sprav_tranzistor (529834), страница 64
Текст из файла (страница 64)
Масса транзисзора не более 22 г, накидного фланца не оо более 12 Змиттер Ф23,5 База Нслл Электрические параметры Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 1к = 2 А, 1ь = 04 А Напряжение насыщения база-элвгвттер при =2 А, 1в=04 А Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при 17кэ = 5 В, 1и = 2 А. при Т= 298 К при Т= 398 К при Т=- 2!3 К Время включения' при 1к = 2 А, 1в = 0,5 А, т„= 1О мкс типовое значение . Время спада " при 1к = 2 А, 1ь = 0,5 А, =!О мкс.
типовое значение . Время рассасывания в при 1к = 2 А, 1ь = 0,5 А, т„= !О типовое значение . Модуль коэффициента передачи тока при = 3,0 МГп, !7кэ = 5 В, 1к = 0,5 А не менее . Обратный ток коллектор-эмиттср при 11лэ = 400 В, Явэ = !О Ом не более. при Т = 298 К и Т = 2!3 К при Т = 398 К, Ц<Э = 300 В . Обратный ток эмиттера при 17вэ = 4 В не более Емкость коллекторного перехода * при Укэ = 5 В 480 0,22' — 0,6" — !,5 В 1,03" — 1,3* — 2.3 В !5 — !ОО 15-!30 10 -! 00 Π— О,3 мьс О 25 мнс 0,2-0,3 млс 0,25 млс 0,5 — 3 мкс 2 лгкс 1,7 3 мА !О мА 50 нА 190 220 — э70 лф Предельные эксплуатационные данные нос напряжение коллектор-эмиттер при Пест 313 К, йкэ = 10 Ом . е напРЯжение база-эмиттеР пРи Тк = санное 213 — 398 К щгый ток коллектора при Тк = 213 †: 398 К иный ток коллектора при ти < 400 мкс, стоян™ Импг О Т вЂ” 213 + 398 К ип э 10, Ти, базы ы при Тк = 213 + 398 К иная рассеиваемая мощность коллектора при 400 В 4 В 3 А 5 А 1,5 А ~ Т = 213 -: 323 К .
. . . . . . . . . . . . 40 Вт Тепловое Темпе к=398 К дримечанна: 1. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер в 1' = 313+ 423 К снижается линейно на !0% через кажлые 10 К. яря Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность „яхектора, Вт, при Т > 323 К снижается в соответствии с формулой к к макс ! и «3' т и-к' Тбад 0,4 уг пз и ~ 0,0 ог Об 0 О,б 00 0,4 ' о ог 0,4 о,б о,от„д 1,г 1,40аэ,б Входные характеристики.
Зависимость напряжения насыщенвя коллектор-эмиттер от тока базы. 16 и, полупроводниковые приборы 481 ,ае 8 — тепловое сопРотивление пеРеход-коРпУс, опРеделЯемое т и.к ю области максимальных режимов. В импульсных схемах допускаются перегрузки по мощности рассеивания до 300 Вт в момент переключения, при этом длительность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс, частота перегрузки нс более 5 кГп, температура корпуса не более ЗбЗ К.
В импульсных схемах допускается и/кэ П 8 В, при этом должно быть: 1 С 1 А, Д В 2„Т В 30 кГП. дойускается использование транзистора при 1„С 7 А, 1г П 2. Ки ь1гвовенная мощность при перекшоченин не должна превышать 100 Вт в течение не более 5 мкс и Ц э 10. Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемым и ооратными токами во всем диапазоне температур окружающей среды лгтз 5П 2,4 ~5„,! г,п 1,5 Х75 Т„,л тока мпсра- 0,45 а,г5 1,4 Я1,г 1 и п,1 пг п,х п,дг„д Зависимость напряжения насыгдения база-змиттер от тока базы лт 15 Ф1г 'ч а,4 215 255 гях ххх Зависимость обратного коллектор-змиттер от те туры корпуса ч н„$55 " пх п,г 21Х 25Х 255 ХХХ Х7Х7к,г Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры корпуса.
П5 1 15 г г57д Зависимость статического к о коэф. фнггиеита перека ока „" 'ф ' отт, коллек~ора 1,7 1,5 'П П,4 Пп 1,2 1,57к,Д Зависимость модуля коэффидя. енто передачи тока от тою кодлектора и ч. 1,5 П 1 г Х 47к Зависимость времени расса ссасы. ванна от тока коллектора. 3 Механические усилия на выводы транзисторов нс лолжны превышать !9,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном направлениях к оси вывода Г!айка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора !то я .о !е Область максимальных режи- мов .з й! г 2Т812А, 2Т812Б, КТ812А, КТ812Б, КТ812В Транзисторы кремниевые меза-планарные и-р-и импульсные вы,оковольтиые низкочастотные мощные ГГредиазначены для работы в выходных каскадах строчной развертки и телевизоров, в импульсных и ключевых схемах Выпуслаются в металлостекляннам корпусе с жесткими вывохаыи Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не более 20 г 73 Гй коллектор оииттор яо,о5 Зато Оо,! 1,йо-2,5 В 2,2' В Электрическяе параметры о аи Нап ряиичное напряжение при Гк = 0,1 А....350-450о-650' В апряжение нлсышеиия котчсьтор-змитер прп ~к=3 А, Гв=16 А.......,...
1,0* — 2,5В типовое значение........., . 1,35* В Нап я Ранение насыщения база-змиттер при !к = А, Гк=!6 А типовое значение Статяч тяческий коэффициент передачи тока в схеме с об общим эмиттером 16' 403 при Т„= 298 К: 2Т812А, 2Т812Б при !7кэ = 3 В ук = 8 А КТ8!2А, КТЗ!2Б при Укэ = 2,5 В, ук = = 8 А не менее КТ812В при 67кэ = 5 В, 1к — — 5 А при Т„= 398 К 2Т812А, КТ812Б при тгкз= 3 В, ук = 5 А не менее, при Т„= 2! 3 К 2Т812А, 2Т812Б при Укэ = = 3 В, ук.= 8 А не менее Модуль коэффициента передачи тока ' при 77кэ=10 В !к=02 А У'= 1 МГп . Время спада при !7кэ = 250 В, 77кэ = 4 В, ух=5 А, ук=25 А Емкость коллекторного перехода* при !ткв = =100 В Емкость змиттерного перехола при !зэк = 0 Обратный ток кодлек ~ора не более: при Т= 298 К, 67кк = 700 В 2ТЗ!2А, КТ812А тука = 500 В 2Т812Б, 2Т812Б, 67кк = 300 В КТ812В типовое значеинеч при Т = 398 К, !7кв = 400 В 2ТЗ!2А, 47кв = 300 В 2Т812Б при Т = 213 К, 67кк = 500 В 2ТЗ!2А, икк =- 4ОО В гТЗ'!2Б .
Обратный ток эмиттера не более: при !7зв = 6 В 2Т812А, 2Т8!2Б типовое значение" при г/эв = 7 В КТ812А КТЗ!2Б. КТ812В 3О 4 10-80" 3,5 — 6,8 0,22* - 0,6' — 1,3 7О-85 — !ОО „ф !3ОО- !700 3ОО пф 5 мА 0,5 мА 1О мА !О мА 50 мА 5 мА 150 мА Предельные эксплуатвивониые Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Яяэ = 1О Ом, т„< 20 мкс, то л 3 мкс. Д л 3 Тк = 233 — ' 358 К 2ТЗ!2А, 2Т812Б и та<1 мс, Д>10 или тчк50 мкс, Длг КТ812А, КТ812Б, КТ812В 2Т812А, КТ812А . 2Т812Б, КТ812Б КТ812В Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Яяэ = 10 Ом, т„< 500 мкс, то и 3 мкс, Д > 2, Т = 233 — 358 К: для 2Т812А, 2Т812Б Постоянное напряжение база-эмиттер: 2Т812А,2Т812Б. КТ812А, КТ812Б, КТ8! 2В Постоянный ток коллектора: 2Т812А, 2Т812Б КТ812А, КТ812Б, КТЗ!2В 700 В 500 В 300 В 350 В 6 В 7 В !О А 8 А „ й ток коллектора ИМОУ" 2Т812Б т„и20 мкс, Д»10 т,и20 мкс, 0»2 812А КТ812Б, КТ812В при т» < 1 мс, КТ81 > э 1О илн т» с 50 мкс, 12 , „цный ток база' П ТВ!2А, 2Т812Б 2ТВ КТ812А, КТ812Б, КТ812В.
и льсцый ток пазы З!2А, 2Т812Б прц тц < 20 мкс, Д»!О при т„н 20 мкс, Д» 2 . К38!2А, КТ812Б, КТ812В пРи тя С 1 мс, д»10 или т„и50 мкс, 17»2. Постоаннав РассеиваемаЯ мощность коллектора 2Т812А, 2Т812Б пРи Тх = 213 — 323 К и КТ812А, КТВ!2Б, КТ812В при Т, = = 228 — 323 К . х Температура перехода Температура окружавэц! й 2ТЗ12А, 2Т812Б КТ812А, КТ812Б, КТ812В 17 А 12 А 4 А 3 А 7 А 5 А 50 Вт 423 К От 213 К до Т„= 398 К От 228 К до Т,= 358 К 1э 4 4 5,15 055 б чб 1 1,5 г г,бнба,й Завис исимость тока эмиттера от напряжения база-эмиттер 0 5 1 1х5 ~ Обвей Входная характеристика 485 Примечания 1 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т, > 323 К снижается линейно аа 0,5 Вт через 1 К 2 При применении транзисторов в схемах строчной развертки допускается эксплуатация при прслельных значениях напряжения коллектор эмиттер и тока коллектора, прн этом температура корпуса ае должна превышать 373 К "гва во 18„,~ 18 а в и в вгкв Зависимость статическо фнцнента передача тока коллектора Зависимость модуля коэффк.
цнента передачи тока от тсвв коллектора Зависимость напряжений пасы. щения коллектор-эмнттер и ба. за-эмиттер от тока коллекторь О г 8 О ВТкД Транзисторы кремниевые меза-эпитакснально-планарные в-р.я универсальные низкочастотные мощные. Прелпазначены для работы в усилителях павкой частоты, опе- рационных н днфференпиальных усилнтелвх, преобразователях, нм. пульсных схемах, Выпускаются в пласз массовом корпусе с гибкими выводаыв Обозначение типа приводится на корпусе, Масса транзистора не более 1 г 1,8 Ф г,г 2,8 вымер вввмвр 1,2 'е 1В ** 1О м .„ов Яви КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г Электрические параметры чное напряжение прн Р = 50 мА, т =. 300 мкс, Г винчи э л !00 не менее КТ815А .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
