sprav_tranzistor (529834), страница 66
Текст из файла (страница 66)
3емпература окружающей среды 2Т819А, 23 819Б, 2Т319В мо ВО в бо 4О во Ъ Обо х и 40 га О гм гм мз мз мзтих а гзз гоз гзз зм быт„х Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. Зависимость максимально до. пустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. гбз О,В агы ГВО 0,6 60 0,2 О ОЧ 0,5 0,6 0,7 О,ааи,В аазааг аааазагачабз г ч бгз Зависимость статического козф" фициеита перелачи тока от тока эмиттера.
Входная характеристика. Примечания: 1 Постоянная рассеиваемая мощност~ ко тора без теплоотвола при Т„= 298 —: 373 К снижается ли„ей„" ек 0,015 Вт через 1 К КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г и на через ! К КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ 2. Пайку выводов разрешается производить на расстоя менее 5 мм от корпуса. таянии не При монтаже в схему транзисторов КТ819А, КТ819Б КТ8 КТ819Г допускается одноразовый изгиб выволов на расс,о„ 4819В Яязщ ие менее 2,5 мм от корпуса пол углом 90, ралиусом не менее При этом должны приниматься меры, нсключазозцие возмож .8 мм. передачи усилий на корпус Ихтио в плоскости выводов не до, можность .топуска. ется. гг Зависимость напра кения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
мость напряжения колектор.эмнттер от сопротивления база-эмиттер. г,в вггз Вп в ги и 1 бв н,г и,в 0 Ц В Нг Ы1юл га ги ггв гвв гвх юхв хувт„,» Зависимость времени выключе. ния от тока коллектора. гап „' яп вп Зависимость статического коэфОзипиента передачи тока от температуры корпуса. гп ГО ггз 25з гзз ззххгюгык Зависимость граничного напряжения от температуры корпуса. КТ821А-1, КТ821Б-1, КТ821В-1 з ранзнсторы кремниевые меза-эпитаксиально-планариые и-р-и уиив ерсальиые низкочастотные мощные. ОВ япв п,г о ги гп г ОВ „п,н „* о,г ~~ И,ОВ и,'0« апг О,'ОН ' агогоновт г и вг„л «сллеятвр У1редназначень римене в усилителях низкой час, нвх оты, о рационных н дифференци, усилителях, преобразоват циальных телах импульсных схемах герм метнзи аратурь' Б орпусные, с гибкими кристаллолерж ими вы. ржа гелх, покрытием Каж 'аждый упаковывается в ннлиьну1о тару Обоэначе' ние типа п инолит'я тельной таре Масса тРанзистоРа не б,л 0,02 г лес Электрические параметры 160 — 800 Ом 30 мкА Предатьиме эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер пкэ ~ 100 Ом КТ 821 А-1 КТ821Б-1 КТ821В- ! Постоянное напряжение база-эмнттер .
при 50 В 70 В 1ОО В 5 В 496 Граничное напряжение при гк = 50 мА, т к 300 мкс, Дд !00 не менее КТ821А-1........... °.... 40 В КТ821Б-1 .............. ° . 60 В КТ821В-! .......... ° ° ° ° .. 80 В Напряжение насыщения коллектор-эмнттер при 1и = 0,5 А, ук = 0,05 А не более............. 0,6 В Напряжение насыщения база-эмнгтер прн 1» = 0,5 А, зв = 0,05 А не более............. 1,2 В Статический коэффициент передачи тока в салеме с общим эмнттером при бткв = 2 В, 1к =!50 мА не менее КТ821А-1, КТ821Б-!............ 40 КТ82!В-!................ 30 Граничная частога коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при !ткэ = 5 В, !э= 0,03 А не менее...................
3 МГа Обратный ток коллектора прп !ткв — — 40 В не более . „. 30 мкА Емкость ьоллекторного перехода ч при !!кэ = = 5 В, У'= 465 хГц........,, . 45 — 50 — 65 пФ Емкость эмиттеРного пеРехода' пРи !тэк = 0,5 В 45 — 50-65 пФ Входное сопротивление в режиме малого сигнала* при Пкэ=5 В !э=5 мА,т"=800 Гц. Обратный ток кол тектора при Пкв = 40 В не более 0,5 А 1,5 А 0,3 А „н„ый ток коллектора !«ест~ ный ток коллектора прн т„ а 10 мс, Д ь 100 .
„«льсн нный ток базы стоя! тоянна ра иваемая мщ„н б наной схемы црн гпбрвдно вое сопротивление Тепловое Темп пература перехола Темпера ература окРУжающей сред, 10 Вт 1!«К/Вт 398 К От 233 до 358 К Примечания: !. Максимально допустимая постоянная рассенмощность коллектора, Вт, в составе гибридной схемы при ваемая Ти 2С8 358 К опРелелаетса по фоРмУле Рк„,„,=!308- Т«1!О, 2 Допускается пайка выколов на расстоянии не менее 3 мм от защвтного покрытия. КТ823А-1, КТ823Б-1, КТ823В-1 Еаза Знцчьпер Электрические параметры "Раничное напряжение при Т = !00 мА, т а 300 мкс, э И !е Л 100 не менее: КТ823А-1 КТ823Б-1 КТ823В-1 апряжение насыщения коллектор-эмиттер при ! = 1 А, К Н ~в = О,! А не более апряжение насыщения база-эмиттер при Тк = ! А, ~в = О,! А не более 45 В ОО В 80 В 0,6 В 1,5 В Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные н-р-л универсальные низкочастотные мощные, Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах, Бескорпусные, с гибкими выво- Нсллелтер дами, без кристаллодержателя, с защитным покрытием.
Каждый транзистор упаковывается в индивилуальпую тару. Обозначение типа приводится на сопроводнтедьной таре. Масса транзистора не более 0,03 г. Статический казффипиент передачи тока в схеме с общим эмиттером при (Гкэ = 2 В, (к = 1 А не менее Г„=298 и 358 К . 25 Т= 233 К .. 15 Граничная частота коэффициента перелачи тока в схеме с общим эмиттером при (ткз = 5 В, 2, =0,05 А не менее.......... 3 МГг и Емкость коллекторного перехода при (гкэ = 5 В, Г= 1 МГп..............
35"-бб" — 25 - пФ Емкость эмиттеРиого пеРехода пРи ((эв = 0,5 В80* — 115* пФ Входное сопротивление в режиме мвлого сигнала * при (ткэ = 5 В, !э = 30 мА, /'= 800 Гц....250-500-150) . Обратный ток коллектора не более при Т= 298 К и Окв = 45 В при Г= 358 К и (ткк = 40 В 50 мкА 100 мкА Предельные зксплуатапиоиные данные Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при 1(кэ и! кОм КТ823А-1 КТ823Б-1 КТ823В-1 Постоянное напряжение база-эмиттер .
Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора при тч ч 20 мс, )9 > 100 Постоянный ток базы . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в составе гибридной схемы прн Т = 233 — 298 К Температура перехода . Тепловое сопротивление переход-кристалл . Температура окружающей среды....... От 45 В 60 В 100 В 5 В 2 А 4 А 0,5 А 20 Вт 398 К 5 К)Вт 233 до 358 К П р и м е ч а н и е Рассеиваемая мощность коллектор~ Вт, в составе гибридной схелгы при Т= 298 — 398 К рассчитываегся по формуле Рк ас (398 7"г)/5 2Т824А, 2Т824АМ, 2Т824Б, 2Т824БМ Транзисторы кремниевые меза-планарные л-р-в импульсные ящ кочастотные мощные высоковольтные Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выв выводамн (2Т824А, 2Т824Б — вариант 1) и в металлостекляииом корпусе с жесткими выводами (2Т824АМ, 2Т824БМ вЂ” варна"т нт 2) 2Т824А, Обозначение типа прнвализся на кори)се Вывод змитгсра -Т 2 2Т824Б маркируется гвумя условными точками на корпусе Масса транзистора не более 20 г Вариант 7 подобные точки 7г г Вариант г то,г го ер ттон Электрические параметры МодУль коэффициента пеРедачи тока пРи !7кв = 10 В, ук=0,2 А, 7= ! МГц не менее типовое значение Время спада при 77кэ = 100 В, ук = 5 А, ук = 2,5 А не более .
