0750-5-freview (Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности)
Описание файла
Файл "0750-5-freview" внутри архива находится в папке "Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности". PDF-файл из архива "Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве СПбПУ Петра Великого. Не смотря на прямую связь этого архива с СПбПУ Петра Великого, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
отзыв на автореферат диссертации Осипова Артема Армепаковича «Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.06 — Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники Работа А,А. Осипова посвящена исследованию основных физико- химических закономерностей процесса плазмохимического травления (ПХТ) монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития на созданной установке с индуктивно связанной плазмой и применением оригинальной конструкции подложкодержателя с возможностью регулирования и термостатирования его поверхности, Совершенствование аппаратной составляющей с применением современных подходов к проектированию конструктивных особенностей системы позволило предложить конкурентоспособную, и даже превосходящую зарубежные аналоги, конструкцию установки ПХТ с высокочастотным (ВЧ) источником пониженной мощности, что открывает возможности реализации травления с высокой производительностью применительно к широкому спектру современных материалов электронной техники„а также является экономически перспективным направлением модернизации самого процесса ПХТ.
В работе уделяется большое внимание разработке на базе предложенных конструктивных изменений основ технологии глубокого направленного высокоскоростного травления подложек %0з, %Си !..1)~ЬО при малых уровнях поглощаемой ВЧ мощности (ло 1000 Вт). 1!ля каждого материала рассмотрена и выявлена степень влияния технологических параметров, варьируемых в ходе эксперимснта факторов, что позволяет рассматривать сделанные автором выводы как готовое руководство к технологическому внедрению на производстве„и тем самым еще больше увеличивает значимость представленных результатов и их практическую направленность. По тексту автореферата имеется несколько замечаний: 1. В тексте автореферата автор указывает значения давления.
при которых получены соответствующие результаты, либо использует словосочетания «увеличение/понижение давления» и др.т но не приводит сведений об интервале значений указанного параметра исследования. Может сложиться впечатление. что основная часть экспериментов осушествлялась судить по данным столь малого количества измерений.
Указанные замечания не снижают хорошего впечатления от работы, выполненной на высоком современном научно-техническом уровне. Автореферат грамотно написан и хорошо иллюстрирует выполненную работу. Полученные на основе разностороннего экспериментально- исследовательского опыта выводы не вызывают сомнения в их достоверности, и применение предложенных автором технологий на ведуших предприятиях отрасли является дополнительным тому подтверждением. По своему объему, новизне, научной и практической значимости результатов работа Осипова Артема Арменаковича полностью соответствует требованиям ВАК к кандидатским диссертациям по специальности 05.27,06— Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники, а ее автор заслуживает присуждения искомой степени кандидата технических наук. Начальник лаборатории АО «НПО ГОИ им.
С.И. Вавилова», д.г.н,, старшин науиннй сотрудник ф Дунаев Анатолий Алексеевич 2~. у0~ Я,':Г 192171, Санкт-Петербург, ул. Бабушкина, д, 36, корп.1. тед. 5б0-10-20, е-дта11 бнпеетг бонин при каком-то постоянном значении, однако это не удается установить, исходя лишь из данных графика на рис.8 и пояснений к нему, Вероятно, в содержании второй главы недостает данной информации, ее наличие способствовало бы более полному восприятию дальнейшего материала. 2. На графике, представленном на рис.11б, отмечены 3 интервальные точки, через которые проведена линия сложной формы.
Не исключено, что зависимость, которую обсуждает автор, может иметь тенденцию к разделению на участки, однако об этом сложно с большой долей уверенности .