Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1144206), страница 24

Файл №1144206 Диссертация (Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов) 24 страницаДиссертация (1144206) страница 242019-06-23СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 24)

Hascik, I. Ryger, Z., Mozolova, J. Skriniarova,M. Tomaska, I. Kostic, A. Vincze // Vacuum. – 2010 – Vol. 84, no. 1. – P. 235237.124. Guo, H. Effect of GaN cap layer on the electrical properties of AlGaN/GaNHEMT / H. Guo, W. Yang, W. Zhou, C. Li // Applied Mechanics and Materials. –2012. – Vol. 217-219. – P. 2392-2396.125. Liu, Z.H. Reduced surface leakage current and trapping effects inAlGaN/GaN high electron mobility transistors on silicon with SiN/Al2O3passivation // Appl. Phys. Lett.

– 2011. – Vol. 98. – P. 1-3.126. Hu, E.L. Low-energy ion damage in semiconductors: A progress report /E.L. Hu, C.H. Chen, D.L. Green // J. Vac. Sci. Tecjnol – 1996. – Vol. B14. – P.3632.127. Pearton, S.J. Ar+ - ion milling characteristics of III-V nitrides / S.J. Pearton,C.K. Abernathy, F. Ren, J.R. Lothian // J. Appl. Phys.

– 1994. – Vol. 76, no. 2. – P.1210-1215.128. Lai, Y.H. Sputtering and Etching of GaN Surfaces / Y.H. Lai, C.T. Yeh,J.M. Hwang, H.L. Hwang, C.T. Chen. W.H. Hung // J. Phys. Chem. B– 2001. –Vol. 105. – P. 10029-10036.176129. Harafuji, K. Energy and angular dependence of incident Ar ion in dryetching of wurzite-type GaN crystal / K. Harafuji, K.

Kawamura // ICPIG 28. –2007. – P. 642-644.130. Райзер, Ю.П. Высокочастотный емкостной разряд / Ю.П. Райзер, М.Н.Шнейдер, Н.А. Яценко. – Москва: Наука Физматлит. – 1995. – 320 C.131. Lieberman, M.A. Principles of Plasma Discharges and Materials Processing/ M.A.

Lieberman, A.J. Lichtenberg. – New Jersey: John Wiley & Sons. – 2004. –749 P.132. Pearton, S.J. Processing of Wide Band Gap Semiconductors / S.J. Pearton.New York: William Andrew Publishing, LLC. – 2000. – 571 P.133. Shul, R.J. Handbook of Advanced Plasma Processing Techniques / R.J.Shul. – New York: Springer. – 2000. – 653 P.134. Adesida, I. Etching of GaN and Related Compounds / I. Adesida, J. Edgar,S. Strite, I.

Akasaki, H. Amano, C. Wetzel // EMIS Date Review. – 1999. – Vol.23.135. Shul, R.J. inductively coupled plasma etching of GaN / R.J. Shul et al. //Appl. Phys. Lett. – 1996. – Vol. 69, no. 8. – P. 1119-1121.136. Pearton, S.J. Dry and wet etching characteristics of InN, AlN, and GaNdeposited by electron cyclotron resonance metalorganic molecular beam epitaxy /S.J.

Pearton et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. – 1993. – Vol. 4. – P. 1772-1775.137. McLane, G.F. High etch rates of GaN with magnetron reactive ion etching inBCl3 plasmas / G.F. McLane // Appl. Phys. Lett. – 1995. – Vol. 66, no. 24. – P.2238-3330.138. Pearton, S.J. Dry etching of thin-film InN, AlN and GaN / S.J.

Pearton et al.// Semicond. Sci. Technol. – 1993. – Vol. 8 – P. 310-312.139. Zhang, L. Electron cyclotron resonance etching characteristics of GaN inSiCl4/Ar / L. Zhang et al. // Appl. Phys. Lett. – 1996. – Vol. 68, no. 3. – P. 367369.177140. Pearton, S.J. ‘’Dry Etching’’ in Gallium Nitride I / S.J. Pearton, R.J. Shul. –San-Diego: Academic. – 1998.141.

