0730-1-freview (1144193)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

195251, Санкт-Петербург, ул, Политехническая, д. 29 Диссертационный совет Д 212.229.01 при Санкт-Петербургском политехническом университете им. Петра Великого Отзыв на автореферат диссертации Андрианова Николая Александровича «Плазменные процессы в технологии НЕМТ транзисторов на основе 111-нитридов», представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (специальность 01.04.04 — физическая электроника) Диссертация Андрианова Н,А.

посвящена исследованию воздействия плазмы газового разряда на поверхностные свойства баХ в технологических процессах создания НЕМТ транзисторов на основе 111-нитрндов. Полупроводниковые приборы на основе 111-нитридов по целому ряду своих характеристик превосходит традиционные аналоги на основе кремния, арсенида галлия и карбида кремния, что вызвано уникальными физическими свойствами П1-нитридов. В технологии создания приборов на 111-нитридах важное значение имеют плазменные процессы обработки поверхности. Такие процессы, в отличие от традиционного травления. призваны модифицировать поверхностный химический состав полупроводниковых структур для улучшения эксплуатационных характеристик получаемых приборов.

Следовательно, исследования, направленные на изучение особенностей процессов, протекающих в ходе плазменного воздействия на 111-нитридные структуры, а также их оптимизация являются актуальными для изготовления современной элементной базы микроэлектроники. Работа, представленная Андриановым Н.А., интересна рядом следующих обстоятельств. 1. В работе установлен ряд оптимальных режимов плазменной обработки поверхности НЕМТ структур на основе 111-нитридов для достижения высоких эксплуатационных характеристик транзисторов на А1баМ'баХ. Показано, что при плазменной обработке ключевую роль играет энергия ионов, бомбарднрующих поверхность транзисторной структуры.

Оптимальная энергия ионов, в свою очередь, приводит к предотвращению образования полимерных пленок типа ВС1, в ходе плазменной обработки и снижению сопротивления омических контактов к А1баХ!баХ структурам за счет удаления поверхностной оксидной пленки н уменьшения поверхностного барьера для транспорта электронов. 2. Установлен режим плазмохимической обработки в емкостном газовом разряде в среде ЯГ6 поверхности верхнего «сар-слоя» баМ НЕМТ-структур на основе А!баХМаХ, который приводит к существенному увеличению напряжения поверхностного пробоя А1Оа1М/ОаХ НЕМТ структур. Показано, что увеличение напряжения поверхностного пробоя НЕМТ структур связано с уменьшением плотности поверхностных состояний за счет замещения поверхностной оксидной пленки ба,О~ на пленку типа бар,.

3. Продемонстрировано влияние частоты возбуждаемого емкостного разряда в Х на токи насыщения НЕМТ-структур. Падение токов насьпцения, связано с величиной энергии падающих на поверхность ОаХ ионов. Наиболее заметное уменьшение токов насыщения наблюдается при понижении частоты плазменного генератора. 4. Кроме того, в диссертации значительное внимание уделено разработке и созданию компактного планарного энергоанализатора для т-яш диагностики газового разряда и плазменных технологических процессов. Особенно стоит выделить, что разработанные диссертантом технологические плазменные процессы обработки поверхности успешно апробированы и внедрены в реальные технологические маршруты создания НЕМТ транзисторов на основе 1П- нитридов в АО «Светлана-рост», г, Санкт-Петербург.

На основании вышесказанного считаю, что диссертация Андрианова Н.А. удовлетворяет всем требованиям, предъявляемым ВАК к кандидатским диссертациям, а автор по своей квалификации, безусловно, заслуживает присуждения ему ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.04 — физическая электроника. Д. ф.-м. н., С.н.с, /1Орий Евгеньевич Горбачев! руководитель отдела исследований 000 «Коддан Текнолоджис» ЬПр:Оч~и ~ч.йео1пй-1есЬпо!срез,сопъ' ~~~~! 1ьоС6 ~,~~ст~ар».. Е ~-~ й~ С С~ Й ~'~'~~~ '~~~~е~'е' ,~'~ ,'"-:.-~$,"1Р с~ /,~ф~а Е.

~0иЬг уг'ь~ ~м~.айфор. гт «='~ ° ~-' ф""'-"~~'~" 'с"~~= ' /'* ~~: И, рэ'~ 2- .

Характеристики

Тип файла PDF

PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.

Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.

Список файлов диссертации