Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1144206), страница 21

Файл №1144206 Диссертация (Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов) 21 страницаДиссертация (1144206) страница 212019-06-23СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 21)

Kuznia, A. Bhattarai and D.T. Olson // Appl. Phys.Lett. – 1993. – Vol. 62, no. 5. – P. 1786-1787.2. Mishra, U.K. AlGaN/GaN HEMTs: AN overview of device operation andapplications / U.K. Mishra, P. Parikh, Y. Wu // Proceedings of the IEEE. –2002. – Vol. 90. – P. 1022-1031.3. Ponce, F.A. Nitride-based semiconductors for blue and green light-emittingdevices / F.A. Ponce, D.P. Bour // Nature.

– 1997. – Vol. 386. – P. 351-359.4. Pearton, S.J. Fabrication and performance of GaN electronic devices / S.J.Pearton, F. Ren, A.P. Zhang, K.P. Lee // Materials Science and Engineering:R: Reports. – 2000. – Vol. 30, no. 3-6. – P. 55-122.5. Amacher, O. Two-dimensional electron gases induced by spontaneous andpiezoelectricpolarizationchargesinN-andGa-faceAlGaN/GaNheterostructures / O. Ambacher, J. Smart, J.R. Shealy, N.G. Weimann, K. Chu,M. Murphy, W.J. Schaff, L.F. Eastman, R.

Dimitrov, L. Wittmer, M.Stutzmann, W. Rieger, J. Hilsenbeck // J. of Appl. Phys. – 1999. – Vol. 85, no.6. – P. 3222-3233.6. Mi, M. Millimeter-Wave Power AlGaN/GaN HEMT Using Surface PlasmaTreatment of Access Region / M. Mi, X.H. Ma, L. Yang, Y. Lu, B. Hou, J.Zhu, M. Zhang, H.S. Zhang, Q. Zhu, L.A. Yang // IEEE transactions onElectron Devices.

– 2017. – Vol. 64, no. 12. – P. 4875-4881.7. Kodera, M. Impact of Plasma-Damage-Layer Removal on GaN HEMTDevices / M. Kodera, A. Yoshioka, T., Sugiyama, T., Ohguro, T. Hamamoto,T. Kawamoto, T., Yamanaka, Z. Xinyu, S. Lester, N. Miyashita // Phys. StatusSolidi A.

– 2017. – Vol. 1700633. – P. 1-6.1628. Абрамов, А.С. Исследование ионной бомбардировки пленок аморфногокремния в процессе плазмохимического осаждения в высокочастотномразряде / А.С. Абрамов, А.Я. Виноградов, А.И. Косарев, А.С. Смирнов,К.Е. Оролов, М.В. Шутов // ЖТФ. – 1998 – Т. 68, вып. 2. – С. 47-53.9. Pearton, S.J. GaN: Processing, defects, and devices / S.J. Pearton, J.C. Zolper,R.J. Shul, F.

Ren // J. Appl. Phys. – 1999. – Vol. 86. – P.1-78.10.Davis, R.F. III-V nitrides for electronic and optoelectronic applications /R.F. Davis // Proc. IEEE. – 1991. – Vol. 79. – P. 702-71211.Zhang, W. Investigation of gallium nitride devices in high-frequency LLCresonant converters.

/ W. Zhang, F. Wang, D.J. Costinett, L.M. Tolbert, B.J.Blalock. // IEEE Transactions on Power Electronics. – 2017. –Vol. 32, no. 1. – P.571-583.12.Nakamura, S. High-brightness InGaN blue, green and yellow light emittingdiodes / S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama // Jpn J. Appl. Phys. –1995.–Vol. 34. – P. 797-799.13.Khan, M.A. High electron mobility transistor based on a GaNAlxGa1-xNheterojunction / M.A. Khan, A.R.

