Х8 вариант, 16 баллов (Ответы на РК №1)
Описание файла
Файл "Х8 вариант, 16 баллов" внутри архива находится в папке "Ответы на РК №1". Документ из архива "Ответы на РК №1", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "системы автоматического управления (сау) (мт-11)" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "контрольные работы и аттестации", в предмете "системы автоматического управления (сау)" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Х8 вариант, 16 баллов"
Текст из документа "Х8 вариант, 16 баллов"
Вопрос №1.
Статический коэффициент полезного действия ключей на биполярных и полевых транзисторах. Динамические потери.
Для транзисторных ключей к.п.д. считается как отношение мощности выделяемой на нагрузке к мощности выделяемой на ключе и нагрузке. Для биполярного транзистора имеем:
Где Uk – напряжение на коллекторе(на ключе); Uн – напряжение на всей нагрузке; Ik – коллекторный ток.
Для полевого транзистора, так как он ведет себя как управляемое переменное сопротивление:
Где Ic – ток стока; Rн – сопротивление нагрузки; Ro – сопротивление канала транзистора во включенном состоянии.
Откуда мы видим, что биполярный транзистор эффективен при высоком напряжении нагрузки, а полевой при ее высоком сопротивлении.
Динамические потери.
Динамическими потерями называют рассеиваемую на транзисторе мощность, при его включении и выключении, т.е при переходных процессах, при чем, при включении динамические потери ничтожно малы и их обычно не учитывают. При выключении транзистора с активной нагрузкой переходный процесс продолжается в области насыщения до тех пор, пока избыточная концентрация носителей заряда у коллекторного перехода не упадет до нуля, вследствие чего и происходит рассеивание мощности на транзисторе.
За счет образующихся диодов между стоком и подложкой и истоком и подложкой или стоком и истоком (в зависимости от того, имеют ли исток и подложка контакт внутри прибора), происходит шунтирование отрицательных выбросов при коммутации нагрузки, из-за чего динамические потери полевых транзисторов много меньше потерь транзисторов биполярных.
Вопрос №2.
Вывод формулы коэффициента усиления инвертирующего усилителя с использованием основных правил расчета схем на идеальных операционных усилителях.
Основные правила расчета схем на идеальных ОУ:
1.Входные токи ОУ равны нулю.
2.На выходе ОУ устанавливают такое напряжение, чтобы напряжения на прямом и инверсном входах сравнялись.
Схема инвертирующего усилителя:
Расчетная схема:
Узел «А» соответствует инверсному входу в ОУ, поэтому по первому правилу Ia=0 , тогда имеем по первому закону Кирхгофа:
Так как на прямом входе напряжение равно нулю, то по второму правилу на инверсном входе оно так же должно быть равно нулю, следовательно Ua=0, подставляя в вышеполученное выражение, получаем: