Выписка из протокола УНО (1091296)
Текст из файла
, лУтверждаюн научной работе .рИ.В. Соловьев '~;.':, с< ф.::ййоября 2015 г. , "ассов,д с ВЫПИСКА ИЗ ПРОТОКОЛА №1 заседания учебно-научного объединения "Электроника" от 02.11.2015 г. 11РИСУТСТВОВАЛИ: Абдуллаев Д.А., Береговой А Ю., Ерофеева Е.В,, профессор к т.н. Захаров А.К., Кельм Е.А.в к.х.н. Кирсанова М.А., Китиченко Т.С.в Кулагин Ю.С.в Купашев Ю.С,у Ляпунов Н.А., СемененкоВ.Н., Сенцов А.Г., Соколов С.А., к.х.н. Столяренко В.Ю., Чеботарев В.Ф., к.х.н.
Шишкин В.И. ПОВВСу'КА дусь Одсундсниа дисссрсвлии Милованова Ролана Алсасандровнив "Технологические основы и методики послойного травления кристаллов интегральных схем с системой мсжсоединений на основе меди". СЛУШАЛИ: Доклад заместителя директора УНО "Электроника" Милованова Р,А. по теме диссертации "Технологические основы и методики послойного травления кристаллов интегральных схем с системой межсоединений на основе меди" на соискание ученой степени кандидата технических наук. Милованов Р.А. в своем выступлении изложил основные положения диссертационного исследования. Была сформулирована актуальность темы и цель работы, подробно отражены научная новизна и практическая значимость полученных результатов. ПОСТАНОВИЛИ: По результатам рассмотрения диссертации Милованова Р.А. "Технологические основы и методики послойного травления кристаллов интегральных схем с системой межсоединений на основе меди", представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники", принято следуюгцсе заключение: ЗАКЛЮЧЕНИЕ Диссертационная работа Милованова Р.А.
посвящена актуальной проблеме- разработке методов анализа отказов интегральных схем с системой межсоединений на основе меди. Целью работы является исследование технологических основ и разработка методик послойного препарирования кристаллов ИС с системой межсоединений на основе меди для повышения процента выхода годных в производстве ИС и при разработке новых ИС. Для достижения поставленной цели в работе сформулированы следующие задачи: 1. Обобщить структурные особенности топологических слоев кристаллов с системой межсоединений на основе меди; 2, Проанализировать существующие методы послойного препарирования кристаллов ИС с системой межсоединений на основе алюминия; 3.
Исследовать процессы селекгивного к диффузионно-барьерному слою (ДБС) жидкостного травления (ЖТ) медных проводников системы межсоединений кристаллов, проанализировать их особенности и разработать соответствующие методики; 4.Исследовать процессы селективного к ДБС вакуумно-плазменного травления (ВПТ) медных проводников системы межсоединений кристаллов, проанализировать их особенности и разработать соответствующие методики; 5. Усовершенствовать технологикз послойного препарирования кристаллов ИС с системой мсжсоединений на основе меди за счет включения в состав методик селективного к ДБС травления медных проводников; б. Провести апробацию разработанных методик послойного препарирования кристалла ИС с системой межсоединений на основе меди.
Основные положении выносимые иа защиту: ! . Новая методика селективного к ДБС жидкостного травления медных проводников системы межсоединений кристаллов ИС с применением аммиачного комплекса двухвалентной меди, выступающего одновременно окислителем и комплексообразователем одновалентной меди (1); 2. Новая методика селективного к ДБС жидкостного травления медных проводников системы межсоединений кристаллов ИС с применением смеси соляной кислоты и перекиси водорода, включающая две стадии: образование нерастворимой пленки монохлорида меди на поверхности и последующее доокисленис СиС! до распвримого СиС12, 3. Новая методика селективного к ДБС ВПТ медных проводников системы межсоединений кристаллов ИС с применением плазмообразующего газа В С!» и температурой образца 280'С; 4.
Новая методика селективного к ДБС ВПТ медных проводников системы межсоединений кристаллов ИС с применением плазмообразующей смеси ВС1з,'Аг и температурой образца 100'С; 5. Новая методика селективного к ДБС удаления медных проводников системы межсоединений кристаллов ИС с достижимой температурой образца 20'С на основе циклического процесса, включающего этапы ВПТ и ЖТ.
Научная новизна защищаемых положений: 1. Впервые показано, что при жидкостном травлении меди, применение аммиачного комплекса двух вале нтной меди 111), выступающего одновременно окислителем и комплексообразователем одновалентной меди (1), позволяет селективно к ДБС из тантала или титана удалять медные проводники системы межсоединений кристаллов ИС; 2, Установлено, что при жидкостном травлении меди в смеси соляной кислоты и перекиси водорода увеличение концентрации НС! до !'Ъ приводит к протеканию процесса травления через две стадии; образования нерастворимой пленки монохлорида меди на поверхности и последующим доокислением СпС1 до растворимого СиС1з, что позволяег равномерно и селективно к ДБС удалять медные проводники системы межсоединений кристаллов ИС; 3. Впервые продемонстрирована возможность селективного к !ож~-1 диэлектрику типа ЯОСН ВПТ медных проводников системы межсоединений кристаллов ИС при температуре образца 280'С за счет термодесорбции галогенидов меди при понижении давления в реакторе до -0,25 Па и применении плазмообразующего газа НВг; 4.