Pearton, S.J. Low bias electron cyclotron resonance plasma etching of GaN,AlN, and InN / S.J. Pearton, C.R. Abernathy, F. Ren // Appl, Phys. Lett. – 1994. –Vol. 64, no. 17. – P. 2294-2296.142. Shul, R.J. Plasma Chemistry Dependent ECR Etching of GaN / R.J., Shul etal. // Materials Research Society. – 1996, – Vol. 395. – P. 751-756.143. Cho, B.C.

Inductively coupled Plasma Etching of Doped GaN Films withCl2/Ar Discharges / B.C. Cho, Y.H. Im, Y.B. Hahn, K.S. Nahn, Y.S. Lee, S.J.Pearton // Journal of the Electrochemical Society. – 2000. – Vol. 147, no. 10. – P.3914-3916.144. Shul, R.J. Selective inductively coupled plasma etching og group-III nitridesin Cl2 and BCl3 based plasmas / R.J.

Shull, C.G. Willison, M.M. Bridges, J. Han,J.W. Lee, S.J. Pearton. C.R. Abernathy, J.D. MacKenzie, S.M. Donovan, L. Zhang,L.F. Lester // JVST A. – 1998. – Vol., 16, no. 3. – P. 1621-1626.145. Vartuli, C.B. ICP dry etching of III-V nitrides / C.B. Vartuli, J.W. Lee, J.D.MacKenzie, S.M. Donovan, C.R. Abernathy, S.J., Pearton // Mat. Res. Soc. Sy,p.Proc.

– 1997. – Vol. 468. – P. 393-399.146. Lee, Y.H. Etch characteristics of GaN using inductively coupled Cl2/Ar andCl2/BCl3 plasmas / Y.H. Lee, H.S. Kim, G.Y. Yeom, J.W. Lee, M.C. Yoo, T.I.Kim // JVST A. – 1998. – Vol. 16, no 3. – P. 1476-1482.147. Ping, A.T. Dry etching of GaN using chemically assisted Ion beam etchingwith HCl and H2/Cl2 / A.T. Ping, A.C. Schmitz, M. Asif Khan, I. Adesida //Journal of Electronic Materials.

– 1996. – Vol. 25, no. 5. – P. 825-829.148. Ping, A.T. Dry etching of AlxGa1-xN using chemically assisted ion beametching / A.T. Ping M.A. Khan, I. Adesida // Semicond. Sci. Technol. – 1997. –Vol. 12. – P. 133-135.178149. Cakmak, B. Ion beam and chemically assisted beam etching og InP withanisotropic and smooth surfaces / B. Cakmak, I.H.

White // Semicond. Sci.Technol. – 2001. – Vol. 16. – P. 930-935.150. Gillis, H.P. Low energy electron enhanced etching of Si (100) inhydrogen/helium direct current plasma / H.P. Gillis, D.A. Choutov, P.A. Steiner,J.D. Piper, J.H. Crouch, P.M. Dove, K.P. Martin // Appl. Phys. Lett. – 1995. – Vol.66, no. 19. – P. 2475-2477.151. Gillis, H.P.

The Dry etching of group III-nitride wide-bandgapsemiconductors / H.P. Gillis, D.A. Choutov, K.P. Martin // JOM. – 1996, – Vol. 48no. 8. – P. 50-55.152. Leonard, R.T. Photoassisted dry etching of GaN / R.T. Leonard, S.M. Bedair// Appl. Phys. Lett. – 1996. – Vol. 68, no. 6. – P. 794-796.153. Chuang, T.J. Laser Microfabrication: Thin Film Processes and Lithography /T.J. Chuang. – 1989.

– San Diego: Academic. – 87 P.154. Breitschadel, Oliver. Minimization of leakage Current of Recessed GateGaN/AlGaN HEMT by optimizing the Dry-Etching Process / O. Breitschadel, B.Kuhn, F. Scholz, H. Schweizer // Journal of Electron. Material. – 1999. – Vol. 28,no. 12. – P. 1420-1423.155.

Lanford, W.B. Recessed-gate enhancement-mode GaN HEMT with highthreshold voltage / W.B. Lanford, T. Tanaka, Y., Otoki, I. Adesida // ElectronicLetters. – 2005. – Vol. 41, no. 7. – P. 1-2.156. Wang, W. K. Low Damage, Cl2-Based Gate Recess Etching for 0.3-µmGate-Length AlGaN/GaN HEMT Fabrication / W.K. Wang, Y.J. Li, C.K. Lin, Y.J.Chan // IEEE Electron Device Letters. – 2004. – Vol. 25, no. 2.