Bhattarai., J.N. Kuznia, D.T. Olson // Appl.Phys. Lett. – 1993. – Vol. 63. – P. 1214-1216.14.Mishra, U.K. GaN-based RF Power Devices and Amplifiers / U.K. Mishra,L. Shen, T. Kazior, Y. Wu // Proc. IEEE. –2008.–Vol. 96, no. 2.–P. 287-305.15.Chen, K.J. GaN-on-Si Power Technology: Devices and Applications / K.J.Chen, O. Haberlen, A. Lidow, C. Tsai, T. Ueda, Y. Uemotoi, Y. Wu // IEEETransactions on electronic devices. – 2017. – Vol. 64, no. 3. – P. 779-795.16.Kuzuhara, M.

AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor technology forhigh-voltage and low-on-resistance operation / M. Kuzuhara, J. Asubar, H. Tokuda// Jpn J. Appl. Phys. – 2016. – Vol. 55. – P. 1-12.17.URL:https://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2014/16318.Tilak, V. Pt/GaN Shottky diodes for harsh environment NO sensingapplications / V. Tilak, K.

Motacha, P. Sandvik // Phys. Stat. Sol. C. – 2005. Vol.2, no. 7. – P. 2555-2558.19.Morkoc, H. handbook of Nitride Semiconductors and devices Vol. 1 / H.Moroc. – Weinheim: WILEY-VCH Verlag Gmbh &Co. KGaA, 2008. – P. 125720.Волков,AlGaN/GaN,В.В.Полевыеполученныхтранзисторыметодомнааммиачнойосновегетероструктурмолекулярно-лучевойэпитаксии / В.В. Волков, В.П. Иванова, Ю.С.

Кузьмичев, С.А. Лермонтов,Ю.В. Соловьев, Д.А. Баранов, А.П. Кайдыш, Д.М. Красовский, М.В.Павленко, С.И. Петров, Ю.В. Погорельский, И.А. Соколов, М.А. Соколов,М.В. Степанов, В.П. Чалый // Письма в ЖТФ. – 2004. – Том 30, вып. 9. – С.69.21.Palacios, T. High-Power AlGaN/GaN HEMTs for Ka-Band Applications /T. Palacios, A. Chakraborty, S. Rajan, C. Poblenz, S.

Keller, S.P. DenBaars, J.S.Speck and U.K. Mishra // IEEE Electron Device Letters. – 2005. – Vol. 26, no. 11.– P. 781-783.22.Yanagihara, M. Recent advances in GaN transistors for future emergingapplications / M. Yanagihara, Y. Uemodo, T. Ueda, T.

Tanaka and D. Ueda //Phys. Status Solidi A. – 2009. – Vol. 206, no. 6. – P. 1221-1227.23.Lecourt, F. InAlN/GaN HEMTs on Sapphire Substrate with 2.9-W/mmOutput Power Density at 18 GHz / F. Lecourt, N. Ketteniss, H. Behmenburg, N.Defrance, V. Hoel, M. Eickelkamp, A. Vescan, C. Giesen, M. Hueken, J. Jaeger //IEEE Electron Device Letters. – 2011. – Vol. 32, no. 11. – P. 1537-1539.24.Adesida, I. Dry and Wet Etching for Group III-Nitrides / I. Adesida, C.Youtsey, A. Ping, F. Khan // MRS Proceedings.

– 1998. – Vol. 537. – G1.4.25.Sheppard, S.T. High-power microwave GaN/AlGaN HEMTs on semi-insulating silicon carbide substrates / S.T. Sheppard, K. Doverspike, W.L. Pribble,S.T. Allen, J.W. Palmour, L.T. Kehias, T.J. Jenkins // IEEE Electron DeviceLetters. – 1999. – Vol. 20, no. 4. – P. 161-163.16426.McCarthy, L. A first look at AlGaN/GaN HBTs / L. McCarthy, P.

