sprav_tranzistor (529834), страница 57
Текст из файла (страница 57)
ного перехода от напряжения эмиттер-база г 9 б б 100хбб 3 висим имость емкости коллектоР- ного пе перехода от напряжения коллектор-база ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В Электрические параметры Граничная частота при Икв — 10 В, уэ = 2 мА не менее ГТ328А ГГ328Б, ГТ328В прн ~/кв = 5 В, уэ = 1О мА не более . Постоя явная времени цепи обратной связи при Укь = 1О В, з = э мА, г'= 15 МГц не ботев П 328А ГТ328Б, ГТ328В 11озфьф К ициен,' шума при' 17кк-10 В, уэ=2 мА, лг = 75 Ом, р= 180 МГц не более 400 МГц 300 МГц 90 МГц 5 пс 1О пс 7 дБ Транзисторы германиевые эпи1аксиально-планарные р-л-р СВЧ силительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 180 МГц Предназначены для усиления сигналов в метровом диапазоне алин воти с автоматической регулировкой усиления Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приволится на боковой поверхности корпуса Масса транзистора не более 2 г 70 Корпус Статический коэффициент передачи така в схеме с общим эмиттером при Ока = 5 В, Зэ = 3 МА: при Т= 293 К: ГТЗ28А ГТ328Б ГТ328В при Т = 233 К: ГТЗ28А ГТ328Б ГТЗ23В при 1= 328 К: ГТ328А ГТ328Б ГТЗ28В Обратный ток коллектора при Окк = 15 В не более: при Т=293 К.
при 1= 328 К Обратный ток эмиттера при Т= 293 К, !Зэк =0,25 В не более Емкость коллекторного перехода: при Икь = 5 В, Т=!О МГп не более . Емкость эминтерного перехода: при Пэа = 0,15 В, Т= 10 МГп не более: ГТ32ЯА ГТ328Б, ГТ328В . 20-700 40 — 203 10-50 5 — 200 10-200 3- 50 20-600 40-600 !0-150 10 мкА !ОО м,А 100 чкА 1,5 пФ 2,5 пф 5,0 пФ Предельные эксплуптаниоииые данные Постоянное напряжение коллектор-база . Постоянное напряжение коллектор-змиттер при <5 кОм .
Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора . Постоянная рассеиваемая мощность . Температура окрукагащей срелы . 15 В 15 В 0,25 В 10 мА 50 мВт От 233 до 323 К 7,3 фг е уз! 7,0 ОЪ .с 0,9 0,0 0,7 0 г 9 0 В 700 В 426 Зависимость относительиога статического коэффгщиента передачи тока от напряжения кол.
лектор-база. 1,З 1,г относительного Завггсн~ коэффициента песта тола от тока эмитгера тпчеслого ча„п тол 1,В 1,В %~ лс 1ОО 1О 1Т335А, 1ТЗЗ5Б, 1Т335В, 1Т335Г, 1ТЗ35Д Транзисторы германиевые диффузнопно-сплавные р-л-р СВЧ переключательные маломо~ззные Прелнанзачены для применения в схемах переключения Выпускают в метатзостектянном корпусе с гибкими выводами Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса Масса транзистора не бочее 2,2 г Нвллактср база внаем 1Д -с 1г 1,О о,в ов 'г1З гЗЗ гУЗ гуЗ гоб т тр Зависимость относптезьного стати"еского коэффициента пе- редачи тока от температуры р 1,1 %1,О о,в о,в о,у О г В В В 1О2„и,й 1 О г В В В 1О2лнД Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока амиттера Электрические параметры Граничная частота при !7кк = 5 В, 1э = 10 мА не менее .
Постоянная времени цепи обратной связи при Ока = 5 В, 1э = 5 мА, 7'= 5 МГп нс более Время рассасывания при 1к,,=!0 мА, 1к=0,5 мА не более; 1Т335А !Т335В, 1Т335Д типовое значение 300 МГ 700 пс !00 нс 150 пс 1ТЗЗ5А 1Т335В. 1Т335Д Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Укк = 3 В, 1э = 50 мА: при Т= 298 К 1Т335А, 1ТЗ35В 1Т335Б, Т1335Г .
!Т335Д при Т= 213 К 75' нс 82 е прн Т = ЗаЗ К: 1Т335А, 1ТЗЗ5В .От 0,9 до 1,5 значения пря Т = 298 К .От 0,9 до 1,7 значения при Т=298 К 1ТЗЗ5Б, 1Т335Г, 1Т335Д 13 В 10 В 145" В 12,5" В при 2 В 1,5 В 0,72" В Напряжение насыщения база-эмиттер при 1к = 1О мА, 1к=1 мА не более типовое значение . Обратный ток коллектора не более: прн Т= 298 К, !7кк = 20 В при Т= 343 К, !7кк = 15 В . Обратный ток эмиттера не более; !Т335А, 1Т335Б, 1Т335В, 1Т335Г: 0,45 В О,зб' В !О мкА 100 мкА Граничное напряжение при 1э 10 мА не менее: 1Т335А, 1Т335Б .
1Т335В. !Т335Г, 1Т335Д типовое значение; !Т335А, !Т335Б 1ТЗ35В, !ТЗЗ5Г, 1Т335Д . Напряжение насыщения коялектор-эмиттер 1к = 250 мА, 1к = 25 мА не более: 1Т335А, 1Т335Б !Т335В, 1ТЗ35Г, 1ТЗЗ5Д типовое значение . 40-70 б0- 100 50-!00 От О,б до 1,а значения пра Т= 298 К прп иэь = 2,5 В . прп с~эь ГГ335Д при !тэя = 2 В . при оэь=з В. коттекторио~о перекопа при 1ткь = 5 В не Биьость ботес !Т335Л, 1Т335Б, 1Т335В, 1Т335Г, 1ТЗЗЗД миттерного перекопа при !Зэь 1 В не более Бмкость э 5 мА !О мА 60 мкА 1 мА 8,5 пФ !О пФ 35 пФ Прелельиые эксплуатаииоиные данные оянное напРяжение коллектоР-база „рп Т=го — 318 К .
