Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1144206), страница 22

Файл №1144206 Диссертация (Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов) 22 страницаДиссертация (1144206) страница 222019-06-23СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 22)

– 1961. Vol. 17, no. 3-4. – P.215-221.41.Ambacher, O. Pyroelectric properties of Al(In)GaN/GaN hetero andquantum well structures / O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M.Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Talik, B.Schaff and L.

Eastmann // J. Phys.: Condens. Matter. – 2002. – Vol. 14, no. 13. –P. 3399-3434.42.Lawaetz, P. Stability of Wurtzite Structure / P. Lawaertz // Physical ReviewB. – 1972. – Vol. 5, no. 10. – P. 4039-4045.43.Quay, R. Gallium Nitride Electronics / R. Quay. – Berlin: Springer. – 2008.– 469 P.16644.Zuniga-Perez, Jesus. Polarity in GaN and ZnO: Theory, measurement,growth, and devices / Jesus Zuniga-Perez, Vincent Consonni, LiveriosLymperakis, Xiang Kong, Achim Trampert, Sergio Fernandez-Garrido, OliverBrandt, Hubert Renevier, Stacia Keller, Karine Hestroffer, Markus Wagner, JuanSebastian, Fatih Akyol, Siddharth Rajan, Stephanie Rennesson, Tomas Palacios,Guy Feuillet // Appl. Phys. Reviews.

– 2016. – Vol. 3. – P. 1-100.45.Shen, X.Q. Stability of N - and Ga – polarity GaN surfaces during thegrowth interruption studied by reflection high-energy electron diffraction / X.Q.Shen, T. Cho, M. Shimizu, S. Hara, H. Okumura // Appl. Phys. Lett. – 2000. – Vol.77. – P. 4013-4015.46.Monroy, E. Growth kinetics of N-face polarity GaN by plasma-assistedmolecular-beam epitaxy / E.

Monroy, E. Sarigiannidou, F. Fossard, N. Gogneau, E.Bellet-Amalric et al. // Appl. Phys. Lett. – 2004. – Vol. 84, no. 18. – P. 3684-3686.47.Hellman, E.S. The Polarity of GaN: a Critical Review / E.S. Hellman //MRS Internet journal of Nitride Semiconductor Research. – 1998. – Vol. 3. – P. 111.48.Yao, T. Oxide and Nitride Semiconductors / T. Yao, Soon-Ku Hong. Berlin:Springer. – 2009.

– 517 P.49.Ambacher, O. Two dimensional electron gases induced by spontaneous andpiezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures / O.Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. Shealy, N. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A.Seirakowski, W. Schaff, R. Dimitrov, A. Mitchell, M. Stutzmann, L. Eastman // J.Appl. Phys. – 2000. –Vol. 87, no. 1. – P. 334 -344.50.Binari, S.C.

Trapping effects and microwave power performance inAlGaN/GaN HEMTs / S.C. Binari, K. Ikossi, J.A. Roussos, W. Kruppa, D. Park,H.B. Dietrich, D.D. Koleske, A.E. Wickenden, R.L. Henry // IEEE Transactions onElectron Devices. – 2001. – Vol. 48. – P. 465-471.51.Green, B.M. The effect of surface passivation on the microwavecharacteristics of undoped AlGaN/GaN HEMTs / B.M. Green, K.K.

Chu, E.M.167Chumbers, J.A. Smart, J.R. Shealy and L.F. Eastman // IEEE Electron DeviceLetters. – 2000. – Vol. 21, no. 6. – P. 268-270.52.Ibbetson, J.P. Polarization effects, surface states, and the source of electronsin AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors / J.P. Ibbetson, P.T. Fini,K.D. Ness, S.P. DenBaars, J.S. Speck, U.K.

Mishra // Appl. Phys. Lett. – 2000. –Vol. 77, no. 2. – P. 250-252.53.Pruntly, T.R. Passivation of AlGaN/GaN heterostructures with siliconnitride for insulated gate transistors / T.R. Pruntly, J.A. Smart, E.M. Chumbers,B.K. Ridley, L.E. Eastman and J.R. Shealy // IEEE Proceedings of HighPerformance Device Conference.

– 2000. – Vol. 1. – P. 208-214.54.Vetury, R. The impact of surface states on DC and RF characteristics ofAlGaN/GaN HFETs / R. Vetury, N.Q. Zhang, S. Keller, U.K. Mishra // IEEETransactions on Electron Devices. – 2001. – Vol. 48, no. 3. – P. 560-566.55.Милнс, А. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник / А.Милнс, Д.

