sprav_tranzistor (529834), страница 59
Текст из файла (страница 59)
25* пс 30» и, 4,5* нс 4' нс 20- 120 От 0,3 значения при Т= 298 К ло 130 при Г= 233 К КТ363А, КТ363АМ От 0,3 значения при Т= 298 К до 85 От 0,3 значения при Т = 298 К до !50 ктзбтБ, кт363Бм при Т= 358 К КТ363А, КТ363АМ .От 15 до 2,5 значений при Т= 298 К От 30 до 2,5 значений при Т= 298 К КТЗ63Б, КТ363БМ при Г= 398 К 2Т363А . 1,1 В 0,8 * В ! 05. А .От 15 до 2,5 значений при Т= 298 К 2Т363Б............ От 30 до 2 5 значений при Т=298 К Напря,кение насыщения козлектор-эмиттер при йк=10 мА, йк=1 мА не более...., .. 035 В типовое значение.....,,......
0,2' В Напряжение насыщения база-эмиттер при йк = 10 мА, йв = 1 мА не более ~иповое значение Обратный ток коллектора при Окв = 15 В не более при Т=298 К при Т= 358 К КТ363А, КТ363АМ, ТКЗ63Б, КТ36ЗБМ и при Т= 398 К 2Т36ЗА, 2ТЗ6ЗБ 1О мк Обратный ток эмиттера при стэк =- 4 В не более 0.5 мкА 10 мкА , Т=298 К пйп 2- 358 К КТЗОЗА, КТЗОЗАМ, КТЗбЗБ ЗБМ и при Т = 398 К 2ТЗОЗА 2ТЗ6ЗБ КТЗбЗБ „оччелторного перехода при )укв = 5 В не вость бочее ое значение чипов эмпттерпоао перехода прн )lэв О Т363А, 2 млость эмп 363Б не бочее чуч вое значение тнпово 2 пФ 1,5* пФ 2 пФ 0,8* пФ Предельные эксалуатаииониые данные В стоянн нное напря.кенде коз чектор-база .
йестоянн нное напрял ение коччектор-эмиттер врн Яэь ~ ! 2Т363А, КТ363А КТЗОЗАМ 2Т363Б КТЗБЗБ КТЗбЗБМ . пря йэь К 10 кОм йостоянаюе напряжение змиттер-база . Востоянный ток ьоччеьзора . к1 пучьсный ток ьоччектора прп т„и 1 мкс, )э > йосптоянная рассеиваемая мощность коч чектора прн Тк 318 К прн Т= 358 К КТЗбЗА, КТ363АМ, КТЗОЗБ, КТ363БМ прн Т= 398 К 2ТЗОЗА, 2ТЗБЗБ .
Иияучьсная рассеиваемая мошность 2ТЗБЗА, 2ТЗОЗБ Общее тепчовое сопротивчение темпера г ра перехода . Тсмпсратчра окруьаюп)ей среды 2ТЗБЗА 2ТЗ23Б !5 В !5 В 12 В !О В 4 В ЗО мА 50 мА 150 мВт 93 мВт Зб мВт ! 5 Рк макс 700 К!Вт 423 К От 213 до 398 К От 233 до 358 К КТЗОЗА КТЗ6ЗАМ КТ363Б КТ363БМ. йт!Б 80 /7218 00 70 50 Бо 50 го 30 9 Б О 10 У~ФВ Зависим ость статнчесього коэф япнент. нап я нта передачи тока от ряиения козлеьтор-база 1О О 00 ЧО БО ОО 600 Т„ й Зависимость статического коэффипиента передачи тока от тока эмиттера 442 Транзисторы крапине „ такспально-планарные Р и.
