Главная » Просмотр файлов » Автореферат

Автореферат (1143770), страница 4

Файл №1143770 Автореферат (Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности) 4 страницаАвтореферат (1143770) страница 42019-06-23СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 4)

12, наибольший вклад в увеличение скорости травленияLiNbO3 вносит ВЧ мощность, подводимая в плазму. Вторым, третьим и четвертымпо значимости параметрами являются h, Uсм и P, соответственно.Рис.12. Гистограмма распределения технологических параметров по степени их влияния наскорость травления монокристаллического ниобата лития.Величины технологических параметров в контрольном экспериментепоказаны в таблице 8. В этом эксперименте травились щелевые структурыразмером 0,155×6 мм и 0,075×4,5 мм.16Таблица 8.

Значения технологических параметров контрольного эксперимента глубокогопроцесса ПХТ LiNbO3W, ВтT, КUсм, В P, Паh, смQO2, %700423-800,75525Анализ результатов травления показал (см. рис. 13), что при травленииLiNbO3 в течение 30 минут (рис. 13-а,б), скорость травления составила ≈ 497нм/мин. Угол наклона боковой стенки профиля травления лежит в диапазоне от92° до 95°. Время травления на глубину 113,7 мкм (рис. 13-г) составило 270минут, а селективность травления LiNbO3 относительно материала маскисоставила порядка 78 (рис. 13-в). Из рисунка 13-г видно, что с увеличениемглубины травления направленность процесса ухудшается, и наблюдаетсяотклонение боковой стенки профиля травления от вертикали. В частности, науказанной ниже фотографии уголнаклона боковой стенки составилпорядка 78 градусов.Такимобразом,засчеттермоактивации процесса ПХТ LiNbO3удалось достичь глубин травления около15 мкм с углом наклона стенки областитравления 92-95° и при селективноститравления ниобата лития по отношению кматериалу маски около 78.

При этомскорость травления составила порядка 0,5мкм/мин.ПродемонстрированаРис. 13. Микрофотографии оконпринципиальная возможность получениятравления в монокристаллическомглубоких структур (> 110 мкм) наLiNbO3, время травления 30 минут (а, б),подложках ниобата лития со скоростямивремя травления 270 минут (г), толщинытравления около 0,4 мкм/мин, прислоя остаточной маски после ПХТ (в).мощности ВЧ источника 700 Вт, инапряжении смещения -80 В.Основные результаты и выводы1.Разработан и создан прототип промышленной универсальнойустановки плазмохимического травления различных материалов электроннойтехники с источником высокоплотной (~1012 см-3) индуктивно связанной плазмы,обеспечивающей независимую регулировку энергии и плотности потока ионов,поступающих к поверхности обрабатываемого материала, а также возможностьподдержания температуры подложки в диапазоне от 20 до 400 °C.2.Выявлены основные физико-химические закономерности процессаПХТ SiO2.

Экспериментально установлено, что травление SiO2, происходит какблагодаря химическим реакциям, так и ионному распылению подложки, причемфизическая составляющая процесса играет большую роль при температурах17вплоть до 448 К. Дальнейшее увеличение температуры приводит к увеличениюроли химической составляющей процесса. На основе полученных результатовразработана технология глубокого высокоскоростного направленного ПХТ SiO2,при ВЧ мощности ИСП менее 1000 Вт, позволяющая достигнуть скороститравления в диапазоне 1,1-1,7 мкм/мин и получать структуры с различнымзначением аспектного отношения.3.Экспериментальные результаты по определению характера и степенивлияния основных технологических параметров ПХТ на скорость травления SiC,позволили установить физико-химические закономерности процесса травления.Показано, что при термостимулированном ПХТ SiC вклад химической ифизической составляющей процесса равнозначен.

На основе полученныхрезультатов разработана технология глубокого высокоскоростного направленногоПХТ SiC с использованием ВЧ источника индуктивно связанной плазмы малоймощности (1000 Вт), позволяющая достичь скоростей травления более 1 мкм/мин.Данная технология внедрена на одном из ведущих предприятий отрасли - АО«Светлана-Электронприбор». Разработан новый метод полировки подложек SiCоснованный на использовании термической стимуляции процесса ПХТ.4.Установлены основные физико-химические закономерности процессаПХТ LiNbO3. Экспериментальные данные свидетельствуют о том, что притемпературе подложки до ≈ 473 К наибольший вклад в травление вноситфизическая составляющая процесса.

Дальнейшее увеличение температурыприводит к усилению роли химической составляющей процесса. На основеданных о влиянии технологических параметров на скорость травления LiNbO3,разработана технология глубокого высокоскоростного направленного ПХТ,обеспечивающая Vтр порядка 500 нм/мин с углом наклона стенки профилятравления 92-95°. Впервые продемонстрирована принципиальная возможностьполучения структур глубиной более 100 мкм в LiNbO3 с помощьютермостимулированного ПХТ.Основные научные публикации по теме диссертационной работы:1.Осипов, А.А.

Оптимизация технологических параметров процессаплазмохимического травления монокристаллов кварца / А.А. Осипов, С.Е.Александров, А.А. Осипов // Журнал прикладной химии. – 2016. – Т. 89. – № 6. –С. 704-710. (ВАК)2.Alexandrov, S.E. Plasma-etching of 2D-poled glasses: A route to dry lithography /S.E. Alexandrov, A.A. Lipovskii, A.A. Osipov, I.V. Reduto, D.K. Tagantsev // AppliedPhysics Letters. – 2017.

– V. 111. – N. 11. – P. 1-2. (ВАК)3.Осипов,А.А.Разработкапроцессасквозного,скоростногоплазмохимического травления монокристаллического кварца в газовой смесиSF6/O2 / А.А. Осипов, С.Е. Александров, А.А. Осипов, В.И. Березенко // Журналприкладной химии. – 2018. – Т. 91. – № 8.

– С. 1101-1107. (ВАК)4.Осипов, А.А. Травление карбида кремния в индуктивно-связанной плазмепри малой мощности / А.А. Осипов, С.Е. Александров, Ю.В. Соловьев, А.А.Уваров, А.А. Осипов // Микроэлектроника. – 2019. Т. 47. – № 1. – С. 1-7. (ВАК)185.Осипов, А.А. Влияние расхода полимеризующего газа CHF3 натехнологические параметры плазмохимического травления кремния / А.А.Осипов // Научные исследования: от теории к практике. – 2015. – Т. 2.

– С. 8285.6.Осипов, А.А. Исследование влияния потенциала ВЧ-смещения нахарактеристики травления канавок в кремнии / А.А. Осипов // Материалынаучного форума с международным участием «Неделя науки в СПБПУ». – г.Санкт-Петербург: 30 ноября – 05 декабря, 2015. – С. 322-324.7.Александров, С.Е. Оптимизация геометрии катушки индуктивностиреактора для реактивно-ионного травления путем моделирования в программномпакете COMSOL MULTYPHYSICS / С.Е. Александров, Е.В. Ендиярова, А.А.Осипов // Сборник научных работ IV Международной молодежной научнойконференции «Молодежь в науке: новые аргументы».

– г. Липецк: 16 февраля,2018. – С. 20-26.8.Osipov, A.A. Developing the process for through-etching of single-crystal quartzin inductively coupled plasmas / A.A. Osipov, S.E. Alexandrov // Materials, Methods &Technologies. – 2018. – V. 12. – P. 286-294.9.Осипов,А.А.Изучениефизико-химическихзакономерностейтермостимулированного плазмохимического травления монокристаллическогокарбида кремния / А.А. Осипов // Сборник статей XIV Международной научнопрактической конференции «International Innovation Research». – г.

Пенза: 15октября, 2018. – С. 11-15..

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Как Вы думаете, сколько людей до Вас делали точно такое же задание? 99% студентов выполняют точно такие же задания, как и их предшественники год назад. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6384
Авторов
на СтудИзбе
307
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее