sprav_tranzistor (529834), страница 78
Текст из файла (страница 78)
13 оянный ток базы , Лостоя !3 оянцая рассеиваемая мощность колчектора !3остоян 2Т912А, 2Т912Б при Т„. < 213 — 373 К при Т„= 398 К . КТ912А, КТ912Б при Т„с 358 Средняя Рассеиваемая мощность коллект ческом режиме прн Е < 78 В 2Т912А, 2Т912Б при Т„< 358 К при Т„= 398 К КТ9!2А, К !912Б при Т„< 358 К Теп.зовов сопротивление переход-корпус Температура окружающей среды 2Т912А, 2Т9!2Б . 80 В 60 В 5 В 20 А 1О А 30 Вт 15 Вт зо Вт линами- 35 Вт 17,5 Вт 35 Вт 1,42 К/Вт От 213 до Т„= 398 К От 223 до Т„=- 358 К КТ912А, КТ912Б . П риме чан ие Допускается производить пайку выводов на расстоянии не менее 2 мм от корпуса паяльником, нагретым до температуры 523 К, в течение не более 10 с Допустимый крутящий момент на монтажный винт при креплении транзистора 1,8 Н м Осевое усилие на винт допускается не более 1бОО Н Ьт !э 70 )л„,~ 50 г0 10 0 г3950202яД г 0 1 2 Ю 9 5 01,А висимость статического коэффицп"'та передачи тока от тока коллектора Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора.
гв чв О В тп УВ Охд,б О В УВ Зависимость статического ьогффициенга передачи така от напряжения кач >ектар-база Зависнмосчь напряженна наты щения ко 1чеьтор-эчпптер ог тока ьоччектора 2Т917А виитте ге я. 9сяабла я джона Электрические параме эры Напряжение иасьппения коллектор.змиттер при гк = !О А, lв = 2 А не бочее Напряжение насыщения база-эмиттер при 2к = >О А, ув = 2 А не более, Статический коэффициент перелачи тока в схеме с общим эмиттером при Егкэ = 5 В, 1к = 7 А при Т= 298 К 2 В 2,2 В !0 — 60 592 Транзистор кремниевый мезе-п чанарный п р л уииверсачьный высокочастотный мощный Прелназггачен зля работы в импучьсных схемах, схемах гси >ения и генерирования Выпускается в метачлокерамическом кори>се с жесткими выводами Обозгычение чигы приводится н~ корпусе Вывод эмигчсра маркнр>ется усчовной то ~кой иа ьорп>се Масса транзистора не бочее 20 г ,, Т=2!3 К .
,',ри Т = 398 К, !к = 2 5 А . . . . . . . к,зэффпциента передави тока при Г/кз = !О В, Модуль 1 А 1=10 МГп нс менее . ~к Губратны тиый ток кол гектор-зчптзер при йвз = 10 Оч, — !50 В це более при 7'= 298 К и Т= 2!3 К при Т= 398, Пкэ = 120 В Гзб адцыгз ток зчпттера при 77вз = 5 В не более . Р' „„,',„.„,.
но-ь* ри !7к=30 В, у= 10 МГ..' л ыссе С ж~" по: ощнос н !Р'„.„' '50 В,' Пк = ЗО В, Г= 10 МГц Коэффициент полезного действия при Ггк = 30 В, Г= = 10 МГц !Р, „ < 50 Вт) 8 -60 1О - 180 20 чЛ 40 мЛ 200 чЛ 30-50 Вт 1Π— 20 70-80;4 Предельные эксплуатационные данные 200 В 150 В 5 В Постоянное напряжение кочзектор-.зчиттер прн Вяз=-10 Охз при Т,<373 К..............
150 В при Т, = 423 К . . . . . . . . . . . . 75 В ИчпУльсное иапРЯжеиие лоллсктоР-эмиттеР цРн та < 1 мс, Д л 2 Постоянное напра,кение коллектор-база Постоянное напряжение база-змигтер Импульсное напряжение база-змиттер при та < 1 мс, Сз Н 2, /в.з„н 1 А.............. 8 В Пос~оянный так коллектора . .
. . . . . . . . 10 А Ичпу зьсный ток коллектора при та < 1 мс, Ьз н 2 . . . !5 Л Посюянный ток базы............. 5 А Импульсный ток базы при т„< 1 мс, !'„7 > 2...., 7 А Постояпнав рассеиваемая мощность коллектора прн Т, и СЗ23К.....,...,,....., . 50 Вт Мгновенная рассеиваемая могцность коллектора на фронтах в режпче переключения при длительности фронтов цереходныХ прОЦЕссОв 0,1 — 0,2 мкс, Т„С 423 К 500 Вт Тепловое сопротивление переход-корпус....... 2 К/Вт Температура перехода . . .
. . . . . . . . . . 423 К Температура окружающей среды......... От 213 до П р и м е я а н и я 1 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая чощность коллектора, Вт, прн Т„> 323 К опрелеляется по формуле Р „,„, = !473 — Т 1; Максимально допустичое постоянное напра кение коллекторзмнттер при Т„> 373 К снижается линейно на 1О "Г верст каждые 10 К 2 Пайка выводов допускается на расстоянии ие менее 2 члз от корпуса транзистора 2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В, КТ920А, КТ920Б, кт9гов, кт92ог Электрические параметры Выходная мощность при 17кэ = 12,6 В, Г= 175 МГц, Г„< 313 К 2Т920А, КТ920А . 2Т920Б КТ9 ОБ 2Т920В, КТ920В . КТ920Г Коэффициенз усиления по мощности прн С/кэ= 12,6 В, Р= 175 МГп 2Т920Л, КТ920А Р,в„= 2 Вт не менее . типовое значение 2Т920Б, КТ920Б Р „= 5 Вт пе менее .
типовое значение . 2Т920В, КТ920В Р „ = 20 Вт не менее . типовое значение . КТ920Г Р,, = 15 Вт не менее Коэффициент полезного действия коллектора 2Т920А, 2Т920Б, 2Т92ОВ не менее . типовое значение КТ902А, КТ92ОБ, КТ920В, КТ920Г не менее . 2 Вт 7 Вт 5 Вт 20 Вз 15 Вт 7 1 эФ 4,5 9ч 3 4* 3 60"', 55% Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планариые и-Р-л геиер., ера. торные высокочастотные Предназначены для применения в схемах усилителей мощност стя, в том числе с амплитулной модуляцией, умножителях часто тоти н автогенераторах на частотах 50-200 МГп при напряжении и„ тания 12 6 В Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкимн ленте яыми выводалти н монтажным винтом Обозначение типа приводит „ на корпусе Масса транзистора не более 4,5 г кии коэффициент передачи тока в схеме с об- Ста ти ческий гцнм эмиттером при 17 ~к=50 мА,„ к=100 мА прн к = 250 мА, ти яиенне ивсыгцения колл Напряж МА ух=10 мА чение, к= 100 мА у значение .
2Т920В при 7к = 250 мА значение . слх эфф никита перелачи тока прн Г= 100 при 7к=02 А не типовое значение . 2'Р120Б, КТ920Б пРи 7ь = 0,4 А це менее . типовое значение . 2Т920В КТ920В при тк = 1,0 А не менее . зиповос значение . КТ920Г при 7к = 1,0 А не менее КРитический ток коллектоРа * пРи 17кз = 1О В, = 100 МГц: 2Т92ОА„КТ920А не менее . типовое значение . 2Т920Б, КТ920Б не менее типовое значение . 2Т920В, КТ920В не менее типовое значение . КТ920Г не менее .
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте пРи 77кэ = 1О В, 7 = 5 МГц: при 7э = 30 мА 2Т920А, 2Т920Б, КТ920А, КТ920Б нс более . типовое значение . при 1э= 150 мА 2Т920В, КТ920В, КТ920Г не более типовое значение Емкость коллекторного перехода при Пкэ = 1О В, Г= =5 МГц: 2Т920А нс более . типовое значение . 2Т920Б не более .
типовое значение . 2Т920В не более . типовое значение . Емк ость змиттерного перехода при 17вэ = 0,7 = 5 МГц не более: 2Т920А 2Т920Б зТ92ОВ 30 40 25 0,3 В 0,4 В 0,45 В 4 7,5 ' 4 4 4,5' 3,5 0,8 А 1,0 А 1,5 А 2,0 А 4,5 А 7,0 А 4,0 А 20 пс 7 пс 20 пс 9* пс 15 пФ 10ь пФ 25 пФ 1б" пФ 75 пФ 50* пФ 55 пФ 100 пФ 410 пФ Обратный ток коллектор-эчиттер = 1ОО Ом не бодее при Т=298 К 2Т920Л 2Т92ОБ.
КТ920А . 2Т920В КТ920Б КТ920В, КТ920Г . при Т= 398 К 2Т920А 2Т920Б 2Т920В Обратный ток эмиттера при Ьэя при Т= 298 К 2Т920А, 2Т920Б 2Т920В Индуктивносзь выводов * ири I = 2Т92ОЛ, КТ920А эчиттернаго колзекторного . базового 2Т920Б, КТ920Б эчиттернаго кочлекзорного .
базового . 2Т920В, КТ920В, КТ920Г эчиттернаго коллекгорного . базового . Емкости элок!родов относительно эчиттер-корпус коллектор-корпус . база-корпус . при ггкэ =. 36 В, 7тэя = 1 чЛ 2 МЛ 5 мЛ 4 мА 7,5 чА 2 чА 4 чА !О чА =4 В 0,25 чА 2 чА 1 мм 1.7 нГн 2,4 нГн 2,9 нГн 12 иГн 2,4 нГн 2,6 нГн 1,0 н!'н 2,4 нГн 2,4 иГн корпуса * 1,84 иф 1,53 пф 0,96 пф Предельные эксплуатационные данные 36 В 4 В 0,5 А А 3 А 1 А 2 А 7 А 0,25 А Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при 77вэ к <!00 Ом . Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный так коллектора 2Т920А, КТ920А . 2Т920Б, КТ920Б . 2Т920В, КТ920В, КТ920Г . Ичпуяьсный ток коттектора при т, К 20 мкс, !2 > 50 2Т920А, КТ920А . 2Т92ОБ, КТ920Б . 2Т92ОВ, КТ920В, КТ920Г Постоянный ток базы 2Т920А, КТ920А .
