монооксигеназами, двух атомов О-диокснгеназами), если атом 0 включается в виде группы ОН вЂ” гидроксилазами. К О. относится большая группа ферментов (ок. а)ойа от общего их числа). Многие О. (ок.
1 0 ферментов) в качестве акцепторов используют никотвнамнзные коферменты (см. Ниачин) — ннкотннамиляденивгтвнух жотид (НАД) и никотинамндадениндииуклеотидфосфат (НЛЛФ). Эти дегилрогеназы (налро аяьдегиддегидраггназа, миапатдегидрагенгаза) выполняют важные ф-ции, участвуя в гликализе, дыхании, брожении, а таняге на начальном этапе окислит. распада аминокислот при деградапнн бетков.
Нек-рые дегидрогеиазы аминокислот (напр., глутамани)ггидрагеназа) могут катализировать синтез аминокислот. )частвуя в ассимиляции ХНВ микроорганизмами и растевничи. Считается, ч го восстановит. эквиваленты от восстановленного НАД (т.е. от НАДН) переносигся в клетке на 02 через дыхат. цепь переноса электронов (см. Окиглилтг гьнае фагфорилирабание), где сноб.
энергия этих эквивалентов расходуется для запасания энергии в виде макроэргнч. связи АТФ; восстановит. эквиваленты НАДФН расхо "уются для биосинтетич. целей. Ряд дегндрогеназ в качестве ахпептора содержит химически прочно связанный с ферментом флавинмононуклеотид нли флавинадениц~инуклеотиз (соотв.
ФМН и ФАД; см. Рибафланин). В таких флавопротеизах ФМН или ФАД восстанавливаются в результате оююления НАДН или НАДФН, а затем передают восстановит, эквиваленты др. компонентам цепи переноса электронов при дыхании, напр. цитохромам или непосредственно на Ол. Др, продунт р-ций, катализируемых флавопротеиднььчи О.,— Н203. Ферменты, использующие Н,Оа в качестве апгепторов восстановит. эквивалентов (напр., хаталаза), наз. перо ьс идазами. (См. также Глутатионредухтаза, Лилаиггггеггазы, Манафена.гманаакгиггназм, Йигнратредухтазы, Риоануклеазид-дифогфат-ргдуктазы, Сухчинангдггпдрагенггза, Сунералгиддигмутазы, Тгтрагидрофолатдегидраггназа, Транггидраггназа, 1(гггнахра.гг-г-анния)аза.) Г!омо Дв «го в М., Уэбб Э., Ферменты, вор. е англ., т 2, М., 19В2, гл. 1 в 9; Кретоанн В.Л., Бногнмня рмтемв1, 2 вэл., М., 19ВВ.
З.С. Каган. ОК СИДЫ 353 ОКСЙДЫ, соединении элементов с кислородом. В О. степень окисления атома кислорода — 2. К О. относятся все саед. элементов с кислородом, кроме содержащих атомы О, соединенные друг с другом (пероксиды, надиерохсиды, озониды), и саед. фтора с кислородом (ОР, и др.). Последние следует называть не оксидамн, а фторидами кислорода, т.к. степень окисления кислорода в ннх положительная. При комнатной т-ре большинство О.— твердые в-ва (СаО, РеаОэ и др.), нек-рые-жидкости (НВО, С!20, и др.) и газы (ХО, БО и др.).
Хим. связь в О.— ионная и ионна-ковалентная. Т-рй плавления и кипения О, понижаются с возрастанием в них доли ковалентной связи. Многим О. в твердом состоянви присущ полиморфизм. Нек-рые О. элементов П1, 1У, Ч гр. (напро В, Я, АВ, Р) образуют рентгеноаморфные стекла. Оксиды В- н р-элементов (напр., М80, А1 0„ ЯОВ)-диэлектрики, О. переходных металлов (Ре, Сг и др.) часто обладают св-вами полупроводников. Нек-рые О.— пьезоэлектрвхи (напро кварц), ферромагнетнки [О. Ре, сг(Г(г) и др.з.
Вследствие своей многочисленности, разнообразия св-в и доступности О. представляют исключительно важный нласс неорг. в-в. Большинство О.— солеобразующие; при солеобразовании, протекающем обычно при иагр. (напр., Ха О + ЯОВ— -г Ха,ЯО,), степени окисления элементов ие изменяются. Извесйю йесх. несолеобразующих О. (напр., ХО), не вступающих в подобные р-ции. Солеобразующие О, подразделяют на основные, кислотные и амфотерные.
Элемент основного О. (1.1,0, ВаО и др.) при образовании соли (напр., ВаО + 80 ВВБО ) становится катионом, элемент кис- ЛатиОГО О. (Нанро 803, ХО„Р,О,) ВХОднт В СОСтаВ кислородсодержащего аннана соли. Амфотерные О. (напр., ЕпО, ВеО, А1,03) могут реагировать и как основные Оо и нак кислотные, йапрг А)303 + РВОВ -а 2А!РОа ХааО + А!ВОВ -г 2ХаА10л Уменьшение степени окисления элемента и увеличение радиуса его иона делает О.
более основным, наоборот, увеличение степени окисления и уменьшение ионного радиуса- более кислотньгм (напр., МпО-основной оксид, Мп,07- кислотный). Многие Оо напр. РЬ304, Ре304, содержащие элемент в разных степенях окисления, явля!отса двойни!ми Ог (РЬЯВ, РЪгт) О„„(Ре", Ре",') Оа. Среди О., особенно среди О. аьэлементов, много нестехиометрич. соединений. О. щелочных и щел.-зем. металлов активно реагируют с водой, образуя щелочи, напр.: К20 + Н,О -г 2КОН; нек-рые кислотные О.-ангидриды неорганических кислот — активно взаимод.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
