Диссертация (1144206), страница 25
Текст из файла (страница 25)
DeviceLett. – 1982. –Vol. 5. – P. 111-113.173. Dreyfus, R.W. Optical diagnostics of low pressure plasmas / R.W. Dreyfus,J.M. Jasinski, R.E. Walkup, G.S. Selwyn // Pure & Appl. Chem. – 1985. – Vol. 75,no. 9. – P. 1265-1266.174. Christophorou, L.G. Electron Interactions with BCl3 / L.G. Christophorou,J.K. Olthoff // J.
Phys. Chem. Ref. Data. – 2002. – Vol. 31, no. 4. – P. 971-988.175. Meeks, E. Simulations of BCl3/Cl2/Ar plasmas with comparisons todiagnostic data. – 1998. – Vol. 16, no. 4. – P. 2227-2239.176. Pearton, S.J. Reactive ion etching of III-V semiconductors / S.J. Pearton //Int. Mod.
Phys. B. – 1994. – Vol. 8, no. 14. – P. 1781-1876.177. Shul, R.J. High-density plasma etching of compound semiconductors / R.J.Shul // J. Vac. Sci. Technol. A. – 1997. – Vol. 15, no. 3. – P. 633-637.178. Fleddermann, C.B. Negative ion densities in chloride and boron Trichloridecontaining inductively coupled plasmas / C.B.
Fleddermann, G.A. Hebner // J.Vac. Sci. Technol. A. – 1997. – Vol. 15, no. 4. – P. 1955-1962.181179. Raizer, Y.P. Gas Discharge Physics / Y.P. Raizer. – Berlin: Springer-Verlag.– 1991. – 447 P.180. Tokunaga, K. Comparison of aluminum etch rates in carbon tetrachlorideand boron trichloride plasmas / K. Tokunaga, F.C.
Redeker, D.A. Danner, D.W.Hess // J. Electrochem. Soc. – 1981. – Vol. 128, no. 4. – P. 851-855.181. Takenaka, H. Dead-time-free selective dry etching of GaAs/AlGaAs usingBCl3/CHF3 plasma / H. Takenaka, Y. Oishi, D. Ueda // J. Vac. Sci. Technol. B. –1994. – Vol. 12, no. 6. – P. 3107-3111.182. Buttari, D. Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for gaterecessing in AlGaN/GaN HEMTs / D. Buttari, A.
Chini,m G., Meneghesso, E.Zanoni, P. Chavarkar, R. Coffie, N.Q. Zhang, S. Heikman, L. Shen, H. Xing, C.Zheng, U.K. Mishra // IEEE Electron Device Letters. – 2002. – Vol. 23, no. 3. – P.118-120.183. Blauer, J. Heat of formation and entropy of (BOCl) 3 / J. Blauer // J. Chem.Phys. – 1963. – Vol. 39, no. 1. – P. 158-160.184. Porter, R.I. Further observations of the stabilities and reactivities of gaseusboroxines / R.I.
Porter, S.K. Gupt // J. Phys. Chem. – 1964. – Vol. 68, no. 2. – P.280-289.185. Sheb, J. Mechanisms for plasma etching of HfO2 gate stacks with Siselectivity and photoresist trimming / J. Shoeb, M.J. Kushner // J. Vac. Sci.Technol. A. – 2009. – Vol. 27, no. 6. – P. 1289-1302.186. Sha, L. Plasma etching selectivity of ZrO2 to Si in BCl3/Cl2 plasma / L. Sha,J.P. Chang.
– 2003. – Vol. 21, no. 6. – P. 1915-1922.187. Buttari, D. Origin of delay time in Cl2 dry etching of AlGaN/GaN structures// D. Buttari, A. Chini,m Y. Palacios, R. Coffie, L. Shen, H. Xing, S. Heikman, L.McCarthy, A. Chakraborty, S. Keller, U.K. Mishra // Appl. Phys. Lett. – 2003. –Vol. 83, no. 23. – P. 4779-4783.188. Pelhos, K. Etching of high-k dielectric Zr1-xAlxOy films in chlorinecontaining plasmas / K.
Pelhos, V.M. Donnelly, A. Kornblit, M.L. Green, R.B.182Van Dover, L. Manchada, Y. Hu, M. Morris, E. Bower // V. Vac. Sci. Technol. A.– 2001. – Vol. 19, no. 4., – P. 1361-1366.189. Sangauer, E. Etching mechanisms of HfO2, SiO2 and poly-Si substrates inBCl3 plasmas / E. Sangauer, E. Pargon, X. Mellhaoui, R. Ramos, G.
