0750-1-freview (Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности)

1-1ТМЧК ! Раки!1а1 !Ьзеп!еигиг!55епасьаГГеп Носпасьи!е Сбг Теспп!Ь, 99!715спай ипг! Ки!1иг 1.е!Р2!9 Посо«с»«|е Гаг тес»при»ЯП«се«П «пе К«и«г се|рг|а поги«сь зо и м, амп 1«!ос|а йи55!апс! - Россия 195251 Санкт-Петербург ул. Политехническая 29 Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого Председателю дисс. совета Д 212,229.02 Рагс Ог Ма аоьаппеахепгпег Отзыв Ргоымв копов«М!оп на автореферат диссертации Осипова Артема Арменаковича, представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники на тему «Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристалического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности» чогиапд !пепи! 6пги!сыипзигггепеепег маасмпепЬаи РпнГ«хап РопсЬ«па Еааииа1 гпаепгеипегмепасьаяеп Т «49 341 3076 - 4115 Г «493413076-4202 !опаппеа.аепгпег0мпв!«|г!6.де Судя по содержанию автореферата, Осипов А.

А. в своей диссертационной работе разработал плазмохимическую установку для скоростного и глубокого травления различных материалов„а также экспериментально доказал состоятельность и функциональность выбранной концепции. Далее на основе разработанной установки изучены основные физико-химические законо- мерности процессов плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития, а также возможности повышения скорости травления н качества травящейся поверхности путем термостимулированния процессов плазмохимического травления. На основе полученных знаний сформулированы главные положения технологии высокоскоростного направленного глубокого плазмохимического травления подложек из монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития. НосЬ»си«ге Гвг тесЬпжь иэнасьая «по Киииг сеграгз Сильной стороной диссертации, на мой взгляд, является разработка концепции установки реализующей очень сложный физико-химический процесс и создание опытного образца этой установки.

В особенности следует отметить Кагг-1!еЬМпесььзсг. 132 04277 се!РггЗ бппипзсаекеп М оп!аз Ыа Гге!Гаа 9-18 иьг «Ьи«!Мегрищ М 1/2 Направления выполненных исследований безусловно имеют важное практи- ческое значение для технологий микроэлектроники и микросистемотехники, а также, например, для новых поколений солнечных батарей и для других областей техники. Носпзспые гвг Тесло~к, уунтзспай ипд кы1иг ее~рве оригинальную конструкцию подложкодержателя с возможностью регулирования и термостатирования его поверхности.

Хоть в рамках автореферата сложно дать исчерпывающую информацию о конструкции установки, но на основе представленных рисунков структура, а также основные узлы и приборы на качественом уровне вполне идентифицируются. Важной и очень ценной частью работы является также исследования травления монокристаллического кварца„карбида кремния и ниобата лития с помощью разработаной установки и выявление технологических условий оптимального протекания физико-химических процессов травления относи- тельно качества структур, а также производительности и энергоемкости их получения.

Результаты этих масштабных исследований кратко, но полно представлены и в автореферате. К сожалению за рамками автореферата остался сравнительный анализ достигнутых параметров качества, призводительности и энергоемкости с подобными параметрами конкурирующих установок, определяющих мировой уровень развития в этой области. Отмечена лишь общая конкурентоспособность предложенной концепции. В целом следует отметить, что предложенной диссертацией аспирант демон- стрирует солидную теоретическую оснащенность и тонкое экспериментальное чутье. Оформление автореферата выполнено грамотно, особенно следует отметить продуманные рисунки и графики. Стиль изложения точен и ясен, Указанные замечания не снижают весьма положительных впечатлений и оценки работы. Судя по автореферату, диссертация А.

А. Осипова соответствует требованиям, предъявляемым к диссертациям на соискание ученой степени кандидата технических наук. Своей диссертацией А. А. Осипова вносит существенный вклад в развитие технологической базы микроэлек- троники и микросистемотехники, а ее автор несомненно заслуживает присуждения ему степени кандидата технических наук по специальности 0527.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. Лейп пез Еепгпег (Йоханнес Центнер~ РгоЕе Нося вопи!е гбг Тесло! К, НТГвсйай опт Кийог $ е~рлц Гакипаг !пдеыечпиввепвеьапеп Роиаавсьхтя р мгасьзвибь 04251 ге1~юз ььххчырпвкм .