0750-4-freview (Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности)

отзыв на автореферат диссертации Осипова Артема Армеиаковича «Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития малой мощности», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27,06 — Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники Диссертационная работа Осипова А.А. посвящена решению актуальной задачи — разработке новых технологий плазмохимического травления (ПХТ) материалов, перспективных для использования в процессе производства полупроводниковых приборов, интегральных микросхем и электро-механических систем, что соответствует паспорту специальности 05.27.0б — Технология н оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.

Цель исследований диссертанта состояла в изучении основных физико- химических закономерностей процессов ПХТ на созданной установке с индуктивно-связанной плазмой и в разработке основ технологий глубокого направленного высокоскоростного травления материалов при малых значениях ВЧ мощности. В процессе исследований соискателем получены новые научные результаты, устанавливающие основные физико-химические закономерности процесса ПХТ монокристаллических ЯОз, ЯС и 11Ь)ЬОэ.

Разработан новый метод полировки подложек ЯС основанный на использовании термической стимуляции процесса ПХТ. Впервые продемонстрирована принципиальная возможность получения структур глубиной более 100 мкм в 1.1Ь)ЬОз с помощью термостимулированного ПХТ. Практическую ценность работы предопределяет созданный соискателем прототип промышленной универсальной установки плазмохимического травления различных материалов электронной техники с источником высокоплотной индуктивно-связанной плазмы. Следует отметить, что автор предлагает перспективные варианты применения разработанных им технологий: — глубокое 1сквозное) высокоскоростное направленное плазмохнмическое травление монокристаллического кварца.

Достигнутые скорости травления находятся в диапазоне 1.1-1.7 мкм)мин и позволяют получать структуры с различным значением аспекгного отношения. Технология успешно апробирована при изготовлении кварцевого камертонного чувствительного элемента прецизионного датчика давления, производящегося на АО «НПП «Радар ммс»: — глубокое (сквозного) высокоскоростное направленное плазмохимическое травление монокристаллического карбида кремния с использованием ВЧ источника индуктивно связанной плазмы малой мощности (1000 Вт).

Удалось достичь скоростей травления карбида кремния более 1 мкм 'мин. Данная технология внедрена на одном из ведущих предприятий отрасли — АО «СветланаЪчектронприбор» и применена при изготовлении мощных СВЧ транзисторов; — глубокое высокоскоростное направленное плазмохимическое травление монокристаллического ниобата лития, обеспечивающая скорости травления более 450 нм!мин. Данный процесс опробован в технологическом цикле обработки ниобата лития в АО «НПП «Радар ммс». Предложенная технология является ключевой для создания разнообразных структур в монокристаллическом ннобате лития, необходимых для производства различных высокоточных датчиков. К автореферату имеются следующие замечания: из текста автореферата не ясно, каким образом измерялась температура поверхности держателя подложки в процессе плазмохимического травления,: непонятно, каким образом определялась завершенность процесса сквозного травления.

Высказанное замечание не снижает важности полученных результатов и их значимости для практического применения. Диссертационная работа соответствует требованиям, предъявляемым к кандидатским диссертациям пп. 9- 11, 13. 14 гл. 11 «Положения о присуждении ученых степеней». утвержденного Постановлением правительства РФ от 24.09.2013 № 842 (ред. от 01.10.2018), .а ее автор. Осипов Артем Арменакович, заслуживает присуждения ученой степени кандидата технических наук по специальности: 05.27.06 — Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.

Заместитель генерального директора по науке АО «НИИ «Гириконд», к.т.н. К.т.н. Беленький Борис Петрович Заместитель генерального директора по науке АО «НИИ «Гириконд» 194223, Россия, Санкт-Петербург, ул. Курчатова, 10 +7(812)247-14-51 и3 в~~иб ги .