sprav_tranzistor (529834), страница 65
Текст из файла (страница 65)
КТ815Б КТ815В КТ815Г „,кение насыщения коллектор-эмиттер при 7 = 0,5 А, ! = 0,05 А не более . в яжение насыщенна баэа-эмиттер при 7 = 0,5 А, яваря ! = 0,05 А не более . г втический каэффиписнт передачи тока в схеме с оощим Стет эмнттером при сгкэ = 2 В !к = 015 А не менее прн Т= 298 К КТ815А, КТ815Б, КТ815В КТ815Г при Т=233 К КТ8! 5А, КТ815Б, КТ815В КТВ! 5Г Граничная частота коэффициента передачп тока в схеме с сбшнм эмиттером при Укэ= 5 В, /э=0,03 А не менее ймкость коллекторного перехода при !гкэ = 5 В, /= = 465 кГд не более .
Емкость эмиттерного перехода прн !7эв = 0,5 В не более Входное сопротивление в режиме малого сигнала при !7кэ = 5 В, lк = 5 мА, 7"= 800 Гц не менее . Обратный ток коллектора при !гкв = 40 В не более при Т„.= 233 — 298 К при Т„ = 373 К 25 В 40 В 60 В 80 В 0,6 В 1,2 В 40 ЗО 30 20 з мгп 60 пф 75 пФ 800 Ом 50 мкА ГООО мкА Предельные эксплуатационные налиме Постоянное напряжение коллектор-эмигтер при Якэ к . !00 О.
Т„= гЗЗ вЂ” З7З КТ815А КТ815Б КТ815В КТВ! 5Г Постоянное напряжение коллектор-эмиттер КТ815А КТ815Б КТ815В КТ815Г П стояннос напряженнс бсэа-эмиттер при Т„= 213— — 373 К Пос тоянный ток лоллекгора при Т = 233 — 373 К . л "'"Ульсный ток коллектоРа пРи тч С!О мс, Д В!00, ҄— 233 — 373 К . 40 В 50 В 70 В 100 В 25 В 40 В 60 В РО В 5 В 1,5 А 3 А Постоянный ток базы прн Т„= 233 —: 373 К Постоянная рассенваелгая мошность коллектора: с теплоотводом при Т„= 233 —: 298 К . без теплоотвода при Т= 233+ 298 К Температура перехода Температура окружающей среды 0,5 „ 1О Вт 1 Вт 398 К О 233 „, Т„ = 373 К Примечания: 1.
Максимально допустимая постоянна„ ая расс ваемая мощность коллектора оез теплоотвола при Т„= 298 . 3 снижается линейно на 0,01 Вт через 1 К. + 738 2. Пайку выводов разрешается производить на расстояни »ин яе менее 5 мм от корпуса. Разрешается производить пайку путем жения выводов не более чем иа 2 с в расплавленный прн ~гру. припой с температурой не выше 523 К. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мь, м ст корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при з зтон должны приниматься меры, исключающие возможность л, лазя усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. о,г аз "„0 15 0,1 О 05 Зависимость напряженна насншення кодлектор-змиттер от тока коллектора.
0 10 га ВВВО 100гООВООТя,мА Вгээ 10 КТВ15А- КТ815Г 80 вз В 40 ока=го 89 КТВ15А- го КТВ15Г 0 0 01Ог ОВ1 г 9 В 10гОВОВО1 О 9007кгнд гВВгуггэгтВВВТ.,К авнсимость макснмаль- еского ента передачи тока от тока коллектора. " л у кол- ностг! Рассеивания кол лектора от температура' корпуса. КТ817Аз КТ817Б, КТ817В, КТ817Г „зисторы кремниевые мезаТраи алино-пленарные л-Р-л уни, литаксн льцые низкочастотные мошРсалы яне Предназначены лля применечяяву усилителях низкой частоты, аццонных и дифференциальопера усилителях, преобразователях яих у и лм мпульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпу дусе с гибкими выводамн.
Обозяаче ачение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,7 г. 2,а Мети чяат «те 25 В 45 В 60 В 80 В 0,6 В 1,5 В 25 !5 3 МГц 60 пФ 115 пФ 100 мкА 3000 мкА Предельные эксплуатационные данные остоянное напряжение коллектор-эмиттер при 7!кэ = 7х = 233 —: 373 К: КТО ИА 25 В Электрические параметры Граничное напряжение при !э= 100 мА, тя < 300 !7 Э 100 не менее: КТ817А КТ8! 7Б КТ8! 7В КТ817Г Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при ук = =! А, Та=О,! А не более.
Напряжение насыщения база-эмиттер при 7к = 1 А, Уь = 0,1 А не более Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при 77кз = 2 В, уэ = 1 А не менее; при Г = 298 К и Т = 373 К при Г= 233 К . Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмнттером при !7кэ = 10 В, 7э = 0,25 А ке менее . Емкость колдекторного перехода при Ука = РО В = ! МГц не более Е мкость эмиттерного перехода при !7эа = 0,5 В не более с!брачный ток коллектора при !7кв = 40 КТ817А; при !7!г~ = 45 В КТ8!7Б, прн !гкв = 60 В КТ817В; при Нка = !00 В КТ8!7Г не более при Г = 233 и 298 К .
при Т= 373 К . КТ817Б КТ817В КТВПГ . Постоянное напрвжение коллектор-эмиттер при Якэ К 1 кОм, Т„= 233 — 373 К КТ817А КТ817Б КТ817В КТ817Г Постоянное напряжение база-эмиттер при Т„=- 233 — 373 К Постоянный ток коллектора при Т„= 233 — 373 К . Импульсный ток коллектора при та к 20 ыы Д э 100, Т, = 233 — 373 К Постоянный ток базы при Т„. = 233 — 373 К Постоянная рассеиваемая мощность колчектора с теплоотводом при Т, = 233 — 298 К без теплоотвода при Т = 233 — 298 К . Температура перехода Температура окружающей среды 45 В 60 В 80 В 40 В 45 В 60 В !00 В 5 В 3 Л 6 А 1 А 25 Вт ! В 423 К 233 „ = 373 К От Тг 1,0 ьлз 200 чз 0,0 150 В О,ч ГОО о 0,2 50 О О 10 20 РООРЮ0200 5001000 ЧООРг~,чл 1 2 4 01020 10501002 Зависимость статического ксэФ $идиента передачи тока от от тока эмиттера Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора 490 П р и м е ч а н и я 1 Постоянная рассеиваемая мощность прв Т, > 298 К уменьшается чинейно на 0.2 Вт/К с теплоотводом и па 0,01 Вт/К без теплоотвода 2 Пайку выводов разрешается проводить на расстоянии ве менее 5 мм от кори>са Изгиб выволов допускается на расстоянии пе менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругдения 1,5-2 мм, прн этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус Изгиб в плоскости выводов не допускается При монтаже транзисторов на теп.чоотвод крутящий момент при иажатяи не должен превышать 70 Н см га ж г 00 Оа аг 0,1 1 г 900!ага 40аке,в Обчасть максимальных режи- мов ~ 10 у !а 0 г)У гаг габ Лс У7У Г„,К 1,виси мость максима зьно допусти !ей мощности рассеивания кол яктора от температуры корпуса Транзисторы кремниевые меза- ивта лси ально-ила парные и-р-и уни- и)!сальные низкочастотные мощ- ена Прелпазначены для прнмене- еиз в усичителях низкой частоты, еперапиониых и дифференпиаль- ньп )силителях, преобразоватедях я импульсных схемах Транзисторы КТ8!9А, КТ819Б, КТ819В, КТ8! 9Г выпускаются в яластмассовом корпусе с гибкими !паолами (вариант 1), транзисторы Е809А 2Т819Б, 2Т819В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ вЂ” в металлостеклянном щрпусе с жесткими выводами (ва- риант 2) Обозначе«ие типа приводится на корпусе Масса транзисзу Ге у горов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г не более 2,5 г, транзисторов 2Т819А 2Т819Б, 2Т819В КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ "е более 20 г Вариаклз ! еллеклкуг аирииин 2 40 Каллеипая 491 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ Электрические параметры 20 15 20 12 9 !00 В 80 В 60 В 492 Граничное напряжение при Ук = 0,1 А, т„ < 300 мкс, Д Ц 100 КТ819А, КТ819АМ не более.......
25 В КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819В... °.... 40-60* — 80« КТ8!9В, КТ819ВМ, 2Т819Б........ 60 — 80*-100» »вЂ "в КТ819Г, КТЗ!9ГМ, 2Т819А....... 80-100 1!0«В Напряз,ение насьнцения колзектор-эмнттср не более при 2к — - 5 А. 1ь = 0,5 А 2Т819А, 2Т819Б, 2ТЗ!9В...... 1 В КТ819А, КТ819Б, КТ8!9В, КТ819Г, КТЗ!9АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ....... 2 В при!и = 20 А, 1ь = 4 А 2Т8!9А, 2Т819Б, 2Т819В .. 5» В при !к = 15 А, lя = 3 А КТ819А, КТЗ!9Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ 4* В Напряжение насыщения база-эмиттер прл Зк = 5 А, Ув = 0,5 А нс более 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В........ ° .. 1,5 В КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТЗ!9АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ...,....
3 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмнттсром при 1/кв = 5 В, 1к = 5 А не менее. при Т=298 К и Т=Г«„„ 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В . КТ819А, КТ819В, КТ819АМ, КТ819ВМ . КТ819Б, КТ819БМ КТ819Г, КТ819ГМ при Т = 213 К 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В при Т= 233 К КТ819А, КГ819В, КТ819АМ, КТ819ВМ.... 10 КТ819Б, КТ819БМ........., ..
15 КТ819Г, КТ819ГМ............ 7 Граничная частота коэффициента перелачи тока в схеме с общим эмиттером при 11кк = 5 В, 2э= 05 А... 3-5— 12 МГц Время выключения" при Зк = 5 А, 1к = 0,5 А не более.....,.....,,....., 2,5 мкс Емкость коллекторного перетолк* при !/кь = 5 В... 360-600 1000 пФ Пробивное напряжение колзсктор-база при Т= =2!3 — 298 К, У»=1 мА и цри Т= 398 К, Ук = 5 мА нс менее 2Т819А 2Т8!9Б 2ТЗ!9В Обратный ток коллектора прн !1кк = 40 В не более КТЗ!9А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ прн т=233 298 К ., !МА 10 мА при ри т=373 К, напряжение змиттер-база при Тэ = 5 мА не Пробпвь~ос ~енсе ° 5 В Предельные зксплуатвпиоииые данные 25 В 40 В 60 В 40 В 50 В 70 В 100 В 80 В 60 В 5 В 10 А 15 А 15 А 20 А 3 А 5 А 60 Вт 100 Вт 1,5 Вт 2 Вт 3 Вт 423 К 398 К От 213 ло Тк= 398 К КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ8!9АМ, КТ319БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ От 233 до 7'„= 373 К ни<,е напряжение коллектор-база 27819 А 2Т8! 9Б 278!9В пинос напряжение коллектор-змнттер при Посто 1 О КТ319А, КТ819АМ .
КТ819Б, КТ819БМ КТ819В, КТ819ВМ . 2Т819А, КТ319Г КТ319ГМ, 2Т819Б 2Т819В Постоянное напряжение база-змиттер Постоянный ток коллектора КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 2Т819А, 2Т819Б, 2Т8 !9В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ Импульсный ток коллектора при т„< ГО мс, !7 л 100 КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г . 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ319ВМ, КТ819ГМ Постоянный ток базы . Импульсный ток базы при тя 4 1О мс, О з 1ОО Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Т, 4 298 К КТ319А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г .
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, КТ819АМ, КТ319БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ без ~еплоотвола прн Т < 293 К КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ . 2Т819А, КТ819Б, 2Т819В Тел1псратура перекопа 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В КТ819А, КТ8! 9Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
