0750-8-freview (Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности)

Акционерное общество "Светлана-Рост" ~АО "Свег71лана-Рост" ) Энгельса пр., д. 27, Санкт-Петербург, Россия, 194156 Тел: ~812) 313-54-51, Факс: ~812~ 320-43-94 виггса геааоа-гоатто, е-глана :'лГоСьачгоаг.го ОКПО 74774711 ОГРН 1047855125592 г1НН 7802309289 КПП 773101001 Отзыв на автореферат диссертации Осипова Артема Арменаковича на тему «Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травлении монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности», предоставленной на соискание ученой степени кандидата технических паук по специальности 05.27.06 — «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники» Диссертация Осипова А.А.

посвящена решению важной проблемы в технологии производства различных приборов электронной техники, а именно разработке основ процессов плазмохимического травления ~ПХТ) подложек из монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития, Актуальность темы диссертации обусловлена тем обстоятельством, что эти материалы только начинают широко применяться в электронной технике, и информация о режимах процессов плазмохимического травления, обеспечивающих создание на их поверхности объемных микроструктур заданных размеров и геометрии практически отсутствует. Продемонстрированная автором возможность успешной реализации импортозамещения в области создания технологического оборудования для микроэлектроники также является большим и важным шагом вперед российской науки.

Научная значимость диссертационной работы заключается в том, что автору удалось получить новые знания о характере влияния основных технологических параметров процесса ПХТ на скорость травления различных материалов. Положительной оценки заслуживает тот факт, что автор диссертации представил физико-химическое обоснование выявленных зависимостей. Нельзя не отметить результаты, полученные впервые и относящиеся к установлению характера влияния термостимуляции на процессы плазмохимического травления %02, ЯС, 1лХЬО3.

Практическая значимость диссертационной работы не вызывает сомнений, так как автор диссертации не только получил значимые для науки результаты в области понимания физико-химической сушности процессов плазмохимического травления монокристаллических кварца, карбида кремния и ниобата лития, но и довел исследования до создания основ технологий глубокого высокоскоростного плазмохимического травления этих материалов и успешного их опробования при создании некоторых приборов. Несмотря на высокий уровень выполненных исследований и представленных результатов диссертационной работы, хотелось бы сделать следующие замечания по автореферату: 1. Не раскрыт вопрос выбора тех или иных технологических параметров эксперимента в качестве варьируемых факторов при выявлении степени их влияния на скорость травления. 2.

Отсутствует единый стиль предоставления единиц измерения температуры. Стр. 4, 6 — это градусы Цельсия, далее — Кельвины, а на 17 стр. снова градусы Цельсия. 3. Метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии отмечен как метод анализа образцов после ПХТ, при этом данные по анализу состава поверхности образцов представлены только для ниобата лития. Какие соединения образовывались на поверхности подложек из карбида кремния и кварца". В целом, отмеченные замечания не снижают хорошего впечатления от представленной диссертационной работы и значения для науки и практики результатов, полученных ее автором.

Диссертационная работа Осипова Артема Арменаковича «Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой могцности» содержит новые значимые для науки и практики знания и является законченным трудом. Диссертация соответствует требованиям «Положения о присуждении ученых степеней». а ее автор, Осипов А.А.. заслуживает присуждения ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.06 — «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники». Ведущий инженер ОГК .

-.--ф АО «Светлана-Рост» к.х.н,,~~~~"~~ ~ Дмитрий Михайлович Красовицкий ,~7гэч ~6 Подпись Д.М. Красовицкого Секретарь-референт 'У .