И.Л. Кнунянц - Химическая энциклопедия, том 2 (1110088), страница 415
Текст из файла (страница 415)
паз. бескамерные М. с открытым чувсгвит. или разделит. элементом-сильфоном либо мембраной. Для измерения небольших давлений (разрежений) и разности давлений применяют М. с чувствит. элементами в виде снльфонов, гофрированных мембран и мембранных коробок В зависимости от диаметра, толщины и св-в материала, формы и глубины гофрировки чувствит. элементов можно измерять давление от 100 до 10' Па и более. Погрешность 0,5 2,5',м В хнм. иром-стн распространены датчики, основанные обычно на принципе электрич.
(Реже-пневматич.) компенсации. Диапазон измерения от 100 Па до 1000 МПа, погрешность 0,5-1,5'4. Наиб. перспективны приборы, действие к-рых основано на т. наз. тензорезистивном эффекте — изменении электрич сопротивления твердого проводника (чувсгвит. элемента) в результате его деформации, пропорциональной измеряемому давлению.
Эти датчики отличаются простотой конструкции, небольшими габаритами н массой, повыш. виброустойчивостью, высокими динамич характеристиками и неболыпой погрешностью (0,25 — 0,50'гч), В СССР разработан комплекс тензорезнсторных преобразователей давления (избыточного и абсолютного, а также разрежения) и разнос~и давлений с упругими чувствит. элементами на основе монокристаллич. подложек из искусств. сапфира с кремниевыми тснзорезисторами.
Диапазом измерения от 60 до 10' Па, погрешность обычно не превышает 0,1, 0,25 или 0,5'А. В комплекс входят также преобразователи гндростатич. давления, предназначенные для получения информации о плотности или уровне жидкостей, к-рые находятся в открытых либо закрытых резервуарах под давлением.
Фланг!свое крепление датчика к резервуару с рабочей жидкостью и бсскамернаа конструкция мембранного измерит, узла позволяют контролировать гил- 1283 ростатич. давление агрсссивньж, вязких и крнсталлизующихся сред при 200 300 "С. В машаниновых датчиках под дейсз вием давления изменяется электрич. сопротивление тонкой манганииовой проволоки. Эти датчики обычно используют для измерения давления св.
100 МПа. Принцип устройства индуктивных датчиков состоит в изменении индуктивносги системы при перемен!енин чувствит. элемента, Индуктивность системы зависит от маги. сопротивления зазора в магнитопроводе или от реактивного маги. сопротивления, к-рос изменяется с введением в зазор электропроводиой пластины либо короткозамкиутого витка. Действие емкостных датчиков основано иа преобразовании перемещения чувсгвит. элемента в изменение емкости конденсатора, зависящее от зазора между обкладками, их плон!али, материала диэлектрика нли лиэлектрнч, проницаемости. Этим датчикам свойственны значит.
температурные погрешности. В трансформаторных датчиках входное перемещение чувствит. элемента и соединенного с ним плунжсра изменяет коэф. индуктивной связи между системами обмолвок, одна из к-рых питается переменным током. Эффективное значение элс, наводимой в др, обмотке, является выходной величиной датчика. Погрешность обычно 1,5 2,5"' Принцип действия электронных и ионных датчиков основан на изменении характеристик соотв. электронных и ионных ламп при взаимном перемещении их электродов, один из к-рых связан с чувствизз элементом датчика.
Действие магнитоупругих датчиков обусловлено св-вом ферромагн. материалов изменять маги. проницаемость под действием давления. Чувствит. элемент-обмотка с замкнутым магннтопроводом, деформируюшимся под влиянием входного перемещения или усилия, пропорционального измеряемому давлению. В ньезоэлсктрич.
датчиках используется эффект появления зарядов на гранях кристалла (обычно кварца) при его сжатии. Величина заряда пропорциональна уд. давлению и плошади грани, перпевдикулярной к «электричсскойя оси, Радиаш датчики обычно состоят из чувствит. элемента, воспринимающего измеряемое давление, источника и приемника лучио~ой энергии и расположенного между ними экрана. Действие да~чиков основано на зависимости от давления интенсивности потока, поступающего от источника излучения к приемнику.
При изменении давления чувствит. элемент вызывает пропорциональное перемещение экрана, управляюпгего интенсивностью потока. Наиб. распространены приборы, использующие видимый свет (оптик. датчики) либо проникающее у- или р-излучение. Источники: излучения видимого света -лампы накаливанив, ртутные точечные лампы высокого давления, лампы тлеющего разряда и дрх жестких излученнй-рентгеновские трубки, искусств. радиоактивные в-ва. Приемники: видимого излучения-вакуумные и газоиаполненные элементы с внеш.
фотоэффектом, фотосопротивлення, вентнльные фотоэлементы с фотоумножителями; жестких излучений-ионизац. камеры, счетчики Гейгера- Мюллера, пропорциональныс, сцинтилляц, и кристаллич. счетчики. Тепловые М. Использую~ для измерения неболыпих або. давлений (1-10' Па). Действие основано на линейной зависимости теплопроводности газов от степени их разрежения в указанных пределах. М.
представляет собой стеклянный баллон, внутр. полость к-рого соединена с аппаратом, где измеряется давление. Внутри баллона находится тоикав вольфрамовая нить, нагреваемая электрич.током. При изменении давления изменяется теплоотвод от нити, Если поддерживать постоянным ток накала нити, то при изменении лавления изменится ее т-ра.
Изменяя силу тока так, чтобы эта т-ра оставалась постоянной, можно за меру измеряемого давления принять величину тока или напряжения. подаваемого на нить. З Граменявхха В Н, Грузо ршкевыеязмерв чаы|ыеврнбгрм М, !973, Преебрхяеискня В П тн»а г ничмкие кзмяии х н ярнбарн, 3 им. м, Иоа, Гокгх Н Ф, Мнвмг рн.я, !979,Осиповн Л А,дмчяк» фязнчыкнх кехи «н М, !979 Измгрг» я в «ва ншм «ос и Ожьмйннх, поа 1284 МАРГАНЕЦ 647 СН1 сн, н, Н нс сн н,с снз СВОйСГВЛ СОКДННКНнй МЛРГЛНЦЛ моб, М Р Мпж Мп,з М з" з мпг, Мпр, П казатель темно серый Серо ет пон Красно-корнчне н и зе си й вын илн черный Кубич Кубнч Красно корична вын Моаокхнина« блелно розовыи Тс раков 0 48734 О 31О3 Розовый Цве Кубич Гсксаго» Кубнч О лрц Ромбнч Трнгон Сиигонив Параметры ревекки о им Ь ны 0 6898 0 2851 0 5249 0 3167 0 5905 0 559 0 8904 0 5037 1 3448 92 74 (й) 0 620 0 4802 с нм угол крал Число фор у ьпых сднннн в вченкс Проттра етв срч а Т лл 'С Плоти г/смз ( д /(мо К) ЬН "„«Дд(моль 54 Д:к((моль К) 34 53 (а) 2 !знзв Рб 1 оп Ю75 (с раз» ) ок 1300 4 Р2,3 )гуо 4 Роз а Гйз 1530 40 409 — 214 80 7 4 Рава 1147 2 Р4/вп 900' 392 67 95 — 846 7 9390 12 С/2с 1 ЛЪп 650 0 2 977 72 93 — н(г 118 2 3 463 69 33 — 207 99 9! 