Фойхт. М.: Радио и связь. – 1975. – 432 С.56.Schroder, D.K. Semiconductor material and device characterization / D.K.Schroder. New York: John Wiley. – 1998. – 800 P.57.Crofton, J. The physics of ohmic contacts to SiC / J. Crofton, L.M. Porter,J.R. Williams // Phys. Stat. Sol. – 1997. – Vol. 202. – P. 581-603.58.Greco, Giuseppe. Ohmic contacts to Gallium Nitride materials / G. Greco, F.Iucolano, F.

Roccaforte // Appl. Surface Science. – 2016. – Vol. 383. – P. 1-52.59.Бланк, Т.В. Механизмы протекания тока в омических контактахметалл-полупроводник / Т.В. Бланк, Ю.А. Голдберг // Физика и техникаполупроводников. – 2007. – Т. 41, вып. 11. – С. 1281-1308.60.Lide, D.R.

CRC Handbook of Chemistry and Physics / D. R. Lide. NewYork: CRC Press. –2000. – 2556 P.61.Foresi, J.S. Metal contacts to gallium nitride / J.S. Foresi, T.D. Moustakas //Appl. Phys. Lett. – 1993. – Vol. 62. – P. 2859.16862.Wu, Y.F. Low resistance ohmic contact to n-GaN with a separate layermethod / Y.F. Wu, W.N.

Jiang, B.P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, SA.P.DenBaars, U.K. Mishra, B. Wilson // Solid-state Electronics. – 1997. – Vol. 41, no.2. – P. 165-168.63.Yoon, Seonno. Localized TiSi and TiN phases in Si/Ti/Al/Cu Ohmiccontacts to AlGaN/GaN heterostructures / S. Yoon, Y. Song, S. Lee, H. Lee, J. Oh// Semiconductor Science and Technology.

– 2016. – Vol. 31, no. 5. – P. 1-6.64.Ruvimov, S. Microstructure of Ti/Al Ohmic contacts for n-AlGaN / S.Ruvimov, Z. Liliental-Weber. J. Washburn, D. Qiao, S. Lau, P. Chu // Appl. Phys.Lett. – 1998. – Vol. 73, no. 18. – P. 2582-2584.65.Liu, Q.Z. A review of the metal-GaN contact technology / Q.Z.

Liu, S.S.Lau // Solid State Electronics. – 1998. – Vol. 42, no. 5. – P. 677-691.66.Lu,Changzhi.Temperatureanddoping-dependentresistivityofTi/Au/Pd/Au multilayer ohmic contact to n-GaN / C. Lu, H. Chen, X. Lv and X.Xie // Journal of Applied Physics. – 2002. – Vol. 91, no. 11. – P. 9218-9224.67.Motayed, A. R. Electrical, thermal, and microstructural characteristics ofTi/Al/Ti/Au Multilayer ohmic contacts to N-type GaN / A.R.

Motayed, A.R.Bathe, M.C. Wood, O.S. Diouf, R.D. Vispute, S. Mohammad // Journal of AppliedPhysics. – 2002. – Vol. 93, no. 2. – P. 1087-1094.68.Reddy. R. Electrical and structural properties of Ti/W/Au ohmic contacts onn-type GaN / R. Reddy, S. Tae-Yeon // Semiconductor science and Technology. –2004. – Vol. 19, no. 8. – P. 975-979.69.Wang, Liang.

Characterization of Au and Al segregation layer in post-annealed thin Ti/Al/Mo/Au Ohmic contacts to n-GaN / L. Wang, F. Mohammed, I.Adesida // Journal of applied Physics. – 2005. – Vol. 98. – P. 1-3.70.Lucolano, F. Temperature dependence of the specific resistance inTi/Al/Ni/Au contacts on n-type GaN / F. Lucolano, F. Roccaforte, A. Alberti, C.Bongirno, S. Franco, V. Rieneri // Journal of Appl. Phys. – 2006. – Vol. 100, no.12. – P. 1-8.16971.Kim, Hyunsoo. Electrical characteristics of contacts to thin film N-polar n-type GaN / H. Kim, J. Ryou, R.

Dupuis, S. Lee, Y. Park, J. Jean, T. Seong // Appl.Phys. Lett. – 2008. – Vol. 93, no. 19. – P. 1-3.72.Borysiewicz, M.A. Thermal stability of multilayer Ti2AlN-based ohmiccontacts to n-GaN in ambient air / M.A. Borysiewicz, M.

Mysliwiec, K.Golaszewska, R. jakiela, E. Dynowska, E. Kaminska, A. Piotrowska // Solid-StateElectronics. – 2014. – Vol. 93. – P. 15-19.73.Ruvimov, S. Microstructure of Ti/Al and Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts for n-GaN / S. Ruvimov, Z. Weber, J. Washburn, K. J. Duxstad, E.E. Haller, Z. F. Fan,S.N. Mohammad, W. kim, A.E.

Botchkarev, H. Morkoc // Appl. Phys. Letters. –1996. – Vol. 69, no. 11. – P. 1556-1558.74.Van Deale, B. The role of Al on Ohmic contact formation on n-type GaNand AlGaN/GaN / B. Van Daele, G. Van Tendeloo, W. Ruythooren, J. Derluyn,M.R. Leys, M. Germain // Appl. Phys. Lett. – 2005.– Vol. 87. P.

1-3.75.Liu, Q.Z. Study of contact formation in AlGaN/GaN heterostructures / Q.Z.Liu, L.S. Yu, F. Deng, S.S. Lau, J.W. Yang, M.A. Khan // Appl. Phys. Lett. –1997. – Vol. 71, no. 12. – P. 1658-1660.76.Fan, Z. Very low resistance multilayer Ohmic contact to n-GaN / Z. Fan, S.Mohammad, W.

Kim, O. Aktaz, A. Botchkarev // Appl. Phys., Lett. – 1996. Vol.68, no. 12. – P. 1672-1674.77.Bright, A.N. Correlation of contact resistance with microstructure forAu/Ni/Al/Ti/AlGaN/GaN ohmic contacts using transmission electron microscopy /A.N. Bright, P.J. Thomas, M. Weyland, D.M. Tricker, C.J. Humpheys // Journal ofAppl. Phys. – 2001. Vol. 89, no. 6.

– P. 3143-3150.78.Zywietz, T.K. The adsorption of oxygen at GaN surfaces / T.K. Zywietz, J.Neugebauer, M., Scheffler // Appl. Phys. Lett. – 1999. – Vol. 74, no. 12. – P. 16951697.17079.Wang, D.F. Low-resistance Ti/Al/Ni/Au multilayer ohmic contact to n-GaN/ D.F. Wang, F. Shiwei, C. Motayed, M. Jah et al. // Journal of Appl.

Phys. –2001.– Vol. 89, no. 11. – P. 6214-6217.80.Kumar, V. Thermally stable low-resistance Ti/Al/Mo/Au multilayer ohmiccontacts to n-GaN / V. Kumar, L. Zhou, D. Selvanathan, I. Adesida // Journal ofAppl. Phys. – 2002. – Vol. 92, no. 3. – P. 1712-1714.81.Pelto, C.M. Thermally stable, oxidation resistant capping technology forTi/Al ohmic contacts to n-GaN / C.M.

Pelto, Y.A. Chang, Y. Chen, R. Williams //Journal of Appl. Phys. – 2002. Vol. 92, no. 8. – P. 4283-4289.82.Chen. Z.Z. Ohmic contact formation of Ti/Al/Ni/Au to n-GaN by two-stepannealing method / Z.Z. Chen, Z.X. Qin, C.Y. Hu, X.D. Hu, T.J. Yu, Y.Z. Tong,X.M. Ding, G.Y. Zhang // Mater. Sci. Enh. B. – 2004. Vol. 111. – P. 36-39.83.Reddy, R. Low-resistance Ohmic contacts to n-type GaN using Ti/Al/Re/Au.Multilayer scheme / V. Reddy, C.K. Ramesh // Journal of Optoelectronics andadvanced Materials. – 2004.

– Vol. 6, no. 1. – P. 177-182.84.Motayed. A. Realization of improved metallization Ti/Al/Ti/W/Au Ohmiccontacts to n-GaN for high temperature applications / A. Motayed, A.V. Davydov,W.J. Boetting, D. Jossel, A.J. Shapiro, I. Levin, T. Zheleva, G.L. Harris // PhysicaStatus Solodi C. – Vol. 2, no. 7. – P. 2536-2539.85.Khanna, R. Stability of Ti/Al/ZrB2/Ti/Au Ohmic contacts on n-GaN / R.Khanna, S.J.

Pearton, F. Ren, I.I. Kravchenko // Appl. Surface Science. – 2006. –Vol. 253, no. 4. – P. 2340-2344.86.Hou, W. Effects of oxygen thermal annealing treatment on formation ofohmic contacts to n-GaN / W. Hou, T. Detchprohm, C. Wetzel // Appl. Phys. Lett.– 2012. – Vol. 101. – P. 1-4.87.Mohammed, F.M. The role of barrier layer on Ohmic performance of Ti/Al– based contact metallizations on AlGaN/GaN heterostructures / F.M. Mohammed,L.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Как Вы думаете, сколько людей до Вас делали точно такое же задание? 99% студентов выполняют точно такие же задания, как и их предшественники год назад. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6392
Авторов
на СтудИзбе
307
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее