Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1144206), страница 23

Файл №1144206 Диссертация (Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов) 23 страницаДиссертация (1144206) страница 232019-06-23СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 23)

Wang, I. Adesida // Journal of Appl. Phys. – 2006. – Vol. 100. – P. 1-5.17188.Fay,M.W.StructuralandelectricalcharacterizationofAuTiAlTi/AlGaN/GaN Ohmic contacts / M.W. Fay, G. Moldovan, P.D. Brown, I.Harrison, J.C. Birbeck, B.T. Hughes, M.J. Uren, T. Martin // Journal of Appl.Phys. – 2002.

– Vol. 92, no. 1. – P. 94-100.89.Shriki, A. Formation mechanism of gold-based and gold-free contacts toAlGaN/GaN heterostructure field effect transistors / A.Shriki, R. Winter, Y.Calahorna, Y. Kauffmann, G. Ankonina, M. Einzenberg, D. Ritter // Journal ofAppl. Phys. – 2017. – Vol. 121. – P. 1-5.90.Motayed, A. Two-step surface treatment technique: Realization ofnonalloyed low-resistance Ti/Al/Ti/Au Ohmic contact to n-GaN / A.

Motayed, M.Jah, A. Sharma, W. Anderson, C. Litton, S. Mohammad // JVST B. – Vol. 22. – P.663-667.91.Selvanthan, D. Low resistance Ti/Al/Mo/Au Ohmic contacts forAlGaN/GaN heterostructure field effect transistors / D. Selvanathan, L. Zhou, V.Kumar, I. Adesida // Phys. Stat. Sol. (a). – 2002. – Vol. 194, no. 2. – P.

583-586.92.Kim, H.S. Effects of inductively coupled plasma conditions on the propertiesof GaN and Ohmic contact formation / H.S. Kim, Y.H. Lee, G.Y. Yeom, J.W. Lee,T.I. Kim // Material Science and Technology B. – 1997. Vol. 50. – P. 82-87.93.Yoon, S. Interfacial AlN formation of Si/Ti/Al/Cu Ohmic contacts forALGaN/GaN high-electron mobility transistors / S. Yoon, J. Bang, H. Lee, J. Oh //Microelectronic Engineering. – Vol.

151, no. C. – P. 60-63.94.Khan, M. Hall measurements and contact resistance in doped GaN/AlGaNheterostructures / M. Khan, M.S. Shur, Q. Chen // Appl. Phys. Lett. – 1996. – Vol.68. – P. 3022-3024.95.Liu, Q.Z. Study of contact formation in AlGaN/GaN heterostructures / Q.Z.Liu, L. Deng, S.S. Lau, Q. Chen, J. Yang, M.A. Khan // Appl. Phys. Lett. – 1997. –Vol. 71. – P. 1658-1660.17296.Qiao, D. Low resistance ohmic contacts on AlGaN/GaN structures usingimplantation and the “advancing” Al/Ti metallization / D.

Qiao, Z. Guan, J.Cariton, S. Lau // Appl. Phys. Lett. – 1999. – Vol. 74, no. 18. – P. 2652-2654.97.Kim, H. Investigation of Ta/Ti/Al/Ni/Au Ohmic contact to AlGaN/GaNheterostructures field effect transistor / K.H. Kim, C.M. jeon, S.H. Oh, J.L. Lee,C.G. Park, J.H. lee, K.S Lee, Y.M.

Koo // JVST B Microelectron. Nanometer.Struc. – 2005. – Vol. 23. – P. 322-326.98.Mohammad, S. Contact mechanisms and design principles for alloyed ohmiccontacts to n-GaN / S. Mohammad // Journal of Appl. Phys. – 2004. – Vol. 95, no.12. – P. 7940-7953.99.Zheng, Z.

Nonalloyed ohmic contact of AlGaN/GaN HEMTs by selectivearea growth of single-crystal n+ - GaN using plasma assisted molecular beamepitaxy / Z. Zheng, H. Seo, L. Pang, K.K. Kim // Phys. Status Solidi A. – 2011. –Vol. 208, no. 4. – P. 951-954.100. Maiboroda, I.O. Selective MBE growth of nonalloyed ohmic contacts to 2Delectron gas in high –electron-mobility transistors based on GaN/AlGaNheterojunctions101. Desmaris, V. Low-resistance Si/Ti/Al/Ni/Au multilayer ohmic contact toundoped AlGaN/GaN heterostructures / V. Desmaris, J. Eriksson, N. Rorsman, H.Zirath // Electrochem.

Solid. State Lett. – 2004. – Vol. 7, no. 4. – P. G72-G74.102. Van Daele, B. Mechanism for Ohmic contact formation on Si3N4 passivatedAlGaN/GaN high-electron-mobility transistors / B. Van Daele, G. Van Tendeloo,J. Derluyn, P. Shrivastava, A. Lorenz, M.R. Leys, M. Germain // Appl. Phys. Lett.– 2006. – Vol. 89. – P. 1-3.103. Buttari, A. Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching forimproved ohmics in AlGaN/GaN HEMTs / D. Buttari, A. Chini, G. Meneghesso,E. Zanoni, B. Moran, S. Heikman, N. Q. Zhang, L.

Shen, R. Coffie,S.P. DenBaars,U.,K., Mishra // IEEE Electron Device Letters. – 2002. – Vol. 17, no. 12. – P. 7678.173104. Wang, L. Direct contact mechanism of Ohmic metallization to AlGaN/GaNheterostructures via Ohmic area recess etching / L. Wang, D. Kim, I. Adesida //Appl. Phys. Lett. – 2009. – Vol. 95. – P. 1-3.105. Miyoshi, M. DC characteristics in High-Quality AlGaN/AlN/GaN HighElectron-Mobility Transistors Grown on AlN/Saphire Templates / M. Miyoshi, A.Imanishi, T. Egawa, H. Ishikawa,m K. Asai, T. Shibata, M. Tanaka, O. Oda // Jap.Journal. Of Appl.

Phys. – 2005. – Vol. 44, no., 9A. – P. 6490-6494.106. Arulkumaran, S. Low Specific On-Resistance AlGaN/AlN/GaN HighElectron Mobility Transistors on High Resistivity Silicon Substrate / S.Arulkumaran, S. Vicknesh, G.I. Ng, Z.H. Liu, M. Brayan, C.H. Lee //Electrochemical and Solid-State Letters. – 2010. – Vol.

13, no. 5. – P. H169-H172.107. Lee, H.S. AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors fabricated througha Au-Free technology / H.S. Lee, D.S. Lee, T. Palacios // IEEE Electron DeviceLetters. 2011. – Vol. 32, no. 5. – P. 623-625.108. Smith, S.A. High rate and selective etching of GaN, AlGaN, and AlN usingan inductively coupled plasma / S.A. Smith, C.A.

Wolden, M.D. Bremser, A.D.Hanser, R.F. Davis, W.V. Lampert // Appl. Phys. Lett. – 1997. – Vol. 71, no. 25. –P. 3631-3633.109. Lai, Y.H. Sputtering and Etching of GaN Surfaces / Y.H. Lai, C. Y. Yeh,J.M. Hwang, H.L. Hwang, C.T. Chen, W.H. Hung // J. Phys. Chem. B. – 2001. –Vol. 105. – P. 10029-10036.110. Ren, F. Effect of dry etching on surface properties of III-nitrides / F. Ren,J.R. Lothian, S.J. Pearton, C.R. Abernahty, C.B.

Vatuli, J.D. Mckenzie, R.F.Karlicek // J. Electron. Mater. – 1997. – Vol. 28, no. 11. – P. 1287-1291.111. Jang, H.W. Room temperature ohmic contact on n-type GaN with surfacetreatment using Cl2 inductively coupled plasma / H.W. Jang, C.M. Jeon, J.K. Kim,J.L. Lee // Appl. Phys. Lett. – 2001. – Vol. 78, no. 14. – P. 2015-2017.174112.

