Диссертация (Синтез и управление электронной структурой систем на основе графена), страница 7
Описание файла
Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "Синтез и управление электронной структурой систем на основе графена". PDF-файл из архива "Синтез и управление электронной структурой систем на основе графена", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве СПбГУ. Не смотря на прямую связь этого архива с СПбГУ, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 7 страницы из PDF
Функционализация графенаВследствие того, что графен образован двумерной гексагональной кристаллической решеткой, состоящей из двух эквивалентных подрешеток, он обладаетэлектронной структурой с нулевой запрещенной зоной [101]. Нарушение эквивалентности подрешеток может привести к появлению ненулевой запрещеннойзоны, что крайне важно для создания транзисторов на основе графена.
Такая ситуация может возникнуть, например, в двухслойном графене. При использованиидвухслойного графена в транзисторе с двумя затворами величиной запрещеннойзоны можно управлять с помощью прикладываемого напряжения [102], однакодостижимая ширина щели недостаточна для эффективной работы электронныхустройств. Для этой цели более перспективным подходом представляется ко37валентная функционализация путем образования химических связей углерода садсорбированными атомами или молекулами [103]. Локальное изменение конфигурации связей углерода с 2 на 3 (характерной для алмаза) позволяетувеличить запрещенную зону до нескольких электронвольт.
Под функционализацией графена обычно понимают присоединение к графену атомов или группатомов ковалентным или нековалентным образом с целью придания ему новыхсвойств [40, 104]. Рассмотрим основные подходы к функционализации графена.Рис. 1.13. Модель структуры оксида графена (из работы [105]).1.3.1. Ковалентная функционализацияМожно выделить три основных подхода к ковалентной функционализации:оксидирование, гидрирование и фторирование графена.Оксид графена формируют присоединением кислорода и/или кислородсодержащих функциональных групп к решетке графена [106]. Эти группы присоединены хаотично, поэтому оксид графена является плохо упорядоченным,содержащим множество различных дефектов (см.
рис. 1.13). Это негативно сказывается на подвижности носителей заряда, однако, контролируя концентрациюфункциональных групп, можно управлять проводимостью в широких пределах[107]. Наличие кислородных групп делает материал гидрофильным [108], т.е.он хорошо растворим в воде и легко наносится на поверхности, после чегоможет быть восстановлен для повышения проводимости [107]. Это делает егопривлекательным для создания прозрачных электродов, однако по характеристикам восстановленный оксид графена пока значительно уступает промышленно38используемым материалам.
Оксид графена обладает полезными оптическимисвойствами (флуоресценция в широком спектральном диапазоне), что делает егопривлекательным для изготовления оптических биосенсоров и для избирательной доставки лекарств [43, 109].Гидрированный графен является более упорядоченным, чем оксид графена. Контролируемая хемосорбция водорода позволяет управлять проводимостьюв широких пределах [110], открывая запрещенную зону в электронной структурематериала, наблюдавшуюся с помощью электронной спектроскопии, в том числеавтором диссертации [15].
Однако прямые транспортные измерения показывают, что в электропроводности все же доминируют состояния, локализованныев запрещенной зоне и обусловленные разупорядоченностью адсорбированноговодорода [110]. Обратимость хемосорбции делает материал перспективным дляхранения водорода [14, 110].Фторирование графена оказывает на электронную структуру эффект подобный гидрированию, позволяя контролировать проводимость графена, вплотьдо создания изолятора [111]. Довольно перспективным является метод электронно-стимулированного дефторирования, позволяющий с помощью фокусированного электронного пучка локально восстанавливать проводимость графена [112].
Такая электронная литография имеет большое значение для созданияэлектронных приборов. В спинтронике фторированный графен помогает решитьпроблему несовместимости проводимостей, способствуя более эффективной инжекции спин-поляризованных токов из металла в полупроводник и, в частности,в графен [113].1.3.2.
Нековалентная функционализацияГрафен можно рассматривать с молекулярной точки зрения как гигантскую ароматическую молекулу. Она может эффективно взаимодействовать с-сопряженными молекулами посредством сил Ван-дер-Ваальса. Это открываетряд возможностей для управления свойствами графена. В частности, возмож39на функционализация графена молекулами с высоким электронным сродствомили низким потенциалом ионизации для управления типом и концентрациейносителей заряда.
В качестве молекулы с ярко выраженными акцепторнымисвойствами часто используют F4-TCNQ, а в качестве донора – тетратиафульвален (TTF). Нековалентная функционализация может приводить к появлениюзапрещенной зоны в графене. Функционализированный графен может быть использован в качестве альтернативы пленкам оксидов индия и олова для созданияпрозрачных и гибких электродов в оптоэлектронных устройствах. Интенсивноразрабатываются подходы к использованию как ковалентно, так и нековалентнофункционализированного графена для создания различных молекулярных сенсоров.
