Отзыв на автореферат (1091304)
Текст из файла
ОТЗЫВ иа ав!'О~эефс~)а'$' диссер Гации МИЛОВАНОВА Рома!!а Алсгксандровииа «ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ И МЕТОДИКИ ПОСЛОЙНОГО ТРАВЛЕНИЯ КГИСТАЛЛОВ ИНтИ РАЛЬНЫХ СХЕМ С СИСТЕМОЙ МЕжСОЕДИНЕНИЙ НА ОСНОВЕ МЕДИ», представленный на соискание ученой стспеци кандида)а технических наук по специальности: 05.27.06 «Тех)$0 $о! ия и оборудование лэ(я $)роиз)10 (с(в($ полу п1эоводцикОВ, матсриа)$0В и $$)эибор0$! э)1ск!"р0$$)и)Й '(схиики)>. (.. 0$!1эсх)с1$1$ыс и1Г)с!'р(1.'!!э!1!~(с (.'хсмы !11)сдс'$2В'1я)О'1' собой съ$$срс.'10)$($! ~. э,'$ект)э0$$$(ыс устроЙства, сОс'10я)цис из со)сн мил;(иопОВ мцОГОС:юй!1ых трацзисторцых структур и линий мс'ксосдинепий.
Дефекты этих $$роволя(ц1(х $0иких ли))ий м(жсосдипе)(ий $)р!(водя) к 0)казам (ог(астрофи)секо!0 )и!!а. !1робэ(сыы ос;$0)кц)ПОГся $$~)Г$ $)р$$х(с1)с$$((и В качсс1В(. К((1)ср($а.!!1 мсжсоедицсций меди Вместо алк)миция. Акзуальиыми задачами яв )яются разработка методов анализа огказов кристаллов ш!Тсгральцых схем с системой ые)ксосли1$епий иа ОсцОВ~;" мс 1и. Цслью раооты яВляю)ся исследОВаиия тех!$0:$01 ичсскпх ОСНОВ и р()зрабо!'ка методик послОииОГО 11репарирова11ия крис'1т!'$)$0В и1Г$(.'.! ралы1ых схем с ые)ксосдинениями на основе меди.
Достигкешьс цели )и)звали! (ювысить проч(сит выхода годных 11ри производстве и)псгральпых схем и в 1(роцсссс р(1$~)аб(э(ки 1!Овь(х Гипов И~.'. Для 10(.тиж(.'11ия поставлс)п(0$! !к сОискат(.')ь рс(циэ! СЭ)е,"(у)о)цис За,'1ач)$: ВЫЯВИЛ И 0000)ЦИЛ СГРУКГУР1(ЫС ОСООСП)ЮС)И $ОП0.$0! ИЧССКИХ 0.10(.В к~э)$стаэ)л0$! с сис)смои межсОсдипсцпи ца Оспове мели; - па осповс Весле;.(оваций процессов сслск(ив)и))о жилкосп(о(о зравлс)(ия мс.(цых проводников разрабо(апы мсп)дики се.(скп)Иного Гравлсш(я к лиффузиошю-барьерному слою; — на основе исследования процессов селективпого вакуум)ц)-и )азмс)шо(о Гравлсния медных проводников разработаш,$ соответствуницис мего,ц(кп вакуумно-плазменного травления медных х!С)ксоеди(1С$(иь(: В тсхнОЛОГии пОслОЙПОГР 1$1)с)!ар!!)эОВВ$$ия к)эис Га."$лОВ с м(':ксос зи)(с$(ия ми $)а ОсцОВс меди успе)ПИО испо:1ьзОвапы х1( 1Одики се~(с)ХГиьч(0!'0 '$'раВ $(.'$$$(я медных проводников.
С'1сдус)Отк(е)и'$1~ х0$)0$$11$Й ур(эВС$$ь $(а)!$(с'п)и5$ авГ()~)сфер($$!$. Ооосиоваипос1Ь и дос)01)сь)$!Ос! 1, $$0.1у"(с!!!1! $Х рсрч($ГГ(!$0в ~.ос,!и Гсл(„, 1!Од(веря(дастся экс$$ср!$к(с)т)т!$$$ !!!!ми исслс;10$!а11иях)и, их СО)з(!(сова!11!001ь(0 и нспро Г)(ворсчивость$0 с теоретическими л(1111(ых!и.
М$$01ис )кспсримспталыпее резх.)ьта1 (э1 посят циопсрский х(1рак Гср и оы.1и п0.1хчспь! В$$СРВЬ)Е. Среди полученных результатов нсобходичо выделить: новыс методики селективного к диффузиошн)-барьерному с:нио жидкостного травления медных проводников с применением аммиа шого кохцглскса)п)ухва)!Ситной меди и.н1 с применением смеси соля!И)Й к)ю:1о и перекиси водорода; — новыс методики селективного к диффузиошю-барьерному с;юк) ваку5м!ю- !!)!Взмснно1О травления медных прово,.ц!иков с применением цлазмообразук)щего газа !)С!)и:ш плазмообраз.юп!Сй смеси !)С1; Лг: - новые методики селективного к дгн1)!!)узионно-барьернох!у слою удаления чсдных и!эОВОдникОВ системы мсжсосди1гении крис'!аллОВ инте!'ра.'1ы1ых микросхем на основе циклических процессов жидкостною и вакуумноплазчеши)го травлений. Ргюота ОО!'а!О ил!!юстрироВана у1!Ика.'!ы!!Мчи фо! О! рафиль!и !Тазрсзов и сечений микрострмктур, что свидетельствует о высоком !!рофессионализмс соискателя. Результаты работы достаточно широко апробирован!ы на международных конференциях, отражены более чем в десятке опубликованных работ.
! чи! ак). 'пО '! сма„рассматри1)асмая Б диссср!ации, !1ктуальнг1. а 11олу чс1Н !ь . в ней новыс рсзу)!ы аты имею.г важ!Н)с научное и практическое зна"!сни .. Работа отвечает требованиям, прсдьявляечым к кандидатским дисссртацияч, а се авюр Рочан Ллександрови ! Милованов несочнс!шо заеду)кивас! присуждению ему ученой степени кандидага технических наук ио специальности: 05.27.0б «Техно) !о!.Ня и оборудование для цроизво тства полупроводников, материалов и приборов электронной техники». доктор физико-математических наук, 1!рог!)Сссор. зам.
ЗаВсдую!Цс!'О кафе,'1!)о!й вакуумной электроники МФ ГИ. Щсщ!!1ТЦ. в1 сний 11авлович 11одпись 1.",!1.11!Сц!Ина заверяю '"й~ф58 ° ~~~"' ФИСН 11! Сш ин 1'вгений ! 1авло вы ~",.";,'"„,'-,,ь"."Ч Учс!!ая с'! спснь: дОк! Ор физико-маъф3бф ичсст))ф'4!аук Специальность: 01.04.07 11очтовый адрес: 14! 700, Московская обл., Долгопрудный, Институтский пер.9, МФТИ, Кафе,!ра вакуумной электроники '! слефон: +7!495! 40!) 59 44 Лдрсс '):1ск тронной но'г!'и; ВЬевЬ1п.е,'й!н! 1.гг1 Наименование ор)-анизацни: Московской физико-гехничсский институт !госу тарствсш 1ый унивсрситс ! ! Должносты профессор .
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
