транзисторные уселители (1088979)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

Транзистор[править]Материал из Википедии — свободной энциклопедииПерейти к: навигация, поискФотография некоторых типов дискретных транзисторовСтруктура биполярного n-p-n транзистора. Ток через базу управляет током «коллекторэмиттер».Транзистор (от англ. transfer — переносить и resistance — сопротивление илиtransconductance — активная межэлектродная проводимость и varistor — переменноесопротивление) — электронный прибор из полупроводникового материала, обычно стремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи.Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрическихсигналов.Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входногонапряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить ксущественно большему изменению выходного напряжения и тока.

Это усилительноесвойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связьи т. п.).В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ)(международный термин — BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отрасльюэлектроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры,цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностьювытеснены полевыми.Вся современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП (металлоксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ), как более экономичных, по сравнению сБТ, элементах.

Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)транзисторы. Международный термин — MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effecttransistor). Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одномкремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построениямикросхем логики, памяти, процессора и т.

п. Размеры современных МОПТ составляют от90 до 32 нм[источник не указан 134 дня]. На одном современном чипе (обычно размером 1—2 см²)размещаются несколько (пока единицы) миллиардов МОПТ. На протяжении 60 летпроисходит уменьшение размеров (миниатюризация) МОПТ и увеличение их количествана одном чипе (степень интеграции), в ближайшие годы ожидается дальнейшееувеличение степени интеграции транзисторов на чипе (см. Закон Мура). Уменьшениеразмеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров.Содержание[убрать]1 История2 Классификация транзисторовo 2.1 По основному полупроводниковому материалуo 2.2 По структуре 2.2.1 Комбинированные транзисторыo 2.3 По мощностиo 2.4 По исполнениюo 2.5 По материалу и конструкции корпусаo 2.6 Прочие типы3 Выделение по некоторым характеристикам4 Применение транзисторов5 Примечания6 Литература7 Ссылки[править] ИсторияКопия первого в мире работающего транзистораПервые патенты на принцип работы полевых транзисторов были зарегистрированы вГермании в 1928 году (в Канаде, 22 октября 1925 года) на имя австро-венгерского физикаЮлия Эдгара Лилиенфельда.[источник не указан 107 дней] В 1934 году немецкий физик ОскарХейл запатентовал полевой транзистор.

Полевые транзисторы (в частности, МОПтранзисторы) основаны на простом электростатическом эффекте поля, по физике онисущественно проще биполярных транзисторов, и поэтому они придуманы изапатентованы задолго до биполярных транзисторов. Тем не менее, первый МОПтранзистор, составляющий основу современной компьютерной индустрии, былизготовлен позже биполярного транзистора, в 1960 году. Только в 90-х годах XX векаМОП-технология стала доминировать над биполярной.В 1947 году Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в лабораториях Bell Labsвпервые создали действующий биполярный транзистор, продемонстрированный 16декабря. 23 декабря состоялось официальное представление изобретения и именно этадата считается днём изобретения транзистора. По технологии изготовления он относилсяк классу точечных транзисторов.

В 1956 году они были награждены Нобелевской премиейпо физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта».Интересно, что Джон Бардин вскоре был удостоен Нобелевской премии во второй раз засоздание теории сверхпроводимости.Позднее вакуумные лампы были заменены транзисторами в большинстве электронныхустройств, совершив революцию в создании интегральных схем и компьютеров.Bell нуждались в названии устройства.

Предлагались названия «полупроводниковыйтриод» (semiconductor triode), «Solid Triode», «Surface States Triode», «кристаллическийтриод» (crystal triode) и «Iotatron», но слово «транзистор» (transistor), предложенноеДжоном Пирсом (John R. Pierce), победило во внутреннем голосовании.Первоначально название «транзистор» относилось к резисторам, управляемымнапряжением. В самом деле, транзистор можно представить как некое сопротивление,регулируемое напряжением на одном электроде (в полевых транзисторах — напряжениеммежду затвором и истоком, в биполярных транзисторах — напряжением между базой иэмиттером).[править] Классификация транзисторовБиполярныеp-n-pканал p-типаn-p-nканал n-типаПолевыеОбозначение транзисторов разных типов.Условные обозначения:Э - эмиттер, К - коллектор, Б - база;З - затвор, И - исток, С - сток.[править] По основному полупроводниковому материалуПомимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в видемонокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки косновному материалу, металл выводов, изолирующие элементы, части корпуса(пластиковые или керамические).

Иногда употребляются комбинированныенаименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например,«кремний на сапфире» или «Металл-окисел-полупроводник»). Однако основнымиявляются транзисторы:ГерманиевыеКремниевыеАрсенид-галлиевыеДругие материалы транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящеевремя имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников дляиспользования в матрицах дисплеев.

Перспективный материал для транзисторов —полупроводниковые полимеры. Также имеются отдельные сообщения о транзисторах наоснове углеродных нанотрубок.[править] По структуреТранзисторыБиполярныеpnpПолевыеn-p-nС p-n-переходомСканаломn-типаСканаломp-типаСизолированнымзатворомСоСвстроенным индуцированнымканаломканаломПринцип действия и способы применения транзисторов существенно зависят от их типа ивнутренней структуры, поэтому подробная информация об этом отнесена всоответствующие статьи.Биполярныеo n-p-n структуры, «обратной проводимости».o p-n-p структуры, «прямой проводимости»Полевыеo с p-n переходомo с изолированным затворомОднопереходныеКриогенные транзисторы (на эффекте Джозефсона)[источник не указан 513 дней][править] Комбинированные транзисторыТранзисторы со встроенными резисторами (Resistor-equipped transistors (RETs)) —биполярные транзисторы со встроенными в один корпус резисторами.Транзистор Дарлингтона — комбинация двух биполярных транзисторов,работающая как биполярный транзистор с высоким коэффициентом усиления потоку.o на транзисторах одной полярностина транзисторах разной полярностиЛямбда-диод — двухполюсник, комбинация из двух полевых транзисторов,имеющая, как и туннельный диод, значительный участок с отрицательнымсопротивлением.Биполярный транзистор с изолированным затвором — силовой электронныйприбор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами.o[править] По мощностиПо рассеиваемой в виде тепла мощности различают:маломощные транзисторы до 100 мВттранзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Втмощные транзисторы (больше 1 Вт).[править] По исполнениюдискретные транзисторыo корпусные Для свободного монтажа Для установки на радиатор Для автоматизированных систем пайкиo бескорпусныетранзисторы в составе интегральных схем.[править] По материалу и конструкции корпусаметалло-стеклянныйпластмассовыйкерамический[править] Прочие типыОдноэлектронные транзисторы содержат квантовую точку (т.

н. «остров») междудвумя туннельными переходами. Ток туннелирования управляется напряжением назатворе, связанным с ним ёмкостной связью.[1]Биотранзистор[править] Выделение по некоторым характеристикамТранзисторы BISS (Breakthrough in Small Signal, дословно — «прорыв в маломсигнале») — биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами.Существенное улучшение параметров транзисторов BISS достигнуто за счёт измененияконструкции зоны эмиттера.

Первые разработки этого класса устройств также носилинаименование «микротоковые приборы».Транзисторы со встроенными резисторами RET (Resistor-equipped transistors) —биполярные транзисторы со встроенными в один корпус резисторами. RET транзисторобщего назначения со встроенным одним или двумя резисторами. Такая конструкциятранзистора позволяет сократить количество навесных компонентов и минимизируетнеобходимую площадь монтажа. RET транзисторы применяются для контроля входногосигнала микросхем или для переключения меньшей нагрузки на светодиоды.Применение гетероперехода позволяет создавать высокоскоростные и высокочастотныеполевые транзисторы, такие как HEMT.[править] Применение транзисторовТранзисторы применяются в качестве активных (усилительных) элементов вусилительных и переключательных каскадах.Реле и тиристоры имеют больший коэффициент усиления мощности, чем транзисторы, ноработают только в ключевом (переключательном) режиме.Усилитель мощности на полевых транзисторахЭта схема в различных вариантах известна с конца 70-х годов.

Данный вариант реализованфирмой HITACHI. Мощность можно изменять, меняя число пар выходных транзисторов..

Характеристики

Тип файла PDF

PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.

Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.

Список файлов учебной работы