[7] Диэлектрические Материалы (987507), страница 3
Текст из файла (страница 3)
7.2.5. Спонтанная поляризация. Сегнетоэлектрики
Спонтанная (самопроизвольная) поляризация возникает под влиянием внутренних процессов в диэлектрике (сегнетоэлектрике) в отсутствии внешних воздействий, вследствие смещения подрешеток ионов или упорядочения атомных групп, обладающих дипольным моментом. В зависимости от реализации того или иного механизма возникновения спонтанной поляризации различают ионные и дипольные сегнетоэлектрические материалы.
Типичными представителями ионных сегнетоэлектриков являются многие соединения со структурой перовскита, например титанат бария (ВаТiO5), титанит свинца (Р1ТiO3), ниобат лития (LiNbO3) и др.
Смещение иона титана Ti в таких соединениях относительно центра кислородного октаэдра (рис. 7.2.11) приводит к возникновению у ячейки дипольного момента, направленного в сторону смещения. У дипольных сегнетоэлектриков (сегнетова соль, нитрат натрия NaNO2 и др.) в элементарных ячейках содержатся атомы или группы атомов с двумя положениями равновесия, как например, у атома азота в NaNО2. Причем в сегнетоэлектричской фазе диполи располагаются таким образом, что направление электрического момента в пределах элементарной ячейки происходит преимущественно в одном направлении, что и обеспечивает эффект спонтанной поляризации.
К особой группе материалов относят несобственные сегнетоэлектрики, в которых появление спонтанной, поляризации обусловлено другими причинами, например, деформацией кристаллической решетки. Для сегнетоэлектрических материалов характерно наличие доменной структуры, явления фазового перехода, насыщения, гистерезиса и точки Кюри.
Сегнетоэлектрики состоят из ряда макроскопических областей, размерами порядка 10-2—10-4 см, носящих название домены. В пределах доменов вектор спонтанной поляризованнсти Р имеет одно направление. Границу между доменами называют стенкой домена. Разбивка кристалла на домены уменьшает электростатическую энергию внутри кристалла, возникающую в процессе спонтанной поляризации и, следовательно, является энергетически выгодной.
При внесении сегнетоэлектрика в электрическое поле происходит смещение стенок доменов и поворот векторов поляризованности вдоль силовых линий электрического поля. При некоторой напряженности электрического поля, соответствующей точке В, все домены оказываются ориентированными по полю, наступает состояние технического насыщения. Кривую OВ называют основной кривой поляризации сегнетоэлектрика.
Переполяризация сегнетоэлектрика в переменных электрических полях сопровождается диэлектрическим гистерезисом.
Поляризованность образца Р, —называют остаточной поляризованностью, напряженность электрического поля, при которой происходит изменение направления спонтанной поля при которой происходит изменение направления спонтанной поляризованности называют коэрцитивной силой - Ес
По значению коэрцитивной силы сегнетоэлектрические материалы подразделяются на- сег-нетомягкие (Ес <0,1 МВ/м) и сегнетотвердые (Ес > 1 МВ/м). Площадь гистерезисной петли пропорциональна энергии, рассеиваемой в сегнетоэлектрике за один период. Нелинейность поляризации по отношению к полю и наличие гистерезиса обуславливают зависимость диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля, представленную на рис. 7.2.12.
Специфические свойства сегнетоэлектриков проявляются лишь в определенном диапазоне температур. В процессе нагревания выше некоторой температуры происходит распад доменной структуры и сегнетоэлектрик переходит в параэлектрическое состояние. Температура Tk фазового перехода получила название сегнетоэлектрической точки Кюри. В точке Кюри спонтанная поляризованность исчезает, а диэлектрическая проницаемость достигает своего максимального значения (рис. 7.2.13).
В техническом применении сегнетоэлектриков можно отметить несколько направлений, важнейшими из которых являются:
1) изготовление малогабаритных низкочастотных конденсаторов с большой удельной емкостью;
2) использование сегнетоэлектрических материалов с большой нелинейностью поляризации для диэлектрических усилителей, модуляторов и других управляющих устройств;
3) использование сегнетоэлектриков в счетно-вычислительной технике в качестве ячеек памяти;
4) использование кристаллов сегнетоэлектриков для модуляции и преобразования лазерного излучения;
5) изготовление пьезо и пироэлектрических преобразователей.
7.2.6. Математическое описание процесса поляризации нелинейных диэлектриков
В общем случае поляризация диэлектриков описывается следующим соотношением:
Р=аЕ + bЕ2 + сE3 (7.2.22)
в котором коэффициенты b и с характеризуют макроскопическую поляризуемость второго и третьего порядков. На рис. 7.2.14 показан характер зависимости поляризации Р от Е
для трех типов диэлектриков: а — линейного (b = с=0), б—квадратичного (с = 0) и в — кубического (b=0). В приведенном выражении члены, содержащие высшие степени Е приводят к различным нелинейным эффектам в поведении диэлектриков, которые могут использоваться в оптоэлектронике или функциональной электронике.
Если квадратичный диэлектрик находится в электрическом поле электромагнитной волны,
E =E0 cosωt (7.2.23)
например, в волноводе, он подвергается поляризации, зависимость которой от времени значительно отличается от синусоидальной.
Как видно из рис. 7.2.15, поляризацию Р(z) кристалла можно разложить на три составляющие: 1) поляризацию, изменяющуюся в зависимости от основной частоты; 2) поляризацию, изменяющуюся в зависимости от удвоенной частоты 2ω (пли вторую гармонику) и 3) постоянную поляризацию. Из выражения видно, что, если принять с=0 и
использовать соотношение 7.2.23, то
P=aE cosωt+bE0cos2ωt (7.2.24)
Поскольку cos2ωt=1/2 (cos2ωt+1) (7.2.25)
Р
=аЕ0 cosωt + ½ b cos 2ωt + 1/2bE0 (7.2.26)
Рис. 7.2.15
В этом уравнении мы находим все три составляющие поляризации, представленные на рис. 7.2.15 справа, а именно
Р=Рω+Р2ω+Р°, (7.2.27)
где
Рω=аE0соsωt (7.2.28)
является составляющей основной поляризации или первой гармоникой,
Р2ω=1/2*E20cos2ωt (7.2.29)
— составляющей второй гармоники и
Р°=1/2 bE20 (7.2.30)
-
составляющей постоянной поляризации, возникающей исключительно в переменном поле.
Если в этом поле находится среда, характеризующаяся кубической симметрией, то, как нетрудно доказать, пользуясь выражением cos3ωt= l/4(cos3ωt+3cosωt), суммарная поляризация будет складываться из двух составляющих — основной и третьей гармоники:
Р=Рω+P3ω (7.2.31)
где
Рω=(aE0+3/4*cE30)cosωt (7.2.32)
и Р3ω=1/4*cE30cosωt
7.2.7. Поляризация диэлектриков в анизотропных средах
Поляризацию линейного диэлектрика можно выразить скалярным уравнением только в том случае, если он изотропен, т.е. во всех направлениях обладает одинаковыми свойствами и, следовательно, одинаковой поляризуемостью α. В общем случае, в анизотропных телах, каждая из составляющих поля Еj (j=1, 2, 3) вызывает поляризацию во всех трех направлениях оси системы. Поэтому каждая из трех составляющих поляризации Рi (i=1, 2, 3) будет состоять, в свою очередь, из трех составляющих, соответствующих отдельным составляющим поля Ej; соотношение (7.2.4) заменяется тремя уравнениями, содержащими девять коэффициентов аij:
Pi= аijEj (i,j=1,2,3) (7.2.33)
Согласно общепринятому правилу, выражения аijEj суммируются по повторяющемуся индексу. Таблица девяти коэффициентов [аij] является тензором второго порядка, составляющими которого будут отдельные выражения аij. Для кристаллов, которые характеризуются определенными элементами симметрии, некоторые коэффициенты aij равны нулю. Так, например, для орторомбической системы имеется только три разных и не равных нулю коэффициента: a11, а22 и a33; для тетрагональной, гексагональной и тригональной систем число этих коэффициентов уменьшается до двух: a11=а22 ,a33, а для кубической системы остается только один коэффициент: a11= а22 = a33. Тензор [аij] называют тензором линейной поляризуемости.
Для нелинейного диэлектрика составляющие вектора поляризации выражаются тремя уравнениями, получаемыми на основании уравнения (7.2.22):
Pi=аijEj+ bijkEjEk+ cijklEjEkEl (7.2.34)
где l,i,j,k=1, 2, 3. В этих уравнениях [bijk] —тензор квадратичной поляризуемости. Это тензор третьего порядка. Число его составляющих равно 33. Тензор [cijkl] —тензор кубической поляризуемости четвертого порядка. Число его составляющих равно 34. Поскольку составляющие поля Ej, Ek, Еl, могут быть произвольными (не изменяют величины выражений), то тензоры [bijk] и [lijk] с точки зрения индексов k и j, k, l симметричны. Вследствие этого число разных и не равных нулю составляющих уменьшается. Дальнейшее уменьшение этого числа зависит от симметрии структуры кристалла. Из уравнения следует, что вторая гармоника имеет составляющие, выраженные формулами
Рi2ω=1/2*bijkEjω Ekω cosωt (7.2.35)
где Ejω и Ekω —амплитуды j-й и k-й составляющих переменного электрического поля частоты ω:
Ej =Ejω cosωt; Ek=Ekω cosωt (7.2.36)
Выражение (7.2.35) для изотропного тела приводится к выражению (7.2.29).
Тензор квадратичной поляризуемости [bijk] отличается особыми свойствами. Он равен нулю для всех кристаллов, имеющих центр инверсии, тогда как тензоры линейной [аij] и кубической [cljhijkl] поляризуемостей не равны нулю даже для кристаллов с высокой симметрией, а также для изотропных тел. Среди 32 классов точечной симметрии 20 классов не имеют центра инверсии. Кристаллы, принадлежащие к этому классу, известны как пьезоэлектрические. Они также способны создавать вторую гармонику. Наличие этих двух свойств у нецентросимметричных кристаллов не означает, что они имеют общий механизм. Механизм пьезоэлектрического явления ионный, тогда как механизм образования второй гармоники в видимом диапазоне — электронный. Поэтому по величине пьезоэлектрических модулей нельзя судить о величине коэффициента характеризующего интенсивность второй гармоники.
7.2.8. Оптические нелинейные явления в электрическом поле
Поместим кристалл, в число элементов симметрии которого входит центр инверсии, в электрическое поле. Вследствие процессов поляризации произойдет, изменение положения ионов кристаллической решетки так, что она уже не будет иметь центра симметрии. В этом случае возможна генерация второй гармоники.