0750-2-opbiblio (Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности)

оеденААаиое ГООИААРОлнеииое Боджееиое уннежлеиие ЕИЕШЕЕО ОБЕАЗОБАИИЯ И НАУКИ С М КТ-11ЕТЕРЬз РР(,'К1$Й 11АЦКО11.МЫ1ЫЙ ЫХ; М',~ОВАХЕИ СИ1Й АКА.1сЕЧ$ИМЪИЙ ЯИ$ВЕРОИ'1 1'.Т РОг'Г:ИЙОКОЙ АКАДЕМИИ ИА11 К ! 94021, СЗПсссрбзрг, ул. Хлопнна, 8, корп.

3, лит. А тслсфон (факс!: (812] 448-69-80 ууж е.арЬаплп ОКПО 59503334, ОГРН 1027802511879 ИННЕКПП 78041б17231780401001 ;:~~'. ~,,! ~б.В Председателю совета по защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук, на соискание ученой степени доктора наук Д 212.229.02 на базе федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Санкт-Петербургский политехнический университет Г1етра Великого», доктору химических наук.

профессору С,Е. Александрову д. т. н.„ведущий научный сотрудник СПбАУ РАН (Гудовских Александр Сергеевич/ Я, Гудовских Александр Сергеевич, доктор технических наук, ведущий научный сотрудник государственного Федерального государственного бюджетного учреждения высшего образования и науки <сСанкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук» ГАкадеь(ический университет), согласен быть официальным оппонентом диссертационной работы Осипова Артема Арменаковича «Разработка технологии скоростного, глубокого, плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.0б — Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. Список основных публикаций Гудовских Александра Сергеевича, доктора технических наук, ведущего научного сотрудника Федерального государственного бюджетного учреждения высшего образования и науки «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук» 1Академический университет), официального оппонента по диссертации Осипова Артема Арменаковича «Разработка технологии скоростного, глубокого, плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.06 — Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.

1. Морозов И.А., Гудовских А.С, Исследование свойств границ раздела солнечных элементов на основе Оа1пР с помощью измерения спектральных характеристик с варьируемым потоком излучения // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 4. С. 475-480. 2. Кудряшов Д.А., Гудовских А.С., Никитина Е.В., Егоров А.Ю. Разработка конструкции многопереходных солнечных элементов на основе гетероструктур ОаРХАз/Я методом компьютерного моделирования // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 3.

С. 396-401. 3. Та11сепЬет8 Р., 111Ьагсй Я., Кайпосл О,Х., Реса В., Яс1ппЫ! О., ЯсЬ1ецзепег А., ВЖЬапЬауеч К., МиззаЬеК О., Оидо~зЫИ А„Я~аКои У. А1огп1с 1ауег дероз111оп ргесигзог з!ер гереп11оп апд зцг1асе р1аяпа рте!геаппеп! !пйиепсе оп зетп1сопс1ис1ог-1пзп1а1ог-зеппсопдис1ог Ье1его1ипспоп зо1аг //.1оигпа1 о1' Ъ'асцшп Яс!енсе апд ТесЬпо1о8у А. 2015.

С. 34 4. Никитина Е.В., Гудовских А.С., Лазаренко А.А,, Пирогов Е.В., Соболев М.С., Зеленцов К.С., Морозов И.А., Егоров А.Ю. Гетероструктуры ОаАз/1пОаАзХ для многопереходных солнечных элементов // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 5. С. 663-667. 5. Можаров А.М., Кудряшов Д.А., Большаков А,Д., Цырлин Г.Э., Гудовских А.С., Мухин И.С. Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе ОаРХАз/Я гетероструктур и ОаЬ! нитевидных нанокристаллов // Физика и техника полупроводников.

2016. Т, 50. № 11. С. 1543-1547. 6. Кудряшов Д.А., Гудовских А.С., Бабичев А.В., Филимонов А.В., Можаров А.М., Агекян В.Ф., Борисов Е.В., Серов А.Ю., Философов Н.Г. Наноразмерные пленки Си О: формирование методом ВЧ-магнетронного распыления, исследование структурных и оптических свойств // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 1. С. 111-115. 7. Мусалинов С.Б., Анзулевич А.П., Бычков И.В., Гудовских А.С., Шварц М.3. Влияние двух и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе А1НВЪ" //Физика и техника полупроводников. 2017. Т.

51. № 1. С. 89- 93. 8. Афанасьев В.П,, Гудовских А.С. Солнечные элементы на основе гетероструктуры аморфный/монокристаллический кремний //Известия СПбГЭТУ ЛЭТИ. 2017. № 4. С. 5-15. 9. АЛ. Вагапоч, А8. ОцдочзЫ?й, О.А. КцдгуавЬоч, 1.А. Могоюч, А.М. МогЬагоч, ЕХ. %Ыгша, К.8. 'Ыепгвоч, А. Ватна, ЯЛ. Оа11, Л.Р. К1е!дег, 1пйцепсе о? РŠ— А1 0 о? ОаР оп !Ье 811!соп %а?его Оца1!гу// РЬуяса ага!па 8о!1д! (а) чо1. 214(12), рр. 1700685, 2017 10. А.Я. ОцдоъъЫИ~, АХ.

?Лчагоч, 1.А. Могоюч, А.1. Вагапоч, В.А. КцдгуазЬоч, ЕХ. МЫг!па, А.А. Вц1са[ш, К.8. Хе1епгвоч, 1.8. МцИип, А. 1.ечгсЬеп1со, ЯЛ . Оа11, Л.Р. К?е!дег, % доред ОаР 1ауегв 8готчп оп % иа?егв Ьу !очч !етрегагцге РЕ-А?,0// Лоцгпа! о? КепеччаЫе апд Бинга!паЫе Еверу, чо1. 10(2), рр. 021001, 2018 ! 1. А.Я. ОцдочзЫ1й, А.У. ?!чагоч, 1.А. Могоюч, А.1. Вагапоч, В.А, КцдгуаМюч, К.8. Хе1епгвоч, А,8. Вц?саг!п, К.Р. Ко!!уаг, ? оъ гетрегагцге р!азгпа епйапсед дероя!!оп арргоасЬ ?ог ?аЬг1саг!оп о? гшсгосгуяа11ше ОаР/% зцрег1а!г!се Лоцгпа! о? Ъ'асцшп 8с!енсе й ТесЬпо1оиу А: Часццш, 8цг?асез, апд Р1!пь// ъ о1. 36(2), рр.

02Р408, 2018 12. А.1. Вагапоч, А.Я. ОцдочвЫ!й, ?).А. КцдгуазЬоч, А,А. ?,ахагеп1со, 1.А. Могоюч, А.М. МохЬагоч, ЕХ. %?с!г!па, ЕХ, Р!годоч, М.8. 8оЬо1еч, К.Я. 2'.е!еп!зоч, А.У. Е8огоч, А. Ваг8а, ЯЛ.. Оа11, Л.Р. К1е!дег Ре?есг ргорегпез о? ?пОаАзЬ! !ауегз 8гоюп аа зцЬ-пюпо1ауег д!рга! а1!оуз Ьу гпо1есц1аг Ьеагп ерйаху// Зоцгпа! о? Арр1!ед РЬуясз чо1. 123(16), рр. 161418, 2018 13. А.8. ОцдочзЫ?сЬ, 1.А. Могоюч, АХ. ?)чагоч, В.А. КцдгуазЬоч, ЕХ.

%Ыбпа, А.Я. Вц?саг!п, Ъ'.Х. Ь!ечедопь!г!у, Л.Р. К1е!дег ?лчг гегпрегагцге р1аяпа епйапсед дероя[!опо? ОаР ?1!пь оп Я зцЬягаге// Зоцгпа! о? Ъ'асцшп Яс!епсе ос ТесЬпо!оцу А: Ъ'асццгп, $цг?асез, апд Р!!пав, чо!. 36(2), рр. 021302, 2018 14. А.Я. ОцдочзЫ?й, АХ. ?)чагоч, 1,А. Могою ч, А.1. Вагапоч, О,А. КцдгуавЬоч, К.$. Хе1епгзоч, АЛайге, Я, ?.е Оа11, А. ваагна, А. Вгекагд-Оцдо! апд Л.-Р.

К!е1дег. ?пгег?асе Ргорегг!ез о? ОаР/8! Негего1цпсг!оп РаЬг!сагед Ьу РЕ-АЛ.В // РЬув. 8гагцз 8о1!д1 А 2018, 1800617. Монографии (аа последние 10 лет): 15. Гудовских А. С. Границы раздела в солнечных элементах на основе гетерост-руктур СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2012. 160 с. 16. А.Я. ОцдочзЫ!сЬ, Ь!.А. Ка1уцхЬпуу, Я,А. Мшга!гоч, У.М. ?.апггагоч. 1пГег?асев ш 111-Ч Н!8Ь Е??!с!епсу 8о1аг Се!?з // Жап8 Х., %'ап8 У.. М.

(Едя) Н1аЬ-Е1Т1с1епсу Бо1аг Се11в: Рпуа1сз, Магер)а1з, апд Веч1сез, Брппдег Бег1ез 1п Ма1епа1з Бс|епсе Уо1пгпе 190, 2014, рр 545-570 д. т. н., ведущий научный сотрудник СПбАУ РАН Подпись Гудовских А,С. заверяю Ученый секретарь Ученого совет~"'.:;,'-': -::::.-:;: ' ':-",, Академического университета,,е"...;- .

',:,'- --' ' профессор 1., А.А. Линовский Патенты, авторские свидетельства (за последние 10 лет):- 17. Патент на изобретение И)э 2407108 07.04.2008 «Концентраторный солнечный элемент» Терра А.Р., Андреев В.М., Гудовских А,С., Румянцев В.Д, Лантратов В.М. 18. Патент на изобретение И) Я 243б191 28.0б.2010 «Каскадный фотоэлектрический преобразователь с наноструктурным просветляющим покрытием» Андреев В.М., Малевская А.В., ? удовских А.С,, Задиранов 1О.М. 19. Патент на изобретение И)$244224220.10,2010 «Многопереходный преобразователь» Андреев В.М., Калюжный Н.А., Лантратов В.М., Минтаиров С.А., Гудовских А.С. Другие публикации: 20.

1пйиепсе о1 сгуояеп1с дгу егсЫпд оп пппог1гу сагг1ега Иейгпе 1п чеп1са11у айяпед гд11соппапсьггасгигез КидгуавЬоч, О., Могохоч, 1., бидочаИЬ, А., ()чагоч, А., Ког1уаг, К., 1 11гасйеч, А,, Иазпс1геЫп, А., Рач1оч, Я. А1Р Соп1егепсе Ргосеед1пяз 2064,030007, 2019 21. Могоюч, 1.А., бидочвЫЫг, А.Я., Кидгуаа1юч, П.А,, Ког1уаг, К.Р. 1пйпепсе о1 дгу егсй1пд сопд111оп го яеогпеггу о1 чегпса11у а11япед я11соп папоыгис1игез Яоигпа1 о1' РЬув1сз: Соп1егепсе Бег1еа 917(5), 052030, 2017 22.

Могсяоч, 1.А., бидочзЫ1й, А.Б., Кпдгуаз1юч, В.А., Ког1уаг, К.Р., ЯшЬ|па, КХ. Е1Тес1 о1 гегпрегагиге оп дгу егс1ппя о1 1П-Ъ' зггисгигез 1опгпа1 о1 РЬуясв; Соп1егепсе Кег1ез 1124(4),041031, 2018 .