0730-1-opreview (1144195)
Текст из файла
ОТЗЫВ ОФИЦИАЛЬНОГО ОППОНЕНТА на диссертационную работу Андрианова 1-1иколая Александровича "'Плазменные процессы в технологии НЕМТ транзисторов на основе 1П-ни.)ридов", представленную па соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.04 — "Физическая электроника"' Тема представ:)енпой Н.Л. Андриановым диссертационной работы актуальна, поскольку 1!ЕМТ транзисторы, использующие свойства гетероструктур на основе 111-)Г по.)упрово;)пиковых соединений, занимают важную нишу в современной полупроводниковой '):)скГРОникс В нерву!О Очерсдь В сВязи с п)згрсопостями Высокочас!О)п!Ои ')схники. Вйжнос)ь конкрс)н),)х исследований Н.А. Андрианова обусловлена тем, что в технологии пзгоговлс>)ия таких полупроводниковых приборов широко применяются методы, основ)шные на лспо.п з!)в;шии свойств плазмы, генерируемой В различных гаювых средах.
Дисссрг))ционная работа содержит введение, семь глав (включая введение), зак:почснис. и список:)итсрг)гурп))х ис >о )ников, состоягций из 218 наименован>)Й. Глава 1 ("Введение") содержит обоснование актуальности темы, цель и задачи рабо)ы. О)О)сйнпс )шучноЙ нош)зпы и Г)рактической цен»ости полу~)енных резуль)т)тов. й т)нокс к1хп кос описйппс объектов и методов исследования, используемых в работе. В этой главе содержатся >йкжс Вьщосимью на защиту научные положения, приводится обоснование достовср>юсги получсшп)х результ'))ов, описываются данные об апробации работы. Крох)е того, )лава ! содержит список публикаций автора по теме исследования, здесь отмечен его личный вклад В получс)пш результатов.
13 конце Главы дается информация о структуре и объеме дисссрт;щпи, приво;пггся краткое содержание выполненной работы. рг!'О))ая >з!йв)! НосвяГ>ьс)га анализу лиГер))гурь!. Относяшейс)! к Гсмс исс.'>с>)овйни>). >Псс! приво,>5)>ся дйнпыс О физпч!ских свойспгах 1>ядй Гб)инарн))х сх)с)п)пспиЙ Л>>>13я и т)юйно>О соединения А1Оа)). Описываются также )етероструктуры Оа)х)>Л16ВМ, которые использу)отея при изго)пилении НЕМ'1 транзисторов.
Рассмотрены основные технологические процедуры, примсшпощисся в те)п)ологии производства транзисторов, а также средства дивы)осгики свойств материалов и приборов. Ьольшое внимание уделяется обзору литературных данных. когорыс ш)свя>пены сухим (плазмсш)ым) методам обработки, примсн>пощимся В Гсхпо.>о! ии из)о>овленпя ОГ)х)>Л)ОВЬ) гстероструктур. 1'ассматриваются, в частности. Зины испольйсмых газоразрядных реакторов. В главе описан также один из методов анализа энергетического чйстиг), которые Генерирую)ся В плйзмс рейкторов. 1'лйву зйвср)пйкп Вьп)о))ы >н> результатам сделанного обзора, а также перечень конкретных задач исслс,)овйпий в рамках рйбо гы над диссертацией.
В >рс)ьсй !.'иве дается описание методик и установок. которые испо ппую>!я в )кспсримагггцп,пых исследованиях, Сюда относятся установки, которые приме)ппспся;шя прове;!спи)! Техно)югичсских оцерйций В ус))ови>)х Воздеис)ви)! )Га исс))сд)смыс Обьск)ы Гй>оразряднОЙ плазмь! В различных ГйзОВых средах. КрйткО ОписыВ))ется )ц>и)п)ип '[сйствия и конс)р) кция впал)г)азора энсрГетических спектров пОтОкОВ иОИОВ в пла:)х)с рйй)яд:!. 1'ассмотрепы методы измерения параметров исследуемых полупроводниковых с >рукт) р.
1 С'одсржапис )ксперимеиталыгых исслсдоваппй. Вьп[о)п[спш,[х в раооге, оп)югап. В Гз.п)ах 7. Они В
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
