sprav_tranzistor (529834), страница 67
Текст из файла (страница 67)
2Т826Б, КТ826Б . Нап ж ряжение насыщения коллектор-эмиттер ири К =0,5 А, 1в =0,2 не более Нап я 1 Р жение насыщения база-змиттер при 7 = 0,5 А, к— в = 0,2 А не более Статична вский коэффициент передачи тока в схеме с об- Щп 'и теро.. пр 6ГКЭ= 10 В.!К-.0,1 А: при Т, = 298 К 2Т826А 2Т82 500 В 600 В 2,5 В 2 В БΠ— 120 5 — 300 Зранзисторы кремниевые меза-планарные л-Р-л переключатель~с высоковольтные низкочастотные мощные. Предназначены лля работы в схемах преобразователей посто,вого напряжения, высоковольтных стабилизаторах, ключевых схемах. Выпускаются в металлостекчянном корпусе с жесткими вывоаамн, Обозначение типа приволится на корпусе. Масса транзистора не более 17 г, 5-300 120 Баа и уаа ; Баа й Баа у Баа Я~213 г 15 мкс 0,7 мк 25 пф 20 пф 250 пф 200 пФ 2 мА 5 мА 5 мкА 4 мА 3 лгА 700 В 700 В !000 В ! А 0,75 А ! аа Ба ча 2а 12 8 Б 4 2 га га Цааа)аагааааатя,д !5 Вт 423 К От 2!3 ло т„ = 398 « От 213 до Г„=373 К КТ826А, КТ826Б, КТ326В т, = 373 к, кт826А, кт326Б, кт826В при Т= 213 К Время спада при !Гк» = 500 В, 6'к» = 5 В, 7 к= = 0,5 А, Бь = 0,2 А не более.
2Т826А, КТ826А . 2Т826Б, КТ826Б . Модуль коэффипиента передачи тока в схеме с общим змиттером при т= 1 МГп, Ук» = 15 В, )к = О,! А не менее Емкость коллекторного перехода ь при Бука = 100 В, Г= МГп не более . типовое значение Емкость эмнттерного перехода * при гlк» = 5 В, = 1 МГп не более типовое значение Обратный ток коллектор-эмиттер при Як» = 1О Ом не более: при Тх = 298 К Ук» = 700 В при т„ = 393 К, тук» = 300 В 2Т326А, 2Т826Б, 2Т826В при т„ = 373 К, Ук» = 300 В КТ826А, КТ826Б, КТ326В прн Т= 2!3 К, !lк» = 500 В Обратный ток эмиттера при !)к» = 5 В не более . Предельные эксплуатационные данные Постоянное напряжение коллектор-эмнттер прн Ль» С 10 Ом, т„ = 213 -: 348 К Импульсное напряжение коллектор-змиттер при Нь»с10 Ом, т„с20 мс, ь)л50: при тс и 0,2 !скорость нарастания переднего фронта не более 3,5 Вгнс), т, = 213 —: 348 К .
при тс э 1,5 мкс !скорость нарастания переднего фронта не более 0,66 В(нс), 7'„= 298 К КТ826Б Постоянный н импульсный токи коллектора Постоянный и импульсный токи базы . Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при т„<323 К. Температура перехода Температура окружающей среды: 2Т826А, 2Т326Б, 2Т826В . - йка выводов допускаетт ет ,снова ания корпуса. „имость максимально ло. Завис и.
кусти. ,мого постоянного и им яузьс . оного напряжений колдектор-эм р-эмиттер от температуры корпуса. Зависимость максимально дояустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 502 Рк,м = (423 — Г„У(6,6. П р и и е ч а н и я 1 Максимально допустимая постоянная ра ссеиваемая мо~пность, Вт, при т„> 323 К рассчитывается по Фор "' и яе Зависимость статического коэфФжаента передачи тока от тока коллектора. :я на расстоянии не менее 5 мм за,нЯ ооо гоо йо о оо оо ог оо ооо,в Входные характеристики. ~щ 9 е 9 я Х о ггг гог гог 999 999 пот„,к гг о ~оо гоо гоо еоа.ъ„мя Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы. 5ВЗ 10 воо ВОО дао 200 1г д ггв гов 1В0 50яг,в В ез 600 500 о 0,6 0,1 0,0 О,о ОмД Зависимость тока коллек гора от напряжения база-эмиттер.
Ся,яФ 50 10 0 го ео 60 Вои„„о Зависимость емкости коллектор- ного перехода от напряжения коллектор-база Ояв,о 700 300 100 1000 овз Ом Зависимость максимально допустимого напряженна коллектор-змиттер от сопротивления база-эмиттер. Зависимость грани щоб „ от тока коллекто и яастот Св,ее гво Зависимость емкости элгиттер. ного перехода от напряжеяяя база-змиттер О г я 6 ВМЕв Зависимость напряжения глас насиот гцения кодлектор-змиттер 1к11ь. гя " '1 ов о,е о,г а,у пав о',ае о,аг а,ау п,аав о,'пач п,аог о,аог г 4 ого го човазпагоо о„„в оггв го уа па г7У ггг Уяэг Зависимость статического коэфрнпяента перелачи тока от темперазуры корпуса.
Область максимальных режи- мов. Транзисторы кремниевые меза-зпитаксиально-планарные в-р-и составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, импузьсных усилитедях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, переключателях, в электронных системах управления, в схемах автоматики и защиты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводамп. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 20 г. яеялеяогеа Звтглеа Электрическне параметры Г 1ниичное напряжение при ук =!00 мА: 2Т827А, КТ827А типовое значение 100- 140* В 110* В 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В 2Т827Б, КТ827Б . типовое значение 2Т827В, КТ827В . типовое значение Напряжение насыщения коллсктор-эмнттер при /„=1О А, /в=40 мА типовое значение при /„= 20 А /в = 200 мА типовое значение Напряжение насыщения база-эмиттер при /и = = 20 мА /в = 200 мА .
типовое значение . Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при //кэ = 3 В, /и = 1О А при Т= 298 К типовое значение при Т = Т,„,„„, не менее при Т = 213 К не менее Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттсром при //кэ = 3 В, /к = 20 А Время вкзючения * при /и = 10 А, /в = 40 мА . типовое значение . Время выключения" при /и = 10 А, /в = 40 мА типовое значение . Время рассасывания» при /и = Го А, /в --40 мА типовое значение .
Модуль коэффициента передачи гока прн !/кз = = 3 В, /и = 10 А, /'= !О МГц не менее . Во- !оо* В 90* В 60-80» В 70* В -2 В 1,45" В 1,8'-3* В 24' В 2,6* — 4 В 3" В 750 - 18 ООО 6000* 750 100 !00- 750* — 3500» 0 3-1 млс 0,5 мкс 3 — 6 мкс 4 мкс 2 — 4,5 мкс 3 мкс 0,4 200 — 400 пФ 260 пф 160-350 пФ !80 пФ А, 1,6 — 2,8 0 2 В не 3 мА 5 мА 2 мА Прелельные эксплуатационные данные Постоянное ьОм 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, Импульсное = 0,2 мкс напряжение коллектор-эмиттер при //вз = и постоянное напряжение колчек ор база КТ82 А КТ827Б КТ827В напряжение коллектор-эмиттер при тв = !ОО В ВО В 60 В Емкость коллектарного перехода* при !/кв = 1О В . ~иповое значение Емкость эмиттерного перехола " прн !/яэ = 5 В .
типовое значение Входное напряжение база-эчиттер * при /к = !О //кэ=3 В . типовое значение Обратный тол коллектор-эмиттер при /твэ = 1 кОм более при Т = 298 и Т = 213 К при Т8 Б» „»»» Обратный ток эииттсра прн //вэ = 5 В не более . КТ827А К 1827Б КТ827В 11осто" ояннсе напряжение база-эмиттер 17осто тоянный ток коллектора тоянный ток базы Оосто 11 пудьсный ток коллектора . Иыпупулъсный ток пазы В лги у Постоянная Рассеиваемая мощность коллектора Т = 213 — 298 К Тепювое сопРотивление при ггхэ = 10 В, 1„= 12,5 А Земпература перехода Температура окружающей среды 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В .От 213 до Т„= 398 К .От 213 до Т„= 373 К постоянная рас- К определяется Примечания 1 Максимально допустимая сеиваемая мощность кочлектора, Вт, при Т„> 298 по формуле Р „,„, =1҄— Т„37йт „„, гле Ат „„— тепловое сопротивление переход-корпус, области максимачьных режимов 2 Пайка выводов допус«ается на расстоянии от корпуса транзистора определяется из не менее 5 мм Лг 13 НООО гооо 1000 Еоа 900 гоа 100 Ва 40 гаа 10 г 4 О 0107к,Д Зона возможных положений зависимости статического коэффипиента передачи тока от тока коллектора КТ827А, КТ827Б, КТ827В КОООО гоаоо 10000 6000 4000 гооо РООО 600 400 гоо 100 г 9 В 0102к,л на возможных позожений затя««оста статического коэффианен .
ента передачи тока от тока коллектора 100 В 80 В 60 В 5 В 20 А 0,5 А 40 А 0,8 А при 125 Вт 1,4 К/Вт 473 К 0,5 ' а 5 10 15 га1к,й 0,75 Б и» Зависимое~и напряжений насыщений коллектор-змиттер и база-змнттер от тока коллектора. то ц5 ~» 100 75 50 0 ~л„,! 1 01аг 04051 г 0 57„,0 Зависимость модуля козффнциента передачи тока от тока коллектора. Х тч 1,5 1 1 г Х Е Якз,лам г Фз й 1,75 1,5 * $05 1 Зависимости напряжений на„, щений коллектор-эмиттер и б за-змиттер от тока базы, Зависимость максимально до. пустилюго напряжения коллектор-змиттер от сопротивления база-эмиттер.
Хя га 1а О 0 0 г 0,0 05 00 а,г 0,1 0 5010га аааяйВ Область максимальных Реж жя мов. 2Т828А, 2Т828Б, КТ828А, КТ828Б !84,5 Яета П4!7 Знотт Электрические параметры Г1жничное напряжение при ук О,1 А не менее 2Т828А, КТ828А . 2Т828Б. КТ828Б . Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при !к = =45 А,1а=2 А при Т„= 298 К типовое значение .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
