И.Л. Кнунянц - Химическая энциклопедия, том 2 (1110088), страница 144
Текст из файла (страница 144)
комплексоны вытесняют И. из комплексов с металлами. В момент изменения окраски а точке эквивалентности 21п) = !М(п) и, следовательно, рМ = — !8 К„н, где РМ = — 18(М) наз. точкой перекода И., Кмы-константа устойчивости комплеяса металла с И. Ош!1бка при титровании связана с тем, что нек-рос кол.во иона металла может присоединяться к И., а не к титраиту. Нанб.
часто используют г. яаз. Металлохромные И, (табл. 6) — орг в-аа, образующие с катионами металлов р-рнмые в воде интенсивно окрашенные (8, 10е-10') внутрикомплексные соединения, Зги саед. должны быть достаточно устойчивы, чтобы образовыватьсн пря очень низких концентрациях ионов металлов. Индикатор и его комплекс должны находиться в истинном р-ре. Для повышения р.римости реагента и комплекса обычно вводят смешиаающийся с водой р-ритель Комплекс метахла с И. до)пкен быть лабнльиым и быстро разрушаться под действием комплексона.
Различают селективные и универсальные металлохромные И., взаимодействующие соотв. с небольшим числом илн с мн. катионами. К первым ОТносятся, напр, тийрон, гнллнон, ко вторым-ирсеназа 1, ниридилауонафтол (ПАН). ниронатсхннавый фиолетовый, ксиленолавый оринмсенагй, .ыетн.гтимолоный синий, храмауурал и др. Иногда в качестве ком!(лексонометрич.
И. применяют комплсксонат к.-л. иона (напр., 1СиУ)2, где У вЂ” аннан этиленлиаминтстрауксусной к-ты) а смеси с металлохромным И., напр. ПАН. Прн ннсденин опрелеляемого иона Мг+ происходит р-ция; М" Т (Сну)г + ПАН кя(М1'37 + !СиПАН)'. При титрованнн к.-л, комплексоном в к.т.т. окраска р-ра меняется от фиолетовой к желто-оранжевой, т.е. очень контрастно. При комплсксонометрич. определении Си используют в качсстнс индикатора се комплекс с ПАН, адсорбнрованный на пов-сти осажденного А81. В этом случае можно определять А8 н Си прн совместном присутствии: а кислой среде р.ром К! оттнтровывают сначала ионы Ай„а затем комплсксоном — ионы Си.
Примеаяются также т.наз. неокрашенные комплексономстрич. И., избирательно взаимодействующие с ионами определяемого металла с образованием слабо окрашенных (8, 10') комплексов, напр. суиьфосадияидоная кислота при титрованнн Гс (ШН. Флуоресцентные комплексонометрич. И. (или металлофлуоресцеитные И.) взаимод. с катионами металлов с образованием интенсивно флуоресцируюших хслатон (см. Пюлсиггесяентныс индикаторы).
Впервые об И. сообщнн англ. физик и химик Р. Бойль в 1664. О применении И, на носителях см. Реиктинные индикаторные оумиги и Индикаторные трубки. Л . Иоднк оры, пер. е аагл., 7.1-2, М., !976: Дсгген~ И, Тттюванне е нееоллых средах, пер, с англ., М., 1971, Корснмаи И.М, Ноаыс гигримезреееские методы, М, 1983. 'и и с, ЙНДИЯ АНТИМОНЙД !пБЬ, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалсрнта (и = 0,647877 нм, г = 4, поостранств. группа Р43т); т.
пл. 525,2'С плоти. 5,775 г/см, жидкого-6,430 г/см' (550'С); Сд 49,56 ДжДмоль К); ЬН".„65,35 кДж/моль, д)Ном — 30,66 кКж/моль! Б, 87,44 Дж/(моль К); температурныи коэф, линейного расширения 4,7 ! О 6 К ', тсплопроводность 30-40 Вт/(м К) прн 200 К. Полупроводник: с 17,7 ( — 196 'С); ширина запрещенной зоны 0,2355 эВ (О К), О,! 80 эВ (298 К); эффективная масса электронов проводимости т, = 0,013то, дырок т = 0,42т (то — масса сноб. электрона); при 77 К подвижность электройов 1,1 106 смг/(В с), дырок 9,1.10' смг/(В с).
И.а. устойчив на воздухе и в парах воды при т-рах до 300'С. Взаимод. с кони. НЫОз и смесями НЫОз и фторнстоводородной к-ты, Н)з(О й соляной к-ты, НЫО„ винной и молочной к-т, Н,О, и винной к-ты, НзО2 и фтористоводородной к-ты. Для травления пов-сти кристаллов с целью обнару;кения дефектов и удаления загрязнений наиб. часто используют смесь состава 5НР(Оз)ЗСНзСООН: : ЗНР. Получают И.а.
сплавлением 1п со БЬ в кварцевом кон. тейнере в вакууме ( 0,1 Па) при 800-850'С. Очищают ванной плавкой в атмосфере Нг. Монокрнсталлы выращивают по мстолу Чохральского в атмосфере инертного газа (Аг, Нс, Ыз) нли Н, либо в вакууме ( 50 кПа), Зпнтаксиальные плснкй получают: осаждением нз р-ра 1пБЬ в расплаве!и при 350-450'С; метолом молекулярно.лучевой эпнтаксии (р-цней мол, пучков 1н и БЬ в вакууме !О Па с послед.
осаждением на нагретую до 400-500 'С подложку); методом вакуумного напыления (пары 1пБЬ в вакууме 10 ' Па кондснсируются на нагретой до 350-400'С подложке из 1пБЬ). И.а. полупроводниковый материал для фотоириемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла, усилителей элсктрич. мощности. Л Полу~ровомгнковыс сосдниени» АНВ", под рсл. Р анллврдеона н Х Горя га, пер. с англ, М, 1967, с. 327 Е2, Нб 83.
Горелик С С, лагоса кил М Л, Магсриаломлс ие полупреоолникоа н м е. оесмвие. М., 1973 На~неласкив А Я, Те полотна полупроволнясоаык магсриалое, М, !987 М Г хаммнаео л ЙНДИЯ АРСЕНЙД (пАК серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалернта (и = 0,605886 нм, г = 4, пространств. группа РВЗтз); т. пл. 943'С плоти. 5,666 г/см, жидкого 5,850 г/см (970'С); Сб 49,32 Дж/(моль К); АНо 77,2 кДж/моль, ЛНом, — 57,9 кг(ж/моль Боа 76 ДжДмоль К); температурный козф.
линейного расшйрення 5,19 10 6 К '; тсплопроводность !22 Вт/(м К). Полупроводник: е!1,7: ширина апре!ценной оны 0,43 зВ 452 (О К), 0,46 эВ (300 К)! эффективная масса электронов проводимости яь, = 0,22яьо, дыроя нт„= 0,33нь ~тиа-масса своб. электрона); подвюкность электронов 3,4 10 см'/(В.с) при 300 К и 8,2 1О' смь/(В с) при 77 К, подвижность дырок 460 смл/(В с) при 300 К и 690 см'/(В с) при 77 К. И.а. устойчив на воздухе и в парах воды до 300'С.
Взаимод, с конц. соляной и серной к-тами, воднымя р-рами сильных окислителей (напр., Н,О ), смесями азотной, фтористоволородной и уксусной к-т, а тикке азотной и соляной к-т с Н,О,. Эти смеси используют для травления пов.сти кристаллов И.а. с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений. Получают И. а. в кварцевых ампулах взаимод. расплава 1п е парами Ай, давление к-рых составляет 32,7 кПа при 800 — 900'С. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В,Ов в атмосфере инертяого газа (Аг, Не, Гь)л) при давлении 40-50 яПа (осн. способ), направленной кристаллизацией из расплава при давлении паров Аз 32,7 кПа.
Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из р-ра 1пАа в расплаве 1п при 650 — 700'С; осаждением из газовой фазы; пары АзС!з или НС! пропускают над расплавом 1п, образовавшиеся при этом хлорццы 1п переносятся в зону р-ции и взаимод. с парами АйС1в илн АйН, прн 700'С, давая 1пАз; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (р.цией мол.
пучков 1п и Ай в вакууме 1О Па с послед. осаждением на нагретую до 400-Я)0'С подложку). Для получения монокристаллов и пленок со св-вами полупроводников л- илн Р-типа используют добавки соотв. Те, Бе, Бп или Еп, Сс(, Мп. И.а.-полупроводниковый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла. Лнн. ьм. пра ст Явд ь а ии оекд. м.гмнь ь й. 81ИДНЯ ГАлОГенйДы, см.
Индий. ЙНДИЯ ОКСИДЫ, Сесквиоксид 1п Оь-светло-желтые или зеленовато-желтые кристаллы с нубии. решеткой (а = 1,О!194 нм, х !6, пространств. группа Га3): плоти. 7,18 г/см'. Под давлением выше 6,5 ГПа при 300-400 'С образуется модификация с гексагон. Решетяой типа корунда, устойчивая при обычном давлении (а = 0,5487 нм, с = 1,45!О нм, х 6, пространств. группа й3с); плоти. 7,3 г/смз. Т. пл, !9!О С; выше 1200'С начинает возгонятьса с диссоцяацяей на 1п,О и Оь; т. кип. - 3300'С; Се 92 (моль. К); б/Г,'„ 84 кДж/моль, ЬНи, 272 кДж/моль, АНн — 926 кДж/моль; Бо 108 Дж/(моль К); ур-нне температурной зависимости давления пара: !Бр(в гПа) = 16,478 — 2779!/Т.
Полупроводник я-типа, ширина запрещенной зоны 0,5 эВ (300 К). Диамаппгген. Электрич. проводимость зависит от давлениа О,; при -10 Па наблюдается обратимый переход к металлич. проводимости. 1п,Оз не раста, в воле. При нагр. Легко взанмод. с минер. к-тами, при 300 — 500'С-с галогенами. При 700 — 800'С восстанавливается Нь и С до металла. С аммиаком при 600-630'С образует 1пН, при спекании с оксндами и карбонатамн металлов — андаты, напр. )ь)а(пОк.
Получают!п,Ол прокаливанием нитрата или гилроксида 1п, в виде пленок расцымннем индия в присут. Ол, термич. разложением паров ацетилацетоната Гп и др.!птОз основа прозрачных электропроводюцих пленок (обычно легированных БпОл) на стекле, слюде, лавсане и др. материалах, используемых для изготовления жидкокристаллич. дисплеев, электродов фотопроводящих элементов, высокотемпературных топливных элементов, резисторов и др., в смеси с АБО материал электрич. контактов в радиотехнике и электронике; компонент шихты спец. стекол, поглощающих тепловые нейтроны; перспективный полупроводниковый материал.
Гемноксид 1п О-черное бтвейпдое в-во; т. пл. - 325'С; л плоти. 6,99 г/см; для газа — 55 кДж/моль. Легко окисляется; с к-тами реагирует с вылелением Н,. М.б. получен (в смеси с !и и !плОь) термич. Разложением !пь(СьО4)ь. ПаРы !пьО обРазУютса пРи нагР. смеси 1п с 1п,Оэ, ур-ние температурной "ависимости давления пара: !Бр (в гПа) = 10.58 — !3!50тГ 453 ИНДОАНИЛИНЫ 231 Соответствующий 1п,Оз гидро ксид!и[ОН)з-бесцв.
кристаллы с кубич. решеткой; плоти. 4,33 г/смл. Сяежеосажденный гидроксид легко взаимод. с разб. минеральными и нек-рыми орг. к-тами. С разб. р-рами щелочей, а также с аммиаком не реагирует. С коиц. р-рами щелочей образует шщаты. Выше 200'С разлагается до !п,О,. Получают действием )ь!Нь на р-ры 1п((ь(Ол)з, полхисленйые уксусной к-той. Используют для получения 1плО, и др.
соединений!и. Лми. см врн ст. и дий. Лясведр . ЙНДИЯ ФОСФЙД ГпР, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а 0,586875 нм, к 4, пространств. группа Р43т); т. пл. 1070'С; плоти. 4,787 г/см'! Со 46,2 Дж/(моль К); АН" 54,6 кДвг/моль, ЬНо — 90,3 КДж/молгс Б'„, 62,7 Дж/(моль К); температурныи коэф. линейного расшйрения 4,75 !О а К ', теплопроводность 67,2 Вт/(м К). Полупроводник е !2,1; ширина запрещенной эоны 1,42 зВ (О К), !,28 эВ (300 К); эффективная масса электронов проводимости яь, = 0,07иьо, дыроя ги 0,44но (лто-масса своб, электрона); подвижность электронов 5000 смь/(В с) при 300 К н 23500 см'/(В с) при 78 К, подвижность дырок 150 смл/(В с) при 300 К.
Устойчив на воздухе до т-ры 300'С. Взаимод. со смесями к-т-ННО, н НР, Н)ь(Оз и соляной. Для травления пов-сти кристаллов И. ф. с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений используют р-ры Вгь в метаноле, а также слкси Н,БО„с НО иНО.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