Kozodoy,M. Rodwell, S. DenBaars, U.K. Mishra // Compound Semiconductor. – 1998. –Vol. 4, no. 8. – P. 16-18.27.Kneissl, M. Characterization of AlGaInN diode lasers with mirrors fromchemically assisted ion beam etching / M. Kneissl, D.P. Bour, N.M. Johnson, L.T.Romano, B.S.

Krusor, R. Donaldson, J. Walker, C. Dunnrowicz // Appl. Phys.Lett. – 1998. – Vol. 72, no. 13. – P. 1539-1541.28.Binet, F. Realization and optical characterization of etched mirror facets inGaN cavities / F. Binet, J.Y. Duboz, N. Laurent, C. Bonnat, P. Collot, F. Hanauerand R.L. Aulombard // Appl.

Phys. Lett. – 1998. – Vol. 72, no. 8. – P. 960-962.29.Zhu, K. Plasma etching of AlN/AlGaInN superlattices for device fabrication/ K. Zhu, V. Kuryatkov, B. Borisov, S.A. Nikishin, H. Temkin and M. Holtz //Appl. Phys. Lett. – 2002. – Vol. 81, no. 25. – P. 4688-4690.30.Rawal, Dipendra Singh.

Comparative study of GaN mesa etch characteristicsin Cl2 based Inductively coupled plasma with Ar and BCl 3 as additive gases /Dipendra Singh Rawal, H. Arora, B. K. Sehgal, R. Muralidharan // Journal ofVacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. – 2014. – Vol.32, no. 3. – P. 1-10.31.Lee, C. DC and microwave performance of recessed-gate GaN MESFETusing ICP-RIE / C, Lee, W.

Lu, E. Piner, I. Adesida // Solid State Electron. – 2002.– Vol. 46, no. 5. – P. 743-746.32.Zhuang, D. Wet etching of GaN, AlN, and SiC: a review / D. Zhuang, J.H.Edgar // Material Science and Engineering. – 2005. – Vol. 48. – P. 1-46.33.Ruterana, P. Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and devices /P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer. – Weinheim: WILEY-VCH. – 2003. –664 P.34.Strite, S. GaN,AlN, and InN: A review / S.

Strite, H. Morkoc // Journal ofVacuum Science & Technology B. Nanotechnology and Microelectronics:165Materials, Processing, Measurement, and Phenomena. – 1992. – Vol. 10, no. 4. –P. 1237-1266.35.Pankove, J.I. Gallium Nitride (GaN) I / J.I. Pankove, T.D. Moustakas. – San-Diego: Academic Press. – 1998.

– 517 P.36.Ibbetson, J.P. Polarization effects, surface states and the source of electronsin AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor / J.P. Ibbetson, P.T. Fini, K.D.Ness, S.P. DenBaars, J.S. Speck and U.K. Mishra // Appl. Phys. Lett. – 2000. –Vol. 77, no. 2. – P. 250-252.37.Bernardini, F.

Spontaneous polarization and piezoelectric constants of III-Vnitrides / F. Bernardini, V. Fiorentini and D. Vanderbilt // Phys. Rev. B. – 1997. –Vol. 56, no. 16. – P. 10-27.38.Kramer, M. Gallium Nitride-based Microwave High-Power HeterostructureField-Effect Transistors / M. Kramer. – Eindhoven: CIP DATA LIBRARYTECHNISCHE UNIVERSITEIT. – 2006. – 241 P.39.Moore, J. Principles of Chemistry: The Molecular Science / J. Moore, C.Stanitski, P. Jurs. – Belmont CA: Cengage Learning. – 2009. – 1037 P.40.Allred, A.L. Electronegativity values from thermochemical data / A.L.Allred // Journal of Inorganic and Nuclear Chemistry.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Зачем заказывать выполнение своего задания, если оно уже было выполнено много много раз? Его можно просто купить или даже скачать бесплатно на СтудИзбе. Найдите нужный учебный материал у нас!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6392
Авторов
на СтудИзбе
307
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее