0730-3-freview (1144199)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

195251, Санкт-Петербург, ул, Политехническая, д. 29 Диссертационный совет Д 212.229.01 при Федеральном государственном автономном учреждении высшего образования «СанктПетербургский политехнический университет Петра Великого» Отзыв На автореферат диссертации Андрианова Николая Александровича «Плазменные процессы в технологии НЕМТ транзисторов на основе 111-нитридов», представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (специальность 01.04.04 — физическая электроника).

Диссертационная работа Андрианова Н.А. посвящена экспериментальному исследованию и оптимизации плазменных процессов обработки поверхности НЕМТ (Н1й)з-Е1есггоп-МоЬ11йу-Тгапз1аюг) структур на основе А1баМ/баМ для достижения высоких эксплуатационных характеристик мощных, высокочастотных транзисторов на этой основе. Значительное место в диссертации уделено разработке и созданию методами микроэлектроники и плазменного травления планарного энерганализатора для 1п-з1ш диагностики плазменных технологических режимов. Широкозонные полупроводниковые материалы, такие как нитрид галлия (ОаХ) и другие ннтриды металлов третьей группы (111-нитриды) в настоящее время стали рассматриваться как наиболее перспективные базовые материалы для электронных приборов нового поколения.

Уже сейчас электронная элементная база на основе 111-нитридов превосходит по своим характеристикам аналоги на основе кремния, арсенида галлия и карбида кремния, что обусловлено целым рядом уникальных физических свойств П1-нитридов. Технология создания мощных, высокочастотных НЕМТ транзистора на основе 111-нитр идол, и в частности на А10аМ/баХ, принципиально требует, в силу химической инертности материалов, использования плазменных методов травления и обработки поверхности для формирования топологии прибора. В технологии создания приборов на нитридах 111 группы важное значение приобретают также плазменные методы обработки поверхности, которые в отличие от традиционного травления (удаление материала), призваны модифицировать поверхностный химический состав полупроводниковых структур для улучшения эксплуатационных характеристик приборных структур. В процессах плазменной обработки крайне существенной оказывается энергия ионов, бомбардирующих структуру.

Контроль и управление энергией ионов необходим для оптимизации процессов плазменной обработки, используемых для достижения высоких эксплуатационных характеристик НЕМТ транзисторов на основе А1ОаХ/ОаХ. Поэтому тема диссертации, безусловно, актуальна. При выполнении диссертационной работы был получен целый рад важных как с фундаментальной, так и с практической точки зрения результатов. Так было установлено, что существует оптимальная величина энергии ионов, бомбардирующих поверхность ОаХ сар-слоя НЕМТ структуры в режиме ?СР-8?Е обработки в ВС1з плазме, которая препятствует образованию полимера В„С!„, позволяет эффективно удалять поверхностную оксидную пленку Оа„О, и в тоже время не приводит к полному стравливанию сар-слоя, толщина которого составляет всего 20 А. При этом показано, что такая обработка обеспечивает существенное снижение поверхностного потенциального барьера для транспорта электронов и дает возможность получить низкое сопротивление омических контактов к транзисторной структуре, Отметим, что снижение контактного сопротивления в структурах мощных транзисторов позволяет помимо уменьшения паразитного выделения тепла достичь также снижения коэффициента шума транзисторов.

Представляется очень важным результат, состоящий в том, что установлен режим плазмохимической обработки в емкостном газовом разряде в среде ЯГ» поверхности верхнего «сар-слоя» ОаИ НЕМТ-структур на основе А?ОаХ/баХ, который приводит к существенному увеличению напряжения поверхностного пробоя А!ба? ?%а?'? ПЕМТ структур. Показано, что увеличение напряжения поверхностного пробоя НЕМТ структур связано с уменьшением плотности поверхностных состояний за счет замещения поверхностной оксидной пленки Оа,О„на пленку типа ОаГ„. Стоит особо отметить то, что диссертантом был разработан и с использованием методов микроэлектроники создан компактный анализатор энергии ионов, способный работать непосредственно в плазменных реакторах без использования дополнительных камер откачки. На разработанный прибор получен патент.

Важно также то, что все разработанные диссертантом технологические плазменные процессы обработки поверхности успешно апробированы и внедрены в реальные технологические маршруты создания НЕМТ транзисторов на основе П1-нитридов в АО «Светлана-Рост», г, СанктПетербург. В качестве замечания по автореферату можно отметить„что структура автореферата (и соответственно диссертации) выглядит немного необычной: введение названо «главой 1».

В большинстве случаев структура диссертаций, имеет введение, оригинальные главы, заключение. Данное замечание, однако, не носит принципиального характера и не умаляет значимости представленного автором материала, Об уровне и .

Характеристики

Тип файла PDF

PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.

Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.

Список файлов диссертации