– P. 52-54.157. Kauppinen, C. Atomic layer etching of gallium nitride (0001) / C.Kauppinen, S.A. Khan, J. Sundqvist, D. B. Suyatin, S. Suihkonen, E.I. Kauppinen,M. Soupanen // JVST A – Vacuum, Surface and Films. – 2017. – Vol. 35, no. 6. –P. 1-5.179158.

Kanarik, K.J. Overview of atomic layer etching in the semiconductorindustry / K.J. Kanarik, T. Lill, E.A. Hudsen, S. Sriraman, S. Tan, J. Marks, V.Vahedi, R. A. Gottscho // JVST A. – 2015. – Vol. 33, no. 2. – P. 1-14.159.Kanarik, K. Predicting synergy in atomic layer etching / K. Kanarik etal. // JVST A. – 2017. – Vol. 35, no. 5. – P. 1-7.160. Ohba, T. Atomic layer etching of GaN and AlGaN using directional plasmaenhanced approach / T. Ohba, W. Yang, S. Tan, K.

Kanarik, K. Nojiri // JapaneseJournal of Appl. Phys. – Vol. 56. – P. 1-3.161. Tonks, L. Flow of Ions through a Small Orifice in a Charged Plate / L.Tonks, H.M. Mott-Smith, I. Langmuir // Phys. Rev. – 1926. – Vol. 28. – P. 104128.162. Hutchinson, I.H. Principles of Plasma Diagnostics / I.H. Hutchinson. – NewYork: Cambridge University Press. – 1987. – 440 P.163. Ионов, Н.И. Исследование газоразрядной и космической плазмы спомощью многоэлектродных зондов (обзор) / Н.И. Ионов // ЖТФ. – 1964. – Т.54, вып. 5. – С. 769-787.164. Simpson, J.A.

Design of Retarding Field Energy Analyzers / J.A. Simpson //Review of Scientific Instruments. – 1961. – Vol. 32, no. 12. – P. 1283-1293.165. Ingram, S.G. Ion and electron energy analysis at a surface in an RFdischarge / S.G. Ingram, N.J. Braithwaite // J.

Phys. D. Appl. Phys. – 1988. – Vol.21. – P. 1496-1503.166. Bohm, C. Retarding field analyzed for measurements of ion energydistributions and secondary electron emission coefficients in low pressure radiofrequency discharges / C. Bohm, J. Perrin // Review of Scientific Instruments. –1993. – Vol.

64, no. 31. – P. 31-44.167. Козлов. О.В. Электрический зонд в плазме / О.В. Козлов. – Москва:Атомиздат. – 1969. – 291 C.180168. Sakai, Y. An Energy Resolution Formula of a Three Plane Grids RetardingField Energy Analyzer / Y. Sakai, I. Katsumata // Jpn. J. Appl. Phys. – 1985. –Vol., 24/1, no. 3. – P. 337-342.169.

Тютиков, А.М. Об искажениях, вносимых сетками в кривые задержкитрехэлектродных анализаторов / А.М. Тютиков, Ю.А. Шапиро // ЖТФ. – Т.33, вып. 10. – С. 1265.170. Baloniak, T. Calibration of a miniaturized retarding field energy analyzer forlow-temperture plasmas: geometrical transparency and collisional effects / T.Baloniak, R. Reuter, C. Flotgen, A. von Keudell // J.

Phys. D.: Appl. Phys. – 2010– Vol. 43, no. 5, – P. 55203.171. Hufner, S. Photoelectron spectroscopy: principles and applications / S.Hufner. – 1995. – Berlin: Springer-Verlag. – 241 P.172. Reeves, G.K. Obtaining the Specific Contact Resistance from TransmissionLine Model Measurements / G.K. Reeves, H.B. Harrison // IEEE Electron.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Как Вы думаете, сколько людей до Вас делали точно такое же задание? 99% студентов выполняют точно такие же задания, как и их предшественники год назад. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6392
Авторов
на СтудИзбе
307
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее