Автореферат (1091323), страница 4
Текст из файла (страница 4)
Роль послойного препарированиякристаллов в анализе отказов современных интегральных схем // Наукоемкиетехнологии. 2013. Т. 14. № 11. С. 45-49.2.Милованов Р.А., Кельм Е.А., Косичкин О.А, Ляпунов Н.А. Селективноетравление меди в технологии анализа отказов ИМС с проводниками на основемеди // Нано- и микросистемная техника. 2013. №11(160). С. 30-32.3.Милованов Р.А., Абдуллаев Д.А., Зайцев А.А., Кельм Е.А. Ионно-лучевоетравление как промежуточная стадия при удалении пассивирующих слоевмикросхем в рамках технологии анализа отказов // Нано- и микросистемнаятехника. 2013. №11(160). С. 35-39.224.Милованов Р.А., Зубов Д.Н., Кельм Е.А., Молодцова Г.В.
Электрохимическоевосстановление поврежденных контактных площадок кристаллов при анализеотказов современных интегральных схем // Нано- и микросистемная техника.2014. №5(166). С. 38-40.5.Милованов Р.А., Молодцова Г.В., Зубов Д.Н., Кельм Е.А. Подходы к разделениюкристалловстековыхсборокприанализеотказовмногокристальныхинтегральных схем // Нано- и микросистемная техника.
2014. №7(168). С. 22-24.6.Милованов Р.А., Ганзий Д.А., Зубов Д.Н., Кельм Е.А., Ляпунов Н.А., МолодцоваГ.В., Янул М.Л. Определение состояния ячеек энергонезависимой памятисплавающим затвором при помощи сканирующей зондовой микроскопии //Интеграл. 2012. №3(65). С. 4-7.7.Милованов Р.А., Кельм Е.А.. Структура ячеек энергонезависимой памяти типаEEPROM и FLASH // Нано- и микросистемная техника, новые технологии, 2015.№4. С.
45-59.8.Milovanov R., Hanzii D., Zubov D., Kelm E., Luapunov N., Molodsova G., Yanul M.Determining the state of non-volatile memory cells with floating gate using scanningprobe microscopy // Proc. SPIE 8700, Internatonal Conference Micro- andNanoelectronics 2012.9.Милованов Р.А., Ерофеева Е.В.. Современные и перспективные ионныеисточники для систем с фокусированным ионным пучком // Нано- имикросистемная техника, 2015.
№11. С. 20-39.10.Зайцев А.А., Милованов Р.А., Кельм Е.А., Шишкин В.И., Щука А.А.,Плазмохимические методы формирования структур в технологии микро- инаноэлектроники. Под общей ред. А.А. Щуки. Учебное пособие. - М. : МИРЭА,2014.11.Zubov D.N., Kelm E.A., Milovanov R.A. , Molodtsova G.V., Electrochemical recoveryof damaged bonding area during failure analysis of the modern integrated circuits //Proc.
SPIE 9440, Internatonal Conference Micro- and Nanoelectronics 2014.12.Molodtsova G., Milovanov R., Zubov D., Kelm E., Approaches to a dies decouplingduring failure analysis of the 3D package integrated circuits // Proc. SPIE 9440,Internatonal Conference Micro- and Nanoelectronics 2014.23Подписано в печать __.__.2015. Формат 60х84 1/16Бумага офсетная.
Печать офсетная.Усл. печ. л.___ Усл. кр.-отт. ___. Уч.-изд. л. __.Тираж 100 экз. Заказ ___.Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшегопрофессионального образования «Московский государственный университетинформационных технологий, радиотехники и электроники»119454, Москва, пр. Вернадского, 78.