вые заа. универсальные маломошцые сй Предназначены для пс псрнзсч чеиия и усиленна высокоч очастет ньм и сверхвысокочастотны (ьР. сц ивлев 'ы сць Бескорпусные, без крцс рвстатто держателя, с гибкимн выво.. ~валат „ н зашитным покрьпием Вып ыпз ска. ются в сопроводительной таре Обозначение типа приводится ся яз основании ннлнвнлуатьиой та тарц Масса транзистора нс оолсс 0,005 з. 'Заектрическне параметры Граничная часто~а коэффициента передачи з ока в схеме с обшнм эмнттером при !7кв — — 5 В, 1з = 3 мА не менее: 2Т370А-!, КТ370А-1 2Т370Б-1, КТ370Б-1 типовое значение 2Т370А-1, КТ370А-1 2Т370Б-1, КТ370Б-1 Постоянная времени цепи образ иой связи прн 17кк = 5 В, 19-— 3 мА, Т= 30 МГц не более: 2Т370А-1, КТЗ70А-1 2Т370Б-1, КТ370Б-! типовое значение; 2Т370А-1, КТЗ70А-1 2Т370Б-1, КТ370Б-1 Время рассасывания прн Гк --10 мА, Зк = 1 мА не более типовое значение Статичесю|й козффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Г7кн = 5 В, Тз = 3 мА: црн Т= 298 К: 2Т370А-1, КТ370А-! 2ТЗ70Б-1, КТ370Б-1 при Т= 213 К; 2Т370А-1 1 ГГц 1,2 ГГц 1,5' ГГц 1,7 ГГц 50 пс 75 пс 25" пс 35* пс 10 нс 5' нс 20-70 40-120 .
Ог 0,3 значения нря Т ' з98 К до 75 . От 0,3 значения пря Т = 298 К до !30 2Т370Б.! прн Т= 233 К; КТ370А.! От 0,3 значения пря Т = 298 К до 75 2Т370А-1, 2Т370Б-1, КТ370А-1, КТ370Б 1 К1-т-ОБ ! .От О,З значения прн Т = 298 К до 130 Т= Зса К не ботее при 2,5 знаяенпя при Т= 298 К 0,35 В 02* В 1,1 В 0,8 " В 05 чкА 1О мкА 0,5 млА 10 чкА 2 пФ 1,5"' пФ 2 пф 0,8* пФ Предельные эисплЗатаивоииые данные Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянное напряжение ьоттехтор-эчпттер пря 77зк и 1 кОхз 2ТЗ70А-1.
КТЗ70А-1, КТЗ70Б-1 . 2ТЗ70Б-! . прн Пэк и 10 кОч . Посгоянное напряжение эмиттср-база . Постоянный ток коллектора пря Тк 323 К прп Т= 358 К Иыпуэьсный ток коллектора при тя с! чкс, Д и 20 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк 323 К прн Т= 358 К Иып мпульсная рассеиваемая чощность коэлектора прн тн с 1 мкс, Д ) 20 2Т370А-1, 2ТЗ70Б-! пРп Т = 213 — 323 К . Общ лри Т= 358 К Тепле щее тепловое сопротивление . Земле чпература перехода пература окружающей среды 2Т370А-1, 2Т370Б-1 .
КТ370А.!, КТ37ОБ-1 15 В 15 В 12 В 10 В 4 В 15 хзА 10 чА 30 чА 15 мВт 8 мВт 30 мВт 16 мВт 5 К7мВт 398 К 213 до 358 К 233 до 358 К 443 насыщения коллектор-эмиттер я;кение НапР О чА Ув= 1 чА не более 1 знаяение в ялани нс насыщения база-эчиттер при Ук = 10 хсА, А не более вое значение сипово пРн 77~ = 15 В Т= 298 К ирп при Г= 358 К . прн иэв = 4 В Обратный при Т= 298 К при Т= 358 К эек ор»ото парето „ бч кость ботве типовое значение Ечьос ь ™и~тернозо перехода прн !7 свповсе значение "гтэ 50 пггэ 110 100 го во 50 О 5 10 15 го г51„мД э,ичл Зависимость стагнчеслого коэффициента передачи тока от тока эмиттера Зависимость статического „ о леть фппиента перелачи гока в в с об~иим эмиттерам от т т тола эм>гттера 1,10 1,г 1,05 0,9 аэ ч 0,9 о,г 1,00 чэ в 0,95 0,90 0,95 0,90 О 5 10 15 го гууя,ил 0 5 10 15 гО гбу„,ил Зависимость напряиения насыщения база-эмиттер от тола лвя- яектора Зависимость напряжения насыщения лоттелтор эмизаер от тола ко лектора 1Т376А, ГТ376А Транзисторы гсрманневые эпиталсиатьио-планарные Р л р ойч усилите зьные с норлзированным коэффициентом шума на част частоте 180 М1 и юшвх Предназначены для применения во входных и послелуюш каскадах усилителей высокой частоты Выпускааотоя в металлостектянном корпусе с гибкими вывод ~волана ло иуса Обозначение типа приволится на боковой поверхности лор у Масса транзистора не более 0,5 г око тле~ База от ектор тз2, Х Электрические параметры эя частота козффипиента передачи тока в схеме Г янячнэя ~ч эчиттером при !7кь = 5 В, уэ = 2 мА не с обшгмг менее .
