0730-4-freview (1144200)
Текст из файла
~ Я ~ ЕСН 999999.1п1ес)г-дуайр.ги Дата: 26.11.2018 Страница 1 из 2 Куда: 195251, Санкт-Петербург, ул, Политехническая, д, 29 Диссертационный совет Д 212.229.01 при Санкт-Петербургском политехническом университете им. Петра Великого Отзыв на автореферат диссертации Андрианова Николая Александровича «Плазменные процессы в технологии НЕМТ транзисторов на основе 1И-нитридов», представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (специальность 01.04.04 — физическая электроника) Диссертация Андрианова Н. А.
посвящена исследованию влияния параметров плазмы газового разряда на свойства поверхности Оай в условиях технологии создания НЕМТ транзисторов на основе И!-нитридов. Электронная элементная база на основе И1-нитридов по целому ряду своих характеристик превосходит традиционные аналоги на основе кремния, арсенида галлия и карбида кремния, что обусловлено набором уникальных физических свойств 1И-нитридов. В технологии создания приборов на И1-нитридах важное значение имеют плазмохимические методы обработки поверхности, которые могут модифицировать поверхностный химический состав полупроводниковых структур и улучшить (или ухудшить) эксплуатационные характеристики получаемых приборов. Поэтому исследования направленные на изучение особенностей процессов протекающих в ходе воздействия плазмы газового разряда на 1И-нитридные структуры, а также оптимизация этих процессов являются, безусловно, актуальными для развития технологии современной элементной базы микроэлектроники.
Актуальность и привлекательность работы, представленной Андриановым Н. А., определяется следующими аспектами: В работе установлена взаимосвязь режима плазмохимической обработки поверхности НЕМТ структур на основе 1И-нитридов и эксплуатационными характеристиками транзисторов на А1Оа1517Оа1ч. Показано, что величина энергии ионов является существенным параметром обработки и непосредственно влияет на процессы, проходящие на поверхности структуры. Показано что оптимизация величины средней энергии ионов позволяет подобрать режим плазменной обработки не приводящий к образованию полимерных пленок на поверхности и эффективному удалению оксидной пленки, что приводит к существенному снижению сопротивления омических контактов к А1Оай/Оа(51 структурам.
Установлен режим плазмохимической обработки в емкостном газовом разряде в среде ЯЕ5 поверхности верхнего «сар-слоя» Оа(51 НЕМТ-структур на основе А1Оай!Оа(к), который приводит к существенному увеличению напряжения поверхностного пробоя А(Оай!Оа(к) НЕМТ структур. Показано, что увеличение напряжения поверхностного пробоя НЕМТ г. Санкт-Петербург ~ г.
москва 197374 ул О иков, д 4 кОРп г, л т Л оф гО9 ' 107045, Лщеупов пер, д 9 оф 1 Тел +7 1812) 493-24-80. ~ тел лвакс +7 и85) 725-24-во Фащ +7 18121 493-24-82 г. Новосибирск 830007,ул Коммунистинескав,д 35, кори а,оф 138 ЛО ииитЕК ЛиапнтИКаи, ИНН 7802400158, КПП 781401001, ОГРН 1077847530430. р С 40702810110000008098 В Ф ОПЕРУ БаНКа ВтБ ГПЯОГ В СаНКт ПвтЕРОУРтв т СаНК~- и и пмк пкипчптпк чп1птятпопппппппптпк п.лпп опп ок вгт ~ Я ~ ЯСН УУУУЗАГ,ГОГесГУ-8ГООР.ГО Дата: 26.11.2018 Страница 2 из 2 структур связано с уменьшением плотности поверхностных состояний за счет замещения поверхностной оксидной пленки 6а„О, на пленку типа 6аР„.
Продемонстрирована связь между параметрами ионной бомбардировки и их вариации за счет изменения частоты злектрического смещения подложки и токами насыщения получаемых НЕМТ-структур. Значительное внимание уделено разработке и созданию компактного планарного знергоанализатора для Г'п-БГ1ц диагностики газового разряда в условиях технологических установок плазмохимического травления. Разработанные диссертантом технологические плазменные процессы обработки поверхности успешно апробированы и внедрены в технологические маршруты создания НЕМТ транзисторов на основе Ш-нитридов в АО «Светлана-Рост», г. Санкт-Петербург. 5.
В качестве замечаний по автореферату можно отметить; 1. Из текста не очевидно какое экспериментальное или технологическое оборудование использовано диссертантом в работе и каковы его конструктивные особенности, что в определенной степени затрудняет обобщение приводимых результатов. 2. Из текста реферата не следует необходимость и целесообразность рассмотрения установок плазмохимического осаждения в контексте представленных исследований и их результатов. /Орлов Константин Евгеньевич/ Кандидат физико-математических наук Руководитель направления плазмохимического оборудования АО «Интек Аналитика» г.
Санкт-Петербург г. Москва ( г. Зеленоград 197374. Уп Оптикге, д4, кори 2, пиг А оф 209 107ОГ5, Ащеупоа пер„д 9, офт ! 124498, проеад 4922,д 4, стр 5 т 7;в гу 493-24180 теп геакс -7 Г495У 725-24-80 , Теп ГФакс +7 Г495У 725-24-80 Факс г-7 18121 493.24-82 АО кннгек Аналитика», ИНН 7802400158 КПП 781401001 ОГРН!077547530430 ргс 40702810110000008095 а Ф ОПЕРУ г. Новосибирск 830007 уп Коннунис и еоеи, д 35, кори З.огр 13а те гс акс +7 звз згв.уз.ву Банка ВТБ ГПАОГ а Санкт-Петербурге г Санкт- и и пик йккйтй7йь ." тйтг тятйоййййййййтйк Й.иййлййлк.пй " г иг, На основании вышесказанного считаю, что диссертация Андрианова Н. А.
удовлетворяет всем требованиям, предъявляемым ВАК к кандидатским диссертациям, а автор по своей квалификации, безусловно заслуживает присуждения ему ученой степени кандидата физикоматематических наук по специальности 01.04.04 — физическая электроника. .
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.