Cunge, L.Vallier, O. Joubert, T. Lill //. J. Vac. Sci. Technol. B. – 2007. – Vol. 25, no. 5. – P.1640-1646.190. Miller, S. Ohmic contacts to n-type GaN / S. Miller, P.H. Holloway // J. ofElectronic Materials. – 1996. – Vol. 25, no. 11. – P. 1709-1714.191. Wang, Difference in the reaction kinetics and contact formation mechanismsof annealed Ti?Al/Mo/Au Ohmic contacts on n-GaN and AlGaN/GaN epilayers /L.
Wang, F.M. Mohammed, I. Adesida // J. Appl Phys. – Vol. 101. – P. 1-11.192. Sun, J. p-GaN surface treatments for metal contacts / J. Sun, K.A. Rickert,KJ.M. Redwing, A.B. Ellis, F.J. Himpsel, T.F. Kuech // Appl. Phys. Lett. – 2000. –Vol. 76, no. 4. – P. 415-417.193. Logan, R.A. Heteroepitaxial Thermal Gradient Solution Growth of GaN /R.A. Logan, C.D. Thurmond // J. Electrochem. Soc. – 1972. – Vol. 119. – P. 17271735.194. Higashiwaki, M. Effects of oxidation on surface chemical states and barrierheight of AlGaN/GaN heterostructures / M.
Higashiwaki, S. Chowdhury, B.L.Swenson, U.K. Mishra // Appl. Phys. Lett. – 2010. – Vol. 97. – P. 1-3.195. Selvanathan, D. Investigation of surface treatment schemes on n-type GaNand Al0.2 Ga0.8N / D. Selvanahan, F.M. Mohammed, J. O. Bae, I. Adesida, K.Bogart // J. Vac. Sci. Technol. B. – 2005. – V. 23, no. 6. – P. 2538-2544.196. Кобелев, А.А. Механизмы воздействия BCl3 плазмы ВЧИ разряда наповерхность GaN / А.А.
Кобелев, Н.А. Андрианов, Ю.В. Барсуков, А.С.Смирнов // Прикладная физика. – 2018. – Принята в печать.197. Smith, A.R. Reconstructions of GaN(0001) and (0001) surfaces: Ga-richmetallic structures / A.R. Smith, R.M. Feensta, D.W Greve, M. S. Shin, M.Skowronski // JVST B. – 1998. – Vol. 16. – P. 2242-2249.183198. Cao, X.A.
Electrical effects of plasma damage in p-GaN / X.A. Cao, S.J.Pearton, A.P. Zhang, G.T. Dang, F. Ren, R.J. Shoul, I. Zhang // Appl. Phys. Lett. –1999. – Vol. 75, no. 17. – P. 2569-2571.199. Christophorou, L.G. Electron Interactions with SF6 / L.G. Christophorou,J.K. Olthoff // J. Phys. Chem. Ref. Data. – 2000. – Vol. 29, no. 3. – P. 267-330.200. Basu, A. Study of fluorine bombardment on the electrical properties ofAlGaN/GaN heterostructures / A. Basu, V. Kumar, I. Adesida // JVST B. – 2007.– Vol. 25, no., 6.
– P. 2607-2610.201. Basu, A. Accumulation of fluorine in CF4 plasma-treated AlGaN/GaNheterostructures interface: An experimental investigation / A. Basu, I. Adesida // J.Appl. Phys. – 2009. – Vol. 105. – P. 1-5.202. Chu, R. Impact of CF4 Plasma Tretment on GaN / R. Cu et al. // IEEEElectron Device Letters. – 2007. – Vol.
28, no. 9. – P. 781-783.203. Vanco, G. Impact of SF6 plasma treatment on performance of AlGaN/GaNHEMT / G. Vanko, T. Lalinsky, S. Hascik, I., Ryger, Z. Mozolova, J. Skrinianova,M. Tomaska // Vaccum. – 2010. – Vol. 84. – P. 235-237.204. Du, Y. Impact of CHF3 Plasma Treatment on AlGaN/GaN HEMTsIdentified by Low-Temperature Measurement / Y. Dong, W.H. Han, W. Yan, F.H.Yang // Chin. Phys. Lett. – 2014.
– Vol. 31, no. 4. – P. 048501.205. Mishra, M. Surface chemistry and electronic structure of nonpolar and polarGaN films / M., Mishra, S. Krishna, N. Aggarwal, G. Gupta // Appl. SurfaceScience. 2015. – Vol. 345. – P. 440-447.206. Skuridina, D. Polarity determination of polar and semipolar (1122) InN andGaN layers by valence band photoemission spectroscopy / D.
Skurudina, D.V.Dinh, B. Lacroix, P. Ruterana, M. Hoffman, Z. Sitar, M. Pristovsek, M. Knessi, P.Vogt // J. Appl. Phys. – 2013. –Vol. 114. –P. 1-7.207. Veal, T.D. In adlayers on c-plane InN surfaces: A polarity-dependent studyby x-ray photoemission spectroscopy / T.D. Veal, P.D.C. King, P.H.
Jefferson,L.F.J. Piper et al. // Physical Review B. – 2007. – Vol. 76. – P. 1-8.184208. Ambacher, O. Growth and applications of Group III-nitrides / O. Ambacher// J. Phys. D: Appl. Phys. – 1998. – Vol. 31. – P. 2653-2710.209. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов I / С.
Зи. – New York: JohnWiley & Sons – 1981. – 450 C.210. Linkohr, S. Infuence of plasma treatments on the properties ofGaN/AlGaN/GaN HEMT structures / S. Linkor, W. Pletschen, V. Polyakov, M.Himmerlich, P. Lorenz, S. Krischok, L. Kirste, S. Muller, O. Ambacher, V.Cimalla // Phys. Stat. Solidi C. – 2012. – Vol. 9¸ no. 3-4. – P.
1096-1098.211. Hales, T.C. The Honeycomb Conjecture / T.C. Honeycomb // Discrete &Computational Geometry. – 2001. – Vol. 25. No. 1. – P. 1-22.212. Baloniak, T. Calibration of a miniaturized retarding field analyzer for lowtemperature plasmas: geometrical transparency and collisional effects / T.Baloniak, R. Reuter, C. Flotgen, A. von Keudell // J. Phys. D: Appl.
Phys. – 2010.– Vol. 43. – P. 1-11.213. Zhang, Z. A retarding potential analyzer design for KeV-level ion thrusterbeams // Rev. Sci. Instrum. – 2016. – Vol. 87. – P. 1-8.214. Landeer, K. Note: Laser-cut molybdenum grids for trading field energyanalyzer / K. Landheer, A.A. Kobelev, A.S. Smirnov, J. Bosman, S. Deelan, M.Rosswij, A.C. de Waal, I. Poulios, A.F.
Benschop, R.E.I. Schopp, J.K. Rath // Rev.Sci. Instrum. – 2017. – Vol. 88. – P. 1-3.215. Добрецов, Л.Н. Эмиссионная электроника / Д.Н. Добрецов, М.В.Гомоюнова. – Москва: Наука. – 1986. – 564 С.216. Смирнов, А.С. Распределение по энергиям электронов и ионов,бомбардирующих электрод в высокочастотном разряде / А.С. Смирнов, А.Ю.Уставщиков, К.С. Фролов //ЖТФ. – 1995. – Том. 65, вып. 8. – С. 38-43.217. Бронштейн, И.М. Вторичная электронная эмиссия / И.М. Бронштейн,Б.С. Фрайман. – Москва: Наука. – 1969. – 408 С.218.
Кельман, В.М. Электронная оптика / В.М. Кельман, С.Я. Явор. –Ленинград: Наука. – 1986. – 163 С.185186Список работ автора по теме диссертацииA1.Андрианов, Н.А. Формирование оптимального омического контакта кслою двумерных электронов на гетерогранице AlGaN/GaN с использованиемплазменного RIE травления / Н.А. Андрианов, А.Г. Ткаченко, А.А. Лапшин// Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы. – 2011. – P.143.А2.Kobelev, A.A. BCl3 plasma treatment effect on ohmic contact resistance inGaN-based mobility transistors / A.A. Kobelev, A.S.
Smirnov, Y.V. Barsukov,N.A. Andrianov // IEEE IVESC. – 2014. – P. 1-2.А3.Kobelev, A. Encyclopedia of Plasma Technology: Boron Trichloride DryEtching / A. Kobelev, N. Andrianov, Y. Barsukov, A. Smirnov. – London: Taylor& Francis. – 2017. – P. 193-202.A4.Kobelev, A.A. Boron trichloride plasma treatment effect on ohmic contactresistance formed on GaN-based epitaxial structure / A.A. Kobelev, Yu.V.Barsukov, N.A. Andrianov, A.S. Smirnov // J. Phys.
Conf. Ser. – 2015. – Vol.565. – P. 1-4.А5.Андрианов, Н.А. Влияние обработки поверхности в BCl3 плазме наформирование омических контактов к структурам AlGaN/GaN / Н.А.Андрианов, А.А. Кобелев, А.С. Смирнов, Ю.В. Барсуков, Ю.М. Жуков //ЖТФ. – 2017. – Том 87, вып.
3. – С. 413-418.A6.Андрианов, Н.А. Исследование воздействия плазмы SF6 поверхностьHEMT-структур на основе GaN / Н.А. Андрианов, Н.Е. Блинов, А.С.187Гаврилов, А.С. Смирнов, П.А. Сомов, С.Ф. Мусихин, С.В. Кокин, Д.М.Красовицкий // Успехи прикладной физики. – 2017. – Том 5, вып. 4. – С. 335340.A7.Красовицкий, Д.М. развитие стандартных технологий III-нитридов вЗАО “Светлана-Рост” / Д.М.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
