Диссертация (1091328), страница 19
Текст из файла (страница 19)
Т.14. №11. С.45-49.2. Гатчин Ю.А., Ткалич В.Л., Виволанцев А.С., Дудников Е.А..Введение в Микроэлектронику, Учебное пособие, СПб: СПбГУ, ИТМО,2010.3. Wang S.. X-ray Imaging Tools for Electronic Device Failure Analysis //Microelectronics Failure Analysis, Desk Reference, Sixth Edition, 2011.4. Wagner L. C.. Failure analysis of integrated circuit. Tools andtechniques, Kluwer academic publishers, 1999.5. Schmidt Ch., Altmann F., Vallet D.P..
Enhanced comparison of Lock-inThermography and magnetic microscopy for 3D defect localization of system inpackages // Proceedings of the 38th international symposium for testing andfailure analysis (ISTFA), 2012.6. Beck F.. Integrated circuit failure analysis. John Wiley & Sons. 1998.7. Милованов Р.А., Молодцова Г.В., Зубов Д.Н., Кельм Е.А.. Подходыкразделениюкристалловстековыхсборокприанализеотказовмногокристальных интегральных схем // Нано- и микросистемная техника,2014. №7(168).
С. 22-24.8. Милованов Р.А., Зубов Д.Н., Кельм Е.А., Молодцова Г.В..Электрохимическое восстановление поврежденных контактных площадоккристаллов при анализе отказов современных интегральных схем // Нанои микросистемная техника, 2014. №5(166). С. 38-40.9. Ross R.J..
Microelectronics failure analysis. Desk reference. SixthEdition. ASM International. 2011.18610. Skorobogatov S.P.. Semi-invasive attacks. A new approach tohardware security analysis. Technical report. Number 630. University ofCambridge. Computer laboratory. 2005.11. Wolf S., Tauber R.N.. Silicon processing for the VLSI era. Volume I:process technology. Lattice press, Sunset Beach, California, 1986.12. Громов Д.Г., Мочалов А.И., Сулимин А.Д., Шевяков В.И..Металлизация ультрабольших интегральных схем. БИНОМ, лабораториязнаний, 2009.13.
Shacham-Diamond Y., Dubin V., Angyal M.. Electroless copperdeposition for ULSI // Thin Solid Films, 1995, V. 262, pp. 93-103.14. Зи С.. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. Пер. с англ.Мир, 1984.15. Hampden-Smith M.J., Kodas T.T.. Copper dry etching: New chemicalapproaches // Materials Research Society (MRS) Bulletin. 1996. № 6. P. 39.16. Kuo Y., Lee S.. A new, room-temperature, high-rate plasma-basedcopper etch process // Vacuum. 2004. V.74. pp. 473-477.17.
Таблицы физических величин. Справочник, (под ред. К. Кикоина).М.: Атомиздат. 1976. 1003 с.18. СловецкийД.И..Гетерогенныереакциивнеравновеснойгалогенсодержащей плазме. В кн. Химия плазмы. М.: Энергоатомиздат.1989. Вып. 15. С. 208.19. ОрликовскийА.А.,СловецкийД.И..Проблемыплазмохимического травления в микроэлектронике // Микроэлектроника.1987. Т. 16. № 6.
С. 497.20. Светцов В.И., Чеснокова Т.А. Сухое травление меди // Изв. вузов.Химия и хим. технология. 1988. Т.31. № 10. С. 3.21. Ефремов A.M., Светцов В.И.. Исследование закономерностейтравления меди в плазме хлора и его смесей с аргоном // Элементарная187база микро- и наноэлектроники: физика и технология. Сб.
научн. Трудов.М.: МГИЭТ (ТУ). 1994. С. 110.22. WintersH.F.. Etch products from the reaction on Сl2 with Al(lOO) andCu(lOO) and XeF2 with W(100) and'Nb // J. Vac. Sci. Technol. B. 1985. 3(1).P. 9.23. Ни С.-К., Canney В., Pearson D.J., Small M.B.. A process forimproved Al(Cu) reactive ion etching // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. 7(3). P.682.24. RitskoJJ., Ho F., HursrJ.. Laser-assisted chemical etching of copper //Appl. Phys. Letters. 1984. V. 53. № 1. P. 78.25. Miyazaki H., Takeda K..
Sakurna N. et al. Copper dry etching withprecise wafer-temperature control using Сl2 as a single reactant // J. Vac. Sci.Technol. B. 1997. V. 15. №2. P. 237.26. Kang-Sik Choi., Chul-Hi Han.. Low-temperature plasma etching ofcopper films using ultraviolet irradiation // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. №11. P. 5945.27. Светцов В.И., Ефремов A.M.. Плазмохимическое травление меди вхлорном разряде // Тезисы докладов научно-практического семинара"Плазмохимическая технология дли изделий электронной техники".
Киев.12-13.03.1991. С. 5.28. Lee S., Кuо Y.. Chlorine plasma/copper reaction in a new copper dryetching process // J. Electrochem. Soc. 2001. V. 148. №9. P. 524.29. Ефремов A.M., Светцов В.И., Овчинников НЛ.. Суммарныевероятности взаимодействия хлора с медью в низкотемпературнойплазме // Изв. вузов. Химия и хим. технология. 1995. Т. 38. № 1-2. С.
45.30. Ефремов A.M., Светцов В.И.. Закономерности травления меди вплазме смеси хлора с аргоном // Химия высоких энергий. 1995. Т. 29. № 4.С. 330.18831. Efremov A. M., Svettsov V. I.. Dry Etching of Copper Using Chlorine:A Review // Russian Microelectronics. 2002. Vol. 31. No. 3. pp. 179-192.32. Ефремов A.M.,Светцов В.И., Куприяновская А.П., ЧесноковаТ.А..
Плазменное травление металлов при разряде в С12 // ТрудыМеждународногосимпозиумапотеоретическойиприкладнойплазмохимии (ISTAPC-91). Рига. 1991. С. 370.33. СветцовВ.И.,ЧесноковаТ.А..Исследованиетермическиактивированного взаимодействия хлора с некоторыми металлами припониженных давлениях // Журнал физической химии. 1984.
Т. 58. № 14. С.2706.34. Ивановский Г.Ф., Петров В.И.. Ионно-плазменная обработкаматериалов // М.: Радио и связь. 1986, 232 с.35. Светцов В.И., Чеснокова Т.А.. Плазменное травление металлов вхлоре // Тезисы докладов Всесоюзной конференции по плазменнойтехнике. Казань. 1981.С. 65.36. Айнспрук Н., Браун Д.. Плазменная технология в производствеСБИС. М: Мир. 1987. 470с.37. Врублевский Э.М., Гусев А.В., Жидков А.Г.. Релаксационныепроцессы и скорость травления монокремния в смеси Ar-Cu // ТрудыФИАН.
1989. Вып. 10. С. 3.38. Врублевский Э.М., Гусев А.В., Жидков А.Г.. Химический состав искорости травления монокремния в плазме бинарной смеси Аг-С12 //Химия высоких энергий. 1990. Т. 24. № 4. С. 356.39. Ефремов A.M., Светцов В.И., Овчинников НЛ.. О механизмахвзаимодействияплазмысмесейхлор-аргонсметалламииполупроводниками // Материалы 13 Международной конференции"ВзаимодействиеионовЗвенигород. Т.
2. С. 142.споверхностью"ВИП-97.1-5.09.1997.г.18940. Ефремов A.M., Светцов В.И., Овчинников НЛ.. Плазмохимическоетравление арсенида галлия в смесях хлора с аргоном // Микроэлектроника.1999. Т. 28. № 1. С.16.41. Zhang L., Leste L.F., Shul R.J. et al. Inductive coupled plasma etchincof II1-V antimonides in BCl3/Ar and Сl2/Аr // J. Vac. Sci. Technol.
B. 1999.17(3). P. 965.42. Ефремов A.M., Светцов В.И., Куприяновская А.П.. Спектризлучениятлеющегоразрядавхлоре//Журналприкладнойспектроскопии. 1993. Т. 59. №3-4. С. 221.43. Ефремов A.M., Светцов В.И.. Особенности излучения плазмы всмесях хлора с аргоном // Химия высоких энергий. 1995. Т. 29. № 5. С. 411.44. Ефремов A.M., Светцов В.И., Куприяновская А.П.. О механизмахвлияния аргона на скорость плазмо-химического травления металлов иполупроводников в плазме хлора // Химия высоких энергий. 1993.