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Т= 298 К, !7кэ = 2,5 В, ук = 8 А не менее типовое звачеиие . при Т = 213 К, !7кэ = 2,5 В, ук = 8 А не менее при Т = 398 К, !7кэ = 2,5 В, /к = 5 А ие менее Граничное напряжение при ук = ГОО мА, т» < 200 мкс не менее . !!апряженне насыщения коллектор-эмиттер прп !к = 8 А, !к= 1,6 А не более . типовое значение . при ук = 17 А, Ув = 5 А тлшовое значение . На Ряжение насыщения ба„эмиттср пр, ук=8 А, !в= 1,6 А не более типовоезначение. Об!жтный ток коллектора не более 77ри Т= 298 К при !7кв = 700 В 2Т824А 2Т824АМ ° прп тука = 500 В 2Т824Б 2Т824БМ при Т= 213 К 3,5 6» 1,8 мкс 5 15» 3 4 350 В 2,5 В 1,1» В 1,9 " В 2,5 В 1,8 * В 5 мА 5 мА РО 10 мА 50 мА при !7кв = 500 В 2Т824А, 2Т824АМ......
10 при !)к~ = 400 В 2Т824Б, 2Т824БМ . при Г= 398 К: 0 мй при !)кв = 400 В 2Т824А, 2Т824АМ . при Г)кв = 300 В 2Т824Б. 2Т824БМ Обратный ток эмиттера при !)эк = 6 В не более Емкость коллекторного перехода при !)кк = 100 В, г = ! МГн не более............. 250 пф Емкость эмиттерного перехода при гуэп = О, з = 1 МГц не более..... ° ° ° ° ° ' 8000 пф Предельные эксплуатанноннме даннме Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Язв с !О Ом, гяя в 3 мкс, Тк =2!3 е 373 К: 2Т824А, 2Т824АМ......
° ° ° ° ° ° ° 400 В 2Т824Б, 2Т824БМ... ° . ° ° ° ° ° ° . 350 В Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Дэв = 1О Ом, Т„= 233 —: 358 К: пРи тя С 20 мкс, ть В 3 мкс, Д Л 3: 2Т824А,2Т824АМ . 2Т824Б, 2Т824БМ . при т,<500 мкс, тев0,5 мкс, ДД2. Постоянное напряжение эмиттер-база при Т„= 213 —: 398 К Постоянный ток коллектора при Т, = 213 †: 398 К Импульсный ток коллектора при т» с 20 мкс, Тк = 213 + 398 К: при Д в !О .
. . , . . . . . . . . . . . . !7 А при Д и 2 . . . . . . . . . . . . . . . . 12 А Постоянный ток базы при Г„ = 213 + 398 К . . . . . 4 А Импульсный ток базы при т» с 20 мкс, Т„= 213 + 398 К; при Д > !О . . . . . . . . . . . . .
. . . 7 А при Д Э 2 . . . . . . . . . . . . . , . . 5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т„=213 —:323К.........,..... 50 Вт Температура окружающей среды....,,.... От 2!3 ло Т,=398 К П р и м е ч а н и е. Максимально допустимая постоянная рассеивая мая мощность коллектора, Вт, при Т„л 323 К определяется по формуле 700 В 500 В 400 В 7 В !О А Рк „,„, = (423 — Т„)/2. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектоР' эмиттеР (пРи та э 3 мкс) пРи понижении темпеРатУРы коппУ~ са от 233 до 213 К и повышении температуры корпуса от 358 ло 373 373 К снижается линейно ло 500 В 2Т824А, 2Т824АМ и до 400 В 2Т 824Б, 2Т824БМ; при повышении температуры корпуса от 373 ло 398 К это и де напряжение снижается линейно до 400 В 2Т824А, 2Т824АМ 300 В 2Т824Б, 2Т824БМ.
Максимально допустимое импульсное на напра. ллектор-эмиттер (при та В 0,5 мкс) при понижении темпераие кол яев Рпуса от 233 ло 213 К и при повышении температуры тУРН от 358 ло 373 К снижаетсЯ линейно ло 350 В; пРи повэр „и температуры корпуса от 373 ло 398 К это напряжение пуса ,пении ян, я линейно ло 300 В. Максимально допустимое постоянное ,яяж ветс ние коллектор-эмиттер при повышении температуры корпуса Я 73 „о 398 К снижаетсЯ линеино до 300 В. ПРи попаче на „,раже ет 3 ый транзистор импульса напряжения с 17кэ В 17кзо ю амплиту,якрыты ока при перехолном процессе не почина превышать 0,4 В/77эв. ток райка " а выводов лопускается на расстоянии пе менее 1,5 мм от кор- 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В, КТ826А, КТ826В, КТ826В кегтектле Яягиттер Электрнчеслне параметры Г н Ра вчнос напряжение при ук — — 100 мА не менее; 2Т826А, 2Т826В, КТ826А, КТ826В .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