05 А 15 А Т920Б, КТ920Б 2Т92 Т9200, КТ9200, КТ920Г .. ,ыи ток базы при т„и!О мьс, БЗ д 100 у!мну "ьс'» 2Т920А, КТ920А . 21920Б, КТ920Б 2Т920В. КТ920В КТ920Г ияя !зассеиваемая мощность в динамическом при »Т920А, КТ920А 2Т920Б, КТ920Б . 2ТУ20В, КТ920В, КТ920Г . при 2'„ = 398 К 2Т920Л 2Т920Б 2Т920В Тепчовое сопротив »еппе переход-корпус 2Т920А, КТ920А . 2Т920Б, КТ920Б . 2Т920В, КТ920В, КТ920Г . Температура перехода Те»щератзра окр»ащошсй срезы 2Т920А, 2Т920Б, 2Т920В . 0,5 А 1 А 3.5 А режиме 5 Вт 10 Вт 25 Вг 1,25 Вт 2,5 Вт 6,2 Вт 20 К/Вт 10 К1Вт 4 К1В» 433 К От 211 до Т,398 К От 238 зо Г„= 258 К КТ920Л, К'!'920Б, КТ920В, КТ920Г Примечание Разрешается обрезать выводы на расстоянии пе менее 5 мм от корпуса без передачи усилия на керамичеслую часть корпуса, без нарушения герметичности и с сохранением обозначения колдекторного вывода !на 5 % ГОО % 100 бби» 10 80 8 80 80 ФО го г О,1 О,г 0,3 0,9 0,5 Рб„ог О 0,5 1 1»75 1'ыВг 3ав! авнсимость выходной мощности и КПД от входной мощ.
ности Зависимость выходной мощности и КПД от входной мощ- ности >Ен» го % >ОО бэй„ 2,5 о 100 15 во го 50 1,5 т>0 1 20 05 Во го 0 г С б В 100„,Вт 10 ох>,В Зависимость выходной мощности и КПД от входной мощности. % 100 >нт 10 ' >ня % 100 20 7,5 75 15 50 10 25 5 75 50 2,5 о г и б В >о О„,В Зависимость выходной мощности и КПД ат напряжения коллектор-эчиттер 10 О >оо 120 100 150 >во гооб,мгц Зависимость выходной мощно- сти от частоты. 9 ь от и =г Зависимость выходной чощнс сти и КПД от напряжения коллектор-зчнттер 0 г С б В >оок>В Зависимость выхолной мощности и КПД от напряжения ьоллектор-эмиттер В щ и.
э> О >ОО >гО 100 150 >ВО гОО 1,й>0> Зависимость выходной мопщо сти от частоты. Сголтв 50 гв го уо зг в уво тгв т гв,й Б э„,яс гр г5 гв 75 15 ,! 10 ~Лгт,! гд Оэ а. 15 сэ~мость вьгходной молино Завис стя ат частоты 0 0,гв,р 0,5 0,В УУэ,й Зависимость постоянной времени пепи обратной связи от тока эмп стерв а,г вд 05 о,в фвг„,д Завис висимость модуля коэффиниент нта перелачи тока от тока коллектора 0 Уа го го Дв 500яБ,В Зависимость емкости коллскторного перехода ат напряжения коллектор-база 0 г Д Б В Ув ия„В Зависимость критического тока от напра,кения коллектор-эмит- тер 0 в,ч' 00 т,г т,в г 1~,А Зависимость модуля коэффнниента передачи тока от тока коллектора Завис!!месть моду тя ьозфф ента передачи тока от вцвкоззектора тока !17згзэ ~ б б г 9 б В 707ю4 2Т921А, КТ921А, КТ921Б Транзисторы кремниевые пзаиарные яр л высокочастотные геце раторные Предназначены для работы в тинейных усичителях КВ и уКБ днщызонов цри напрявенизз питания 27 В Выпускаюгся в мета !лоьерамическом корпусе с эхссткими вн водами и хзонтахным винтом Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не Г>очес 6,5 г Еа Эмиттер Электрические параметры Выходная мощность при Г= 60 МГц, Ек = 27 В не менее Козффициезп усиления по мощносзи прн Р„„„= 12,5 Вт, Г= 60 МГц 2Т921А, КТ92!А не менее КТ921Б не менее Коэффициент полезного лействия коллек гора Р„к„=!2,5 Вт, 7'= 60 МГц не менее 2Т921А, КТ971А КТ921Б Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка при 7 = 30 МГц, Ркчм„ы — — 12,5 Вт не более Модуль коэффициента передачи тока на 7 = 30 МГп при 77ьэ =!О В.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