Т. 27. №1.С. 887.45. Jang K.H., Lee W.J, Kim H.R., Yeom G.Y.. Etching of Copper Filmsfor Thin Film Transistor Liquid Crystal Display using Inductively CoupledChlorine-Based Plasmas // Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 43, No.12, 2004, pp. 8300–8303.46. Wu F., Levitin G., Hess D.W.. Low-temperature etching of Cu byhydrogen-based plasmas // ACS Letters, 2010. Vol. 2. No. 8. pp. 2175-2179.47.
Zielinski A.. Effect of hydrogen on internal friction of some F.C.C.metals // Acta Metallurgica et Materialia. 1990, Vol.38. Issue 12. pp. 2573-2582.48. Myers S.M., Baskes M.I., Birnbaum H.K., Corbett J.W., DeLeo G.G.,Estreicher S.K., Haller E.E., Jena P., Johnson N.M., Kirchheim R., Pearton S.J.,Stavola M.J.. Hydrogen interactions with defects in crystalline solids // Reviewsof Modern Physics. 1992, Vol.64. No.2.
pp. 559-617.19049. Kulkarni N.S., DeHoff R.T.. Application of volatility diagrams for lowtemperature, dry etching, and planarization of copper // Journal of theElectrochemical Society. 2002, 149 (11), G620-G632.50. Miller J.C., Haglund R.F.. In Laser Ablation: Mechanisms andApplications // Proceedings of the Workshop; Oak Ridge, TN, April 8- 10,1991; Springer-Verlag: Berlin, 1991; Vol. 389, pp.
77-81.51. Candler C.. Atomic Spectra and the Vector Model, 2nd ed.; VanNostrand: Princeton, NJ, 1964.52. Fitzsimons N. P., Jones W., Herley P.J. Studies of copper hydride. Partq. - Synthesis and solid-state stability // Journal of the Chemical Society,Faraday Transactions. 1995. Vol. 91. Issue 4. pp. 713-718.53. Burtovyy R., Utzig E., Tkacz M..
Studies of the thermal decompositionof copper nitride // Thermochimica Acta. 2000. Vol.363. Issue 1-2. pp. 157-163.54. Hahn Y.B., Pearton S.J., Cho H., Lee K.P.. Dry etching mechanism ofcopeer and magmetic materials with UV illumination // Materials Science andEngineering B. 2001. Vol. 79. Issue 1. pp. 20-26.55. Choi K.-S., Han Ch.-H.. Low-temperature plasma etching of copperfilms using ultraviolet irradiation // Japanese Journal of Applied Physics. 1998.Vol. 37. pp.
5945-5948.56. Winters H.F.. The etching of Cu(100) with Cl2 // Journal of VacuumScience & Technology A. 1985. Vol. 3. No.3. pp. 786-790.57. Sesselmann W., Marinero E.E., Chuang T.J.. Laser-indused desorptionand etching processes on chlorinated Cu and solid CuCl surfaces // AppliedPhysics A. 1986. Vol. 41. pp. 209-221.58. Brannon J., Brannon K.. Ultraviolet photoetching of copper // Journalof Vacuum Science & Technology B. 1989. Vol. 7.
No. 5. pp. 1275-1283.59. Carter J.B., Holland J.P., Pelzer E., Richardson B., Bogle E., NguyenH.T., Melaku Y., Gates D., Ben-Dor M.. Transformer coupled plasma etch191technology for the fabrication of subhalf micron structures // Journal of VacuumScience & Technology A. 1993. Vol. 11. No. 4. pp. 1301-1306.60. Chapman B. Glow Discharge processes. Wiley, New-York, 1980, 432p.61. Kwon M.S., Lee J.Y., Choi K.S., Han C.H.. Reaction characteristicsbetween Cu thin film and RF inductively coupled Cl2 plasma without/ with UVirradiation // Japanese Journal of Applied Physics. 1998. Vol. 37. Part 1. No. 7.pp.
4103-4108.62. Tamirisa P.A., Levitin G., Kulkarni N.S., Hess D.W.. Plasma etching ofcopper films at low temperature // Microelectronic Engineering. 2007. Vol. 84.pp. 105-108.63. Lee S., Kuo Y.. HBr Plasma Based Copper Etch Process (http://www.electrochem.org/dl/ma/201/pdfs/0433.pdf).64. Lee S., Kuo Y.. Clorine plasma/copper reaction in a new copper dryetching process // Journal of the Electrochemical Society. 2001. Vol. 148. pp.G524-G529.65.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
