sprav_tranzistor (529834), страница 74
Текст из файла (страница 74)
КТ818Б, КТЯ!ВБМ КТ818В, КТВ!ВВМ КТЯ!ВГ, КТВ!ВГМ Постоянное напряжение баы-эчи !гер Постоянный тоь кочлекторв КТ818Л, КТВ! ВБ, КТВ!ВВ, КТВ!ВГ . 2Т81ВЛ, 2ГВ!ВБ. 2ТЯ18В, КТВ18АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ ИмпУчьсный так коллекгоР» пРп тя «!О мс, !'Э > 100 КТ81ВА, КГ818Б, КТ818В КТ818Г . 2ТВ1ВА, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818ЛМ, КТ818БМ, К'ГЯ!ЯВМ КТ818ГМ Постоянный ток базы . Импучьсньггг ток базы Постоянная рвссеивяемая мощность ьоччеьторв с теплоотводом при Т, «298 К КТ818А, КТВ18Б, К'Г818В, КТ818Г 2ТВ!ВА, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ без тспчоогвода при Т < 298 К КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТВ! ВГМ 2Т818А, 2Т818Б, 2Т81ВВ, Температура перекопа 2Т818А, 2Т818Б, 2ТВ!ЯВ КТ81ВА, КТВ!ВБ, КТ818В, КТВ!ВГ, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТВ!ВГМ Темпервгурв окружающей среды 2Т818А, 2ТВ!ВБ, 2Т818В до КТЯ!ВА, КТ818Б, КТВ!ВВ, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТВ!ВВМ, КТ818ГМ.......
О до П р и и е ч а н и я: 1 Постоянная рассеиваемая мощность кол з ллекто. ра, Вз, при повышении температуры окружающей среды (кор„ Рпуса) свыше 298 К дзя 2Т8!ЯА, ЯТ818Б, 2Т818В рассчизывьется по формулам Рк „„„= (425 — Г,)51,25 (с теплоотводом), Рк „,„, = (423 — Г)/41.6 (без теплоотвода), для КТ818А, КТ8)ЯБ, КТ818В, КТ818Г уменыпаезся и.г 0,6 йт)К с теплоотводом и на 0,015 Вт)К без теплоотвода, для КТЯ(8АМ, КТЯ(ЯБМ, КТЯ)8ВМ, КТ818ГМ уменып !ется „„ 1 Вт)К с теплоотводом н на 0,02 Вг)К без тегиоотвода 2 Пайку выводов разрешается произволить на расстоянии н менее 5 мм от корпуса При лайке жало паяльника долж„ оыть заземлено.
При монтаже в схему транзисторов КТЯ(8А, КТ818Б, КТ818В КТЯ!ЯГ допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не (го 520 500 500 80 кз ь 80 48 80 „- 00 а 40 ай 20 га 280 080 лбУ 585 450 Гаг 0 г05 800 055 555 950т„к Зависимость максимально допустимой постоянной рассеивав. мой мощности коллектора от температуры корпуса Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коячектора от температуры корпуса. Агы 500 20,4 5,0 0,8 80 О,Е О,Ф о,г а 0,4 Г45 Входная га О О,О 0,7 0,8000,8 0,05 характеристика оогаово(аго40,85 г 4 2„4 Зависимость статического козф" фипиента передачи тока от то ка коллектора.
562 мм от корпуса под углом 90', ралнусом не менее енес О8 мм 1Зри этом должны приниматься меры, исключающие воэможность сть передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допзскается. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмпттер от тока коллектора. Зависимость относи1ельного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления баэа-эмиттер.
0,9 ьгтэ гч ав " 07 "- аб О,5 гг 19 а,ч 'О Ч В 1г 191к,Д Зависимость времени выключе- ния от тока коллектора. 19 21х 25х 29х ххх х7х Т,г Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса. 110 100 оз 90 90 70 Зависимость граничного напряжения от температуры корпуса.
бп 21х гбх 29х ххх х7х т», к а,в О,б О,Ч Яп,г о агаЧпба10а Чаатпг1атб1пг Влэ,ам 2 чэ „О,б О,Ч 0,1 Оов о,ач опг 0,01 ' О102ОЧпб1 г Ч 9107к,Д КТ820А-1, КТ820Б-1, КТ820В-1 пе гея'т Электрические параметры Граничное напряжение при ук = 50 мА, ти к 300 мкс, Д в 100 не менее КТ82ОА-1 КТ820Б-1 КТ82ОВ-1 Напряжение насыщения коллектор-змиттср при Тк = 0,5 А, Тв = 0,05 А не более . Напряжение насыщенна база-эмиттер при ук = 0,5 А, 7я = 0,05 Л не более .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Бкв = 2 В, гк = 150 мА не менее КТ820А-1, КТ820Б-! КТ820В-1 Граничная частота коэффициента передачи тока при Укэ = 5 В, Ук = 0,03 А не менее . Емкость коллектарного перекопа при Вкв — — 5 В, у= 465 кГц не более . Емкость эмиттерного перехода при !Гвэ = 0,5 В, з" = 465 кГп не более . 40 В 60 В 80 В 0,5 В 1,2 В 40 30 3 МГц 65 пФ 65 пФ Транзисторы кремниевые чеза-эпитаксиально-пленарные р-п.р "р уни. нереальные низкочастотные мощные Предназначены для применения в усилителях низкой част стоги операционных п дифференциальных усилителях, преобразователя елях и импульсных схемах герметизированной аппаратуры Бескорпусные, с гибкими выволами, без кристаллодержатед ателя с защитным покрытием Каждый транзистор упаковывается в ии „ видуальную тару Обозначение типа транзистора приводная я иа сопроводительной таре Масса транзистора не более 0,02 г 30 мкА !О Вт 398 К От 233 до 358 К и р н и е ч а н и я ! Максима зьно допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, в составе гибридной схемы при Т= 298 — 358 К опрелеляется по формуле Рк чхьс (398 3 )710 2 Допускается пайка выводов на расстоянии не менее 3 мм от защитнога покрытия б50 вега «О 720 80 80 гу го 273 235 293 ЗУХ 373 7, К внсимость статичссьо!о козфФипиента передачи тока от тока эмиттера Зависимость статического коэффипиента передачи тока от тем- пературы й ток коллектора при хгкк — 40 В не обРатззый ботев ° Предельные эксплуатационные данные янпое напряжение коллектор-эмизгер при Посзоянп й,и !ОО Ом Бз КТ820А.
! КТ82ОБ ! КТ820В- ! П стоянное напряжение база-эшптер. Посто Постоячный ток козлектора . И пу!ьсный ток коллектора при т„с !О мс О > 500 импу !ьс Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность лоллектора в составе „ибридной схемы при Т= 233 — 298 К Температура пере,ела Температура окружающей срелы . О ! 8 48702 4йгр~г 47„4 50 В 70 В $00 В 5 В 05 А $,5 А 0,3 А 0,5 п,ч ~ п,в ~0,7 0,5 1п,г ~ 01 п,б о Га г Чапег ЧбГаэг Чб,а.гааз*оп га г Ч б Гааг е,ае Зависимость напряжения нас, шення коллектор-эмиттер тока коллектора Зависимость относительного напряжения коллектор-эмгггтер от сопротивления база-эмиттер гб т 1,5 0,5 чз 09 ч 0,0 0,7 О,б г Ч бгатг Ч 1я мд О г95 515 555 555 375 у,я' Зависимость обратного тока кочлектора от темперагуры Зависимость напряжения насышенин коллектор-база от тока колчеьтора КТ822А-1, КТ822Б-12 КТ822В-1 Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные р-и р Зчм версальные низкочастотные мошные Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и лнфференциальпых усилителях, преобразовагетях " импульсных схемах Бескорпусные, с гибкими выводами без кристаллодеря ателя* с зашитным покрытием Каждый транзистор упаковывается в иггдг' видуальную тару Обозначение типа приводится иа сопроволитель иой таре Масса транзистора не более 0,02 г ядр ялг Электрические параметры Граничное напряжение при 1з = 100 мА, тк к 300 мкс, д р 100 не менее КТ822А-1 КТ822Б-1 КТ822В-1 Вапряжеггне насыщения коллектор-змиттер при 1к = 1 А, 1в — 0,1 А не более .
!4апряжеиие насыщения база-эмнттер при 1к = 1 А, 1ь — — 0,1 А не более Сытичсский коэффициент передачи тока в схеме с общим змит ~ором при Укз= 2 В, 1!г= 1 А цри Т = 298 н 358 К прп Вхолное сопрогзгвченгге в режиме мятого си~нала* цри !Гкз=5 В, 1к= 30 мЛ, 1=0,8 кГц. 45 В 60 В 80 В 0.6 В 1,5 В 25 15 0,15-0,36— 1 кОм Грвг~ичивя час~о~а коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при ОГкз = 5 В, 1к = 0,05 А не менее . Емкость колчекторного перехода при Тгкь = 5 В. 1= 465 кГд не более . Ечкосгь змиттерного перехода при Тгзв = 0,5 В, 1 = 465 кГц не более . Обратный ток кол чектора при Укь = 40 В не бо гее пРи Т= з98 К при Т = 358 К .
3 БВГц 115 пФ 150 пФ 50 мкА 100 мкЛ Предельные эксплуатационные данные !!ос ~ ос~пяница напряжение иьз < 1 кОм КТ822А.1 КТ822Б ! КТ822В-1 коллектор-змиттер прн 45 В 60 В 100 В Постоянное гьгпряжение баы-э лигтер . Постоянный ток коллектора ИинуЧЬСНЫй тОК КОЛЛЕХтсра Прн тч ж 20 МС, Д Э 100 Пос~оягнгьгЙ тоь' базы Постоянная рассеиваемая мощность коллел гора в составе гибридной схемы при Т = 233 — 298 К . Температура перехола Тепловое сопротивление переход-кристалч . Температура окружающей среды 5 В 2 А 4 05 А 20 В 198 К 5 К1В, От 211 3 8 К 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825д КТ825Е Коллсито Злектрическне параметры Граничное иапря кение при уэ = 100 мА 2Т825А 2Т825Б 2Т825В, КТ825Д .
КТ825Г . КТ825Е . Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более при ух=10 А, уь=40 мА при р~г = 20 А, [в = 200 мА Напряжение насыщения база-эмиттер не более при г'к = 10 А, з'я = 40 мА прн бе=20 А, 1ь=200 мА 80 В бб В 45 В 70 В 25 В 2 В 3* В 3 В 4* В Транзисторы кремниевые меза-планарные р-лэв составные у,п, версальные низкочастотные мощные Предназначены лля работы в усилитетях низкой частоты импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряже ния, повтори~елях, электронных системах управления, схемах авщ.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