Ping, A.T. The effects of reactive ion etching-induced damage on thecharacteristics of ohmic contacts to n-Type GaN / A.T. Ping, Q. Chen, J.W. Yang,M.A., Khan, I. Adesida //. J. Electron. Mater. – 1998. – Vol, 27, no. 4. – 261-265.113. Fujishima, T. Formation of low resistance ohmic contacts in GaN-basedhigh electron mobility transistors with BCl3 surface plasma treatment / T.Fujishima, S. Joglekar, D.

Pieda, H.S. Lee, Y. Zhang, A. Uedono, T. Palacios //Appl. Phys. Lett. – Vol. 103. – P. 1-4.114. Pearton, S.J. A review of Dry Etching of GaN and Related Materials / S.J.Pearton, R.J. Shul, F. Ren // MRS Internet Journal of Nitride SemiconductorResearch. – 2000. – Vol. 5, no.

1. – P. 1-38.115. Song, D. Normally Off AlGaN/GaN Low-Density Drain HEMT (LDDHEMT) with Enhanced Breakdown Voltage and Reduced Current Collapse / D.Song, J. Liu, Z. Cheng, W. Tang, K.M. Lau, K.J. Chen // IEEE ElectronDeviceLett. – 2007. – Vol., 28, no. 3. – P. 189-191.116. Oyama, S. Mechanism of current leakage throughmetal/n-GaN interfaces / S.Oyama, T. Hashizume, H.

Hasegawa // Appl. Surface Science. – Vol. 190. – P.322-325.117. M. Higashiwaki. Cat-CVD SiN-passivated AlGaN/GaN HFETs with thinand high Al composition barrier layers / M. Higashiwaki, N. Hirose, T. Matsui //IEEE Electron Device Lett. – 2005. – Vol. 26, no. 3. – P. 139-141.118. Nakajima,A. Hot electron induced current collapse in AlGaN/GaN HEMTs /A. Nakajima, S. Yagi, M.

Shimizu, K. Adachi, H. Okumura // Materials ScienceForum. – 2007. – Vol. 556-557. – P. 1035-1038.119. Basu, A. Study of fluorine bombardment on the electrical properties ofAlGaN/GaN heterostructures / A. Basu, V. Kumar, I. Adesida // JVST B. – 2007.

–Vol. 25. – P. 2607-2610.120. Basu, A. Accumulation of fluorine in CF4 plasma-treated AlGaN/GaNheterostructures interface: An experimental investigation // Journal of Appl. Phys.– 2009. – Vol. 105. – P. 1-5.175121. Chu, R. Impact of CF4 Plasma Treatment on GaN / R. Chu, C.S. Suh, M.H.Wong, M. H. Wong, N. Fichtenbaum, D. Brown, L. McCarthy, S. Keller, F.Wu,J.S. Speck, U.K. Mishra // IEEE Electron Device Lett.

– 2007. – Vol. 28, no. 9. –P. 781-783.122. Vanco, G. Impact of SF6 Plasma on DC and Microwave Perfomance ofAlGaN/GaN HEMT structures / G. Vanko, T. Lalinsky, M. Tomaska, S. Hascik, Z.Mozolova, J. Skriniarova, I. Kostie, A. Vincze, F., Uherek // ASDAM. – 2008. – P.335-338.123. Vanco, G. Impact of SF6 plasma treatment on performance of AlGaN/GaNHFET / G. Vanko, T. Lalinsky, S.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Почему делать на заказ в разы дороже, чем купить готовую учебную работу на СтудИзбе? Наши учебные работы продаются каждый год, тогда как большинство заказов выполняются с нуля. Найдите подходящий учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6392
Авторов
на СтудИзбе
307
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее