sprav_tranzistor (529834), страница 71
Текст из файла (страница 71)
П60! АИ, П602И . П601И, П602АИ . пРи Т= 343 К: П601И, П601БИ, П602АИ пе более . П601АИ, П602И нри Т= 213 К: П601И не менее П601АИ, П601БИ, П602И, П602АИ не более . Постоянная времени цепи обратной связи прн бка = 20 В, 7э = 50 мА, Т= 5 МГц не более Модуль коэффициента передали тока при 17кь = = !О В, Тэ = 50 мА, Т=!О МГц не менее П601И, П60!АИ, П601И П602И, П602АИ 750 пс Время нарастания при Зк = 0,5 А не более П60! И при 7в = 60 мА . П60!АИ, П601БИ, П602И, П602АИ при 1г, = 30 мА . 0,4 мкс 0,4 мкс 6 мкс 4 мкс 5 мкс 200 мкА 100 мкА 130 мкА 2 МА 1,5 мА 1,5 мА 6 мА Обратный ток эмнттера при !7эа = 0,5 В .
Емкость коллекторного перехода при Укв = 20 В, /= 5 МГц не более Емкость эмиттерного перехода* при 7/эв = 0,5 В, Т= 5 МГц. 1 мА 170 пФ 2500 пФ Предельные эксплуатационные данные Напряженна коллектор-эмиттер при 77яэ к 100 Ом при Т= 293 К П60!И, П602АИ П601АИ, П601БИ, П602И Напряжение коллектор-баэа при Т= 293 К П60!И, П602АИ . П60!АИ, П601БН, П602И Напра~кение эматтер-база прн Т = 293 Р' прн Т= 343 К 25 В ЗО В 25 В ЗО В 07 В 0,5 В Время рассасывания при 7к = 0 5 А не более П601 И при гв = 60 мА П60!АИ, П602И прн Зг, = ЗО мА .
П601БИ, П602АИ прн Та — — 30 мА . Обратный ток коллектора не более при Т= 293 К прн 67кя — — 10 В П601И П60!АИ, П602И . П601БИ, П602АИ при 77кь = 25 В П601И П602АИ . пРи Гукв = 30 В П60!АИ, П601БИ, П602И при Т= 343 К при Гукв = 10 В П601И, П60!АИ, П60!БИ, П602И, П602АИ . 1,5 А )ямпУ ульсный ток коллекто)за расее сеивасмая мощиостэм беэ теплоотвола при Т= 2!3 —: 333 К с теплоотводом при Т, = 298 К прн Т,=343 К уепловое сопРотивление перехол-корпус уепловое сопротивление переход-среда Температура перехода Температура окружающей среды . 0,5 Вт П р и м е ч а н и с Максимально допустимая постоянная рассеиваея мощность коллектора, Вт. с теплоотводом при Т„= 298 + 343 К в без теалоотвола прн Т = 333 + 343 К рассчитывается по формулам: Рк ч е = 1358 — Тх)(15 1с теплоотводом); )'к гоке = )358 — Т))50 гбез теплоотвода) (гэмл 50 Ск, лФ гга 100 140 100 10 Вп га а 10 га Зп 40 50 п,в а а,г5 п,5 0,25 1,0 1,гуп„,в Входные характеристики.
Зависимость емкости коллектор- ного перехола от напряжения коллектор-база. 1,г 1,0 ОВ Оа 0,9 а,г 0 10~ г 5 тат г 5 (аэгьща 5 )паг Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмнттер. Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 537 в 1,г Рэ 1,0 э э4 8. а,а .О,г я и 10' г и сэ сэ сэ Н чй ф 5 104()вазам 3,0 Вт 0,75 Вт 15 К!Вт 50 К!Вт 358 К .От 213 ло Т„= 343 К . 7,О о,в О,б 09 ъОг О ,рп г 072 5 зол' 5 Яву,аы Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмнгтер от сопротивления база-эмиттер гт~о~А Коллеж Еал Янилзлг Электрические параметры Граничное напряжение при уэ = 2,5 А ие менее при Т= 298 К при Т= 343 К Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при 77кэ = 2 В, ук = 5 А не менее Предельная часгата коэффнциенза передачи тока в схеме ~ОО В 90 В 10 Транзистор германиевый спяавной р-и-р универсальный низко.
частотный мощный Предназначен для работы в схемах усилитезей мощности низ. кой частоты, в импульсных и ключевых схемах Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на ларпусе Масса транзистора не более 25 г, крепежного фланца не более 7,5 г общим эмиттером при бкя = 20 В, 1к = 0,1 А не менее Обрати б атный ток коллектора при !7ка = 60 В не более: при Т= 298 К при Т = 343 К и Т = 218 К !3.„атный ток коллектор-эмиттер при Тгкэ =.
100 В, Обрат гг = 1,5 В не более БЭ 50 кГц б мЛ 30 мЛ 50 мА Предельные эксплуатаинонные данные 55 В Постоянное напряжение коллектор-эмиттер !4чгпучьсное напряжение коллекгор-змиттер при Газ —— =0,5 В, т„=1 мс, б!>10 мчгг!ульсное напряжение коллектор-эмнттер при !lаэ = =0,5б В, т„=0,3 мс, 1',1И10 . Постоянное напряжение база-эмиттер Постоянный ток кол чектора Постоянный ток базы в режиме включения Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 298 К . при Т= 328 К при Т= 343 К Вмггульсная рассеиваемая мощность кодлектора при т„=1 мс, Дл!О при Т= 298 К при Т= 348 К Тепловое сопротивление переход-корпус .
Температура перехода Температура окружающей среды . 100 В 140 В 15 В 12 А 0,15 А 50 Вт 25 Вт 8,3 Вт 1200 Вт 700 Вт 1,2 К1Вт 358 К От 218 до 343 К 1200 ПОО ч 1000 ч 900 гч 000 ' 30 а 20 10 0 213 253 292 339 3737„,0 Зависимость максимально лопустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 700 273 292 ЛЗ 333 3537„,0 Зависимость максимально допустимой импульсной мощности рассеивания колчектора от температуры корпуса.
"гтг 74 гл вп ва !г га а а,г 0,4 ав п,ви„,в Входные характеристики 10 7,,4 Зависимость статического котф. фнциента передачи тока от тока змиттера 1Т702А, 1Т702Б, 1Т702В Транзисторы германиевые сплавные р-лтр универсальные низко. частотные мощные Предназначены для работы в усилителях мощности низкой частоты, в ключевых схемах преобразователей напряжения, в схемах управляемых регуляторов, в имлульсных схемах Выпускаются в металлокерьмическом корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на корлусс Масса транзистора не более 23 г еллел тоут Эгшттер Электрнческне параметры лри Тк = 2,5 А ие лтенее 60 В 40 В 45 В 30 В Граничное напряжение лри Г= 298 К 1Т702А, !Т702Б 1Т702В лри Т= 343 К 1Т702А, !Т702Б 1Т702Б при Т= 213 К !Т702А, 1Т702Б 1Т702В Напряжение насыщения гь = 3 А ие более 45 В 35 В коллектор-эмиттер прн 7к = 30 А, о,ь в 1,2 в 1Т702А, 1Т702В !Т702Б б ятпческий коэффициент перелачи тока в схеме с обСтати шиь им эмиттером при с7кв = 1,5 В, /к = 30 А 1Т702А, 1Т702Б .
! 7702 В, не менее 15 — 100 20 ~1слуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при /= 10 крц, 17кк = 1,5 В, /» = 4 А не менее Пбратный ток коллектора при Укв = 60 В не более при Т= 298 К при Т= 343 К рн т=2!3 К . Обратный ток эмнттера при Увэ = 4 В не более . 12 12 мА 30 мА !О мА 2 мА Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при (/вэ = = 3 В Тя = 2!3 — 348 К !Т702А, !Т702Б . 1Т702В Постоянное напряжение коллектор-база при Т„ = 213— — '348 К Постоянное напряжение база-эмиттер при Т„ = 213— — 348 К Постоянный ток коллектора при Т„ = 213 — 348 К . Постоянный ток базы при 1„ = 213 — 348 К Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Т,=303 К при Т„= 323 К при Тч = 338 К без теплоотвола прп Т= 298 К Температэ ра псрехола Тепловое сопротивление переход-корпус, Тепловое сопротивэение переход-окружающая среда .
Температура окружающсй среды ЬО В 40 В 4 В 30 А 5 А 150 Вт 80 Вт 3О Вт 5 Вт 348 К 0,3 К/Вт 1О К/Вт От 213 до Т„= 343 К Примечание Не допускается отсоединение цепи базы при наличии напряжения между коллектором и эмиттером г,5 4 1га а во до из„15 0,5 0 275 295 515 555 5551л,К Зависимость максимально лопустимой мощности рассеивания коллектора от температуры перехола 0 1 2 Х цг л Зависимость напряжения иас щения коллектор-эмиттер щ тока базы "гтэ пгтэ 55 50 25 го Неллея 542 Л1 15 го 25ТН,Д 295 515 555 555 515т„,г Зависимость статического коэф- Зависимость статического коэффипиента перелачи тока от тока фипиента передачи тока от тем- коллектора пературы корпуса ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д Транзисторы германиевые сплавные р-лчэ усилительные низкочастотные мощные Предназначены для работы в схемах усилителей мощности низкой частоты Выпускаются в метал юстекяяннам корпусе с жесткими выводил~и Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 15 г Злектрнчгжкие параметры ,глряжение насыщения коллектор-эмиттер при Тк = 3 А.
/ = 0,225 А не более апрвжение насыщения база-эмиттер при /к = 3 А, -в — 0,225 А не более этический коэффициент передачи тока в схеме с бщггзг эмиттером прн (Гкэ = 1 В, /э = 0,05 А при Т= 298 К 1 Г !ОЗА, ГТ70ЗВ КТ703Б, (Т703Г . ГТ703Д при Т=328 К ГТ70ЗА, ГТ703В . ГТ703Б, ГТ7ОЗГ ГТ703Д Граничная частота коэффициента перелачи тока в схеме с оощим эмиттером при ( кз = 2 В, 1к = 0,5 А не менее .
З(инейиость статического коэффициента перелачи тока К, =(йггэ при /э = 005 А)/(Ьггэ при /э = 1*5 А) ° Обратный ток коллектора при Пка = 20 В ГТ703А, ГТ70ЗВ и при (гкя = ЗО В ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д ие более Обратный так змиттера при Пкэ = 10 В . Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение лоллектор-эмиттер при /(яэ =50 Ом ГТ70ЗА, ГТ703Б . ГТ70ЗВ, ГТ703Г . ГТ703Д Импузьсное напряжение коллектор-эмиттер при /(яэ =50 Ом, т„=! мс, Ьг Э 10 ГТ703А, ГТ703Б .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