194 - 273 235 45 94 — 77 8 471 99 б 104 476 — 96 — 107О 97 ' Т кин ои 1640'С, ЬНО 14 «ДН1 олЬ, ЬН„, 256 «Д ТмОлЬ С Т кнп 1240'С, ЬН 37,6 «Дв/МОЛЬ, ЬН 148 ДДДЛПСЛЬ 1286 1285 род П Проф в и р с пем М 1980 По у р ол нк аые ~сзззорсзнхториые измерим ~ ные ере бр .зов з ыозв р|е н с «и сырамс~ров од ред А Я Юраа ко~о М 1983 Д Я Юр е «кн МАНООЛ [(13Д)-лаб(М-В(20),14 дион 13-ол, ф-ла 13, мол м 290,43, бссцв кристаллы, т пз 53'С, т кип 144-145 "С/0,2 мм рт ст, [а)„' ф 30,4 "С(этаноз], нс раста вводе, хорошо раста в орг р-рителях Обнаружен во мн хвойных растениях, получают из австра чнйхкой желтой сосны Оагцбзшп ь)!Огше В сосне скрученной (Рзппй соп(ог(а) найден 13-эпиманоол, а в нек-рых растениях рола Ч18шега-энантиоманоол При гидрнрованнн М даег тстраГИдро-М, при дсгиприровании смесь 1 2 5 гриметилнафз алина и 1,7-диметилфенантрена При окислении КМпО„образует соед ф-лы 11, применяющееся в парфюм пром-сти в качестве заменителя серой амбры Получают М многостадииным синтезом из 2,2,6 тримстилциклогексанона М -биогенетич предшественник нск-рых три- и тетрациьлич днтерпеноидов Л В.алПФ «Успхнхимню 1шг з 52 в 7 е 1129 ЯНФ Лед МАРГАНЕЦ (от нем Мапйапеш-марганцевая руда, лат Мапйапшп) Мп, хим элемент Ч)1 гр периодич системы, ат н 25, ат м 54.9380 В природе олин устойчивый изотоп "Мп Конфигурация внсш электронной оболочки пома Зс/5452 степени окисления от + 2 до 6 7, наиб устойчивы соел Мп(н) и Мп(Ч11), энергии ионизации при послеловат переходе от Мпо к Мп" соогв равны 7,435 и 15,6401 эВ, злектроотрицательность по Полннгу 2,5, ионные радиусы (в скобках указаны координац числа) Мпг' 0,080 нм (4), 0,089 нм (5), 0,104 (7), Мп" 0,039 (4), 0,060 им (6) Солержанис М в земной коре 0,1% по массе, в океанич воде 2 10 '% В своб вилс в природе не встречается Входит в состав множества минералов, преим типа оксидов Наиб Распространены пиролюзит О МпО,, псиломелан гдМО НМпО, хН О [М = Ва, Са, К, Мп(НЦ, манганит р-МПООН браунйт ЗМпгОЬ Мп81Ом родохрозит МпСО3 Главные месгорождеиия марганцевых руд (50-75% миро- вых запасов, 1981) находятся в СССР За рубежом крупнейшие месторождения известны в ЮАР (более 3 млрл т в пересчете на металл), Австралии (490 млн т), Габоне (450 млн т), Бразилии (100 млн т), Индии (80 млн т), Гане (10 млн т) Общая мировая добыча марганпевых рул 20 25 мли т/год Большое кол-во М солержат железо-марганце вые конкреции, расположенные в Тихом, Атлантическом и Иццийском океанах, их ресурсы в Тихом оксане оцениваются в 90 1650 млрл т Свойства.
Компактный М -серебристо белый металз Извесзно4 кубич кристаллич модификации М ниже 710 "С устойчива а-форма (а = 0,89125 нм, г = 58, пространств группа 143ьч птотн 7,44 г/смз), при 710 — 1090 С (! форма (и = 0,6300 нм, г = 20, пространств группа Р4 3, плоун 7 29 г/см'), при 1090 1137 "С-у-форма (а = 0,38550 нм п[зи 1100'С, 2 = 4, пространств группа РмЗгд плоти 6,37 г/см ) вьппс 1137'С-8-форма (и = 0,30750 нм при 1143 С, г = 2, пространств группа !гдЗМ плоти 6,28 г/см'), АНо поли морфных переходов (в кДж/моль) и -х () 2,2, 0 8 2,1, 8 у 1,9 При охлаждении до комнатной г-ры Т-форма перехоли 1 в тетрагон кристаллич моди~зикацию (а = 0,3774 нм, с = = 0,3525 нм, плоти 7,21 г/см ) Т пл 1244'С, т кип ок 2080'С, С' [в Дж/(моль КЦ и-формы 26,3, б 26,5, у 27,6, АН" 12,0 кДж/моль, АН~,„227 кДж/моль, ур-ния температурной зависимое~и давления пара 18р(Па) = 10,8828— — !3625/Т (1043 < Т< 1158 К) и 18р (Па) = 20,005— — 14850/Т- 2 52 18Т(1517 < Т < 2353 К), температурный козф линейного расширения (в К ') в интервале 0 20 "С для и-Мп 2,23 10 ', р 2,49 1О ', Т 1,475 10 ', р(в мкОМ см) для а-Мп 140, 0 91, у 35 40, температурный коэф р (в К ') для а-Мп (2-3) !О 4, () 1,36 10, у (5,5-6,5) 10 3, теплопроводность 66,5 ВтДсм К) Ниже — 173'С М антифсрромагнитен, при более высоких т-рах парамагнитеи маги восприимчивость +9 6 10 а Модификации а () и 8 хрупкие Т-Мп пластичен, но после деформации меллснно разрунысг ся, твердость по шкале Роквелла а Мп 70, у Мп 20 М легко окисляется иа воздухе, образуя выше 800 "С окалину, состоящую нз внутр слоя МпО и внсш слоя Мп)О Ниже 800'С образуется Мп,Оз, а при т-рах ниже 450 С-МПО, (см Марганца Окпсды) Поглощает Н, (до 60 см' на 100 г М ) с образованием твердых р-ров М взаимод с галогенами, давая дигалогениды МПХ1 (С фтором также Мпрк и Мпр ) — кристаллы, хорошо раста в воде (кроме Мпрз), образуют кристалле(илраты (см также табл ) Для МпВгг т пл 698 С, Мп1, 638'С Ди хлор ид МпС! получают взаимод МпО, с койц соляной к-той или Мп, )Ь(ПО либо МпСО с газообразным НС1, применяют для получении пигментов, как катализатор в орг синтезе, ре- 648 МАРГАНЕЦОРГАНИЧЕСКИЕ агент лля обнаружения ЯгО',, Ю», для обработки семян с целью ускорения роста растений, в физ -хим анализе как репер Трихлорид МпС1, образуется при взанмод МпО, с р-ром НС! в этаноле при — 63 "С, при нагр до 40'С разлагается с выделением Ог Быстрым охлаждением паров, образующихся при взаимод Мпрз с Р, при т-рах выше 550'С, получают тетрафторид Мпр,-голубые кристаллы, при нагр до 70 "С разлагается с вы лелением Р„ЛНмее — 1109 кДдгмоль При иагр М взаимод с 8, )Чг, Р, С, й и др неметаллами Известны нитриды Мп)Ч,, Мпз)»)г, Мп»Х, МпХ, Мп Ки Мпз)яг и Мп,Х с к = 9 2-25 3 Сунь фид Мпб существует в трех кристаллич модификациях (()-форма — минерал алабандин~, плохо раств в воле и м б осажден из р-ров солей Мп ' сульфидами щелочных металлов Феофилы М МпР, МпРз, Мп,Р(т нл 1327'С), Мп,р (т пл 1!05'С), Мп,Р, (разлагается при !090 С) и Мп»Р (т пл 1085'С с разл ) Карбиды М Мп С !разлагается при 950'С, С" 93 3 Дж/(моль К), ЬН' 5,6 кДж/моль, бе, 98,7 ДжДмоль КН, Мп,С (разлагается при !050 С, ЬНм„— 66,1 кДж/моль), Мп,»С» (разлагается при 850'С), Мп,С (разлагается при 1!00'С, ЬН~» — 98Д кДж/моль, Яг»я 217 Дж/(моль К)) Мп„С, (разтагается при 1025 С, ЛН~„— 287 кДж/моль), Мп,С.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
