Диссертация (1091328), страница 20
Текст из файла (страница 20)
Kuo Y., Lee S.. Room-temperature copper etching based on a plasmacopper reaction // Applied Physics Letters. 2001. Vol. 78. No. 7. pp. 1002-1004.66. Kuo Y., Lee S.. A novel plasma-based copper dry etching method //Japanese Journal of Applied Physics. 2000. Vol. 39. No. 3A/B. pp. L188-L190.67. http://www.oxford-instruments.com68. http://www.alliedhightech.com/media/default/equipmentbrochures/multiprep brochure no border.pdf.69.
http://www.jiam.utk.edu/pdf/allied-parallel-laping-integral-circuits.pdf70. http://www.FEI.com71. http://nisene.com72. http://www.bruker.com73. http://medprom.ru19274. http://www.havells-sylvania.com/media/product-datasheets/ru/0023973-data-sheet.pdf75. Милованов Р.А., Абдуллаев Д.А., Зайцев А.А., Кельм Е.А.. Ионнолучевоетравлениекакпромежуточнаястадияприудалениипассивирующих слоев микросхем в рамках технологии анализа отказов //Нано- и микросистемная техника, новые технологии, 2013. №11. С. 35-39.76. Милованов Р.А., Кельм Е.А., Косичкин О.А, Ляпунов Н.А..Селективное травление меди в технологии анализа отказов ИМС спроводниками на основе меди // Нано- и микросистемная техника, новыетехнологии, 2013. №11.
С. 30-32.77. Милованов Р.А., Кельм Е.А.. Структура ячеек энергонезависимойпамяти типа EEPROM и FLASH // Нано- и микросистемная техника, новыетехнологии, 2015. №4. С. 45-59..