Пастоян нэя времени пепи обратнои связи при 17кв 5 В 1э = 2 мА, /= 100 МГц не более: ГГ376А ГТ376А Коэффициегм шама прн !'кь= 5 В /э=1 мА, йг= „50 Ом, Т=!80 МГд не более; для !ОО У, транзисторов . дзя 95;,' транзисторов 1Т376А . для 25 , транзисторов 1Т376А Статический коэффипнент перелачи тока в схеме с общим змигтероч при ЕГкк = 5 В, гэ = 2 мА: при Т= 293 К при Т= 213 К ! Ггн 1О пс 15 пс 3.5 дБ 3 дБ 2 дБ Предельные эксалуатыщоиные данные Бетто Г!сстоян тояпиое напряжение коллектор-база . тояниое напряжение коллектор-эмиттер прн йзь М Бсстоян Вытаян оянное напряжение эмпттср-база . явный ток коллектора .
явная рассеиваемая мощность . сеток ил екпс а Ратура окружающей среды 7 В 7 В 0,25 В !О мА 35 мВт От 213 до 358 К 10-150 От 03 до! значения при Т= 298 К при Т= 358 К..............От 0,8 до 3 значений при Т=298 К Граничное напряжение при Тэ = 2 мА не менее.... 7 В Обратный ток ьоляектора при Еткв = 7 В не более: при Т= 293 К.............. 5 мкА при Т = 358 К........ ° ° ° ° ° ° ° 300 мкА Обратный ток эмпттера прп !7эв = 0,25 В не более...
100 мкА Емкость коллекторного перехода при Еткв = 5 В не более „........,....,... 1,2 пФ Е и"ость эмиттерного перехода * при !Iэв = 0,15 В !Т376А не более., 5 пф 1,10 1,05 0,95 п,в 0,7 О,пп г г Ч 5 ОП„,В Зависнмость относительной граничной частоты от напряжения коллектор-база. 1,9 Ь" 1,9 Ы 1,0 0,9 0,9 г 0,9 0,9 9 5 9 Ояа$0 О Я Е Б 9 101э,иа Зависимость относительной постоянной времени цепи обратной связи от напряжения коллектор-база. 1,5 г,г г,п 1,0 0,9 ИД 915 ге5975ДУ555555т,к ного ко Зависимость относительно эффициента шума от те темпер' туры г Ю 9 5 57, Зависимость относательного коэффициента шума от тока эмиттера.
1,00 -.0,95 0,90 1,г 1,1 1,0 Г1,0 "' О,9 1 Я Ю Е 5 97 з,ия Зависимость относитезьнон н$$чнои частоты от тока 3 ной тра. зыки тера, Зависззмость от носите зьной яе. стоянной времени пепи обрат. ной связи от тока змиттера. 1,5 н 19 1,1 1Т386А , тор германиевый эпитаксиально-планарный р-л-р СВЧ усит анзист 'Р ., с нормированным коэффициентом шума на частоте ея течьный !! назначен для применения в усилителях высокой частоты, ' 0 Мгц. Г!Редназ гстеролинах, в том числе лля схем с автоматической еситез»ч. см ' „ [3[ усиления.
ре ' усьается в метадлостеклянцом корпусе с гибкими выводами. егузировк " Выпуск Обозначенц нце типа приводится на боковой поверхности корпуса, .са тра энстора [!е более 0,5 1. в!асса глер еклтер ерлуе Электрические параметры Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эматтером: лри бкв = 10 В, !э = 2 мА не менее..... 450 МГц при !1[п; = 2 В, !э= 10 мА не более...... 90 МГл Постоянная времени цепи обратной связи прн С[ив = = 10 В, 1э = 2 мА, Т= !ОО МГц не более . . . . . 10 пс Коэффициент шума при С[ха — — !О В, 1э = 1 мА, Нг = = 50 Ом.