Подробный обзор по нековалентной функционализации графена можнонайти в работе [104].1.3.3. Ионная функционализацияИонная функционализация графена достигается путем адсорбции и/или интеркаляции металлов, являющихся сильными донорами электронов (в большинстве случаев щелочных, щелочноземельных и редкоземельных металлов). Приэтом возникает значительный перенос заряда от металла к графену, благодарячему сильно повышается концентрация электронов в зоне проводимости графена, что придает ему новые свойства. В частности, при повышении концентрацииэлектронов наблюдается значительное усиление электрон-фононного взаимодействия.Одним из предсказанных теоретически, но в настоящее время слабоизученных свойств графена и систем на его основе, является возможность переходав состояние сверхпроводимости при низких температурах за счет взаимодействия электронов с колебаниями решетки (электрон-фононного взаимодействия)[114, 115].
Феномен сверхпроводимости хорошо известен и изучен во многихобъемных материалах, в то время как в двумерных системах это явление былообнаружено совсем недавно [116], поэтому его исследование находится пока на40самом начальном этапе. Благодаря двумерной кристаллической структуре и возможности химической функционализации графен является перспективным материалом для изучения двумерной сверхпроводимости. Тем не менее, состояниесверхпроводимости в однослойном графене пока не было обнаружено, несмотряна то, что этот эффект наблюдается во многих родственных графену углеродныхматериалах – в интеркаляционных соединениях графита [117, 118], интеркалированных фуллеренах [119] и углеродных нанотрубках [120]. В этих материалахосновную роль в механизме сверхпроводимости играет ЭФВ, которое является одним из хорошо известных механизмов образования куперовских пар прикриогенных температурах.
Наиболее родственными графену и наиболее подробно изученными материалами являются интеркаляционные соединения графита.Внедрение легирующих элементов в графит приводит не только к заполнениюсвободных электронных -состояний, повышая число электронов, участвующихво взаимодействии с фононами, но также к появлению дополнительных электронных состояний, что приводит к значительному повышению температурыперехода к сверхпроводимости [121]. Наличие таких состояний было предсказано теоретически для легированного литием графена; критическая температура в такой системе может достигнуть 8.1 K [115].
В экспериментальных работах сверхпроводимость уже наблюдалась у двухслойного графена, в межслоевоепространство которого интеркалирован щелочной металл [122]. Тем не менее,наблюдение сверхпроводимости в однослойном графене пока остается задачейбудущего. Основной причиной является то, что оценка температур перехода вэкспериментально исследуемых системах дает слишком низкие значения, труднодоступные для экспериментального наблюдения [123].
Поэтому одной из актуальных задач в настоящее время является обнаружение систем на основе графена, в которых сверхпроводимость можно было бы наблюдать при температурахвыше 1 K. Поиску подходящих систем и анализу перспектив их использованиядля обнаружения и изучения сверхпроводимости в графене посвящен раздел 5.2диссертации.411.4.
Внедрение примесей в графенОдним из наиболее перспективных подходов к контролируемому изменению электронных свойств графена является легирование чужеродными атомами.Основная идея этого метода состоит во введении примесей - или -типа в решетку графена по аналогии с широко используемым подходом в кремниевоймикроэлектронике. Однако в отличие от кремния, легирование которого приводит к появлению донорных или акцепторных уровней в запрещенной зоне,графен является бесщелевым полупроводником.
Поэтому электронные уровнипримесей попадают в область разрешенных состояний в графене. При этом результирующий тип проводимости определяется направлением энергетическогосдвига -зоны вследствие переноса заряда между графеном и примесью.Следует отметить, что часто для обозначения введения примесей в материал в русскоязычной литературе используются два термина: легирование и допирование. Эти же термины используют для обозначения электронного эффекта,оказываемого этими примесями. Это создает определенные терминологическиетрудности, поэтому для определенности в диссертации здесь и далее под легированием понимается введение примеси, а под допированием – оказываемыйпримесью электронный эффект, например, перенос заряда или энергетическийсдвиг зон.Изучение влияния легирования на транспортные свойства графена активно ведется с 2009 г.
[124]. Наиболее естественными кандидатами для создания графена с - и -типом проводимости являются примеси бора и азота[16, 42, 125, 126], поскольку бор содержит на один электрон меньше, чем углерод, а азот – на один электрон больше. В частности, если атом азота непосредственно замещает атом углерода графена, не нарушая при этом кристаллическуюрешетку, то избыточный электрон азотного атома отдается в зону проводимостиграфена, повышая тем самым уровень Ферми системы и приводя к проводимости -типа [127, 128]. Замещение углерода бором должно производить обратный42эффект.
Возможность управления типом и концентрацией носителей заряда вграфене открывает широкие перспективы для разработки новых биосенсоров[129], литиевых батарей [130] и топливных элементов [131].Очевидно, что не только тип примеси определяет свойства легированногографена. Можно выделить несколько ключевых факторов, влияющих на изменение свойств вследствие легирования. Это тип и концентрация примеси, структура примесных центров, а также пространственное распределение примесейв решетке. Рассмотрим подробно влияние различных типов примесей на графен.1.4.1.