при Т= 343 К Постоянное напряжение каласктор->маттер при йэ„и 05 В ,р т = 2!3 — З!8 К . нри Т= 343 К Постоянное напряжение коялектор-эмиттер при Кьэ > 1 кОм 1Т335А, 1ТЗ35Б при Т = 213 — 318 К при Т= 343 К 1Т335В, 1Т335Г, !Т335Д при Т = 2!3 — 3!8 К . при Т= 343 К Постоянное напря.кение эч1птср-база при Т = 213 — 318 К при Т= 343 К Импульсное напряжение коллектор-база при 11эь ж 2 В, т„с10 мкс, д> 10 1Т335А, 1ТЗ35Б при Т = 213 — 318 К .
при Т= 343 К 1ТЗ35В, !Т335Г, !Т335Д при Т= 2!3 — 3!8 К при Т= 343 К Импульсное напряжение коллектор-эмиттср при !'эь > 0,5 В, тя С 1О мкс, 0 И 10 при Т = 213 — 318 К при Т= 343 К Ичп мптльсное напРЯжение эмиттеР-база пРи т» К 250 мкс, а> 10 при Т = 213 — 318 К прн Т= 343 К Пост тоянный ток колтсктора при Т = 213 — 318 К при Т= 343 К 20 В 15 В 19 В 14 В 17 В 14 В !4 В 11 В 3 В 2,5 В 35 В ЗО В ЗО В 25 В 25 В 20 В 4 В 3,5 В 150 мА !ОО мА 429 Импульсный ток коллектора при при Т = 213 — 333 К прн Т= 343 К Т!остоянная рассеиваемая мощность при Т= 213 — 3!8 К лри Т= 343 К Импульсная рассеиваемая мощность тяп 50 мкс, Д> 5 при Т = 213 — 333 К при Т= 343 К Общее тепловое сопротивление Температура перехода Температура окружающей среды 500 мВт 350 мйт 300 К,В, Зб3 К От 213 ло 343 К 7,г 1,0 еэ О,Ы в~ 00 ~~ 04 7,г в1,0 ~~ 0,0 о,г 0,4 ,мд 'г13 233 253 273 203 315 Т,у Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттср от температуры 0,0 0,7 7,4 1г 7,О 00 аОЫ 0,4 о,г 0 50 100 750 200 2501к,мд О,Б О,б 0 50 100 15! 2002501, Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмнттер от тока коллектора, Зависимость напряжения насыщенна база-эмиттер от тока коллектора.
тяп 50 мкс, Д» 5 ° ° ° ° ° ° ° 250 мл 150 ма 2Е1 мВт б" мВт при Окэ ж 1 кэо гр 0,3 о,г 'г73гббгбб г73 203 373Т, Зависимость напряжения пасы щения база-эмиттер от темпе ратуры. угу 1,0 гво гво 09 гоо „о,в О 0,7 " о,в о ЮО „-!го " во 0,5 0,4 га г33 г53 г73 гув 5137,в Зависимость времени рассасывания от температуры 0 г73 г33 мость времени рассасываЗавв ния от температуры КТ337А, КТ337Б, КТ337В и мгле аэд Электрические параметры Г ан Раничная частота коэффициента передачи тока в схеме с оощим эмиттеРом пРи Укэ = 5 В, 1э = !О мА не менее КТ337А КТ337Б, КТ337В Время а р я рассасывания при 1к = !О мА, 1ы = 1яг = 1 мА нс более КТ337А КТ337Б, КТ337В .
500 МГц 000 МГц 25 ис 28 нс 43! Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-л-р СВЧ универсальные мачомогдные Предназначены лля примене- 4,2 нвя в переключательных, импульсных и усилительных высокочастоткых схемах Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами На корпусе наносится условная марквровка двумя цветными точками иа КТЗЗ7А — красной и розовой, иа КТ337Б — красной и желтой, яяея и на КТЗЗ7 — красной и синей Масса транзистора не бочее 0,5 г Статический коэффициент перелачи тока в схеме с об. щим эмиттером при 27кэ = 0,3 В.
7э = 10 мА, не менее КТЗЗ7А КТЗ37Б КТ337В Напряженна насыщения коллектор-змнттер при ух = 1О мА, 7ь = 1 мА не более Напряжение насыщения база-эмиттер при !к — — 10 мА, уа = 1 мА не более Елгкость коллекторного псрехола при 27кь = 5 В, /'=!О МГц не более . Емкость эмиттерного перекопа при 27эа = О, Г = 10 МГЦ не более . Обратный ток кочлектора при 27кв = 6 В не оолее Обратный ток коллектор-эмнттер при Пкэ = 6 В, 22вэ = 10 кОм не более .
Обратный ток эмиттера при 27эк = 4 В не более . 30 50 70 0,2 В ! В 6 пф 8 пФ 1 мкА 5 мкА 5 мкА Предельные эксплуатацвониые данные Постоянное напряжение коллектор-база эмиттер при Ваэ и !О кОм Постоянное напряжение эмиттер-база . Постоянный ток коллектора . Постоянная рассеиваемая мощность: при Т и 333 К. прн