Впервые продемонстрирована возможность селективного к ДБС ВПТ медных проводников системы межсоединений кристаллов ИС при температуре образца 280'С за счет термодесорбции галогенидов меди при понижении давления в реакторе до -0,25 Па и применении плазмообразующего газа ВС1з, 5. Впервые показана возможность снижения температуры селектнвного к ДБС ВПТ медных проводников системы межсоединений кристаллов ИС в смеси ВС1з/Аг до 100'С за счет увеличения физической компоненты процесса в результате добавки к плазмообразуюзцему газу аргона; 6. Показана потенциальная возмозкность понижения температуры селекгивного к ДБС удаления медных проводников системы межсоединений кристаллов ИС до -20'С за счет использования циклического процесса, включающего этапы ВПТ и ЖТ.
Достоверность результатов и выводов диссертационной работы подтверждаются проведенными экспериментальными исследованиями, согласованностью их результатов с теоретическими данными и отсутствием между ними противоречий. Практическая значимость результатов работы: полученные результаты позволяют увеличить процент выхода годных кристаллов прн производстве современных ИС с медной системой межсоединений за счет локализации отказов катастрофического типа.
Личный вклад автор» Автору принадлежат основные идеи, положенные в основу исследования особенностей послойного препарирования кристаллов ИС с системой межсоединений на основе меди, их реализация и апробирование. Основные публикации по теме диссертации 1. Милованов Р.А., Ьуробин В.А., Щука А.А. Роль послойного препарирования кристаллов в анализе отказов современных интегральных схем // Наукоемкие технологии. 2013. Т. 14. № 11.
С. 45-49. 2. Милованов Р.А., Кельм Е.А., Косичкин О А, Ляпунов Н,А. Селективное травление меди в технологии анализа отказов ИМС с проводниками на основе меди // Нано- и микросистемная техника. 2013. №11(160). С. 30-32. 3. Милованов Р.А., Абдуллаев Д.А., Зайцев А.А., Кельм Е,А.
Ионно-лучевое травление как промежуточная стадия при удалении пассивирующих слоев микросхем в рамках технологии анализа отказов // Нано- и микросистемная техника. 2013. №111160), С. 35-39. 4. Мнлованов Р.А., Зубов Д.Н., Кельм Е.А., Молодцова Г.В. Электрохимическое восстановление поврежденных контактных площадок кристаллов при анализе отказов современных интегральных схем П Нано- и микросистемная техника. 2014, №51166), С. 38-40. 5.
Милованов Р,А., Молодцова Г.В., Зубов Д.Н., Кельм Е.А. Подходы к разделению кристаллов стековых сборок при анализе отказов многокристальных интегральных схем Р Нано- и микросистемная техника. 2014. №7(168). С. 22-24. 6. Милованов Р.А., Ганзий Д.А., Зубов Д.Н., Кельм Е.А., Ляпунов Н.А., Молодцова Г.В., Янул М.Л. Определение состояния ячеек энергонезависимой памятис плавающим затвором при помощи сканирующей зондовой микроскопии П Интеграл. 2012. №3165).
С. 4-7. 7. Милованов Р.А., Кельм Е.А.. Структура ячеек энергонезависимой памяти типа ЕЕРКОМ и Р АЯН 0 Нано- и микроснстемная техника, новые технологии, 2015, №4. С. 45-59. 8. М1!о~ апо~ К., Напх11 О., 7иЬоч 13., Ке1т Е., 1парппоч Х., Мо1опво~а б., Уапп1 М. 1)е1егш1п1пд Йе з1а1е о1' поп-чо!а111е шелогу се11з ж|Й Иоайп8 да1е цз1п8 зсапп1пя ргоЬе пйсгоясору П Ргос. ЯЧЕ 8700, 1п1егпа1опа1 СопГегепсе М1сго- апд Хапое1ес1гоп)са 2012, .1аппагу 8, 2013.
Диссертация Милованова Р.А. "Технологические основы и методики послойного травления кристаллов интегральных схем с системой межсоединений на основе меди", представленная на соискание ученой степени кандидата технических наук, является научно-квалификационной работой и соответствует требованиям ВАК Минобрнауки РФ пп,9-14 "Положения о порядке присуждения ученых степеней, постановления Правительства Российской Федерации от 24 сентября 2013 г. №842". Учитывая вышеизложенное, учебно-научное объединение рекомендует диссертационную работу "Технологические основы и методики послойного травления кристаллов интегральных схем с системой межсоедннений на основе меди" к защите на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27,06- "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники".
Заключение принято единогласно. Директор учебно-научного объединения "Электроника", у В.И. Шишкин доцент, кандидат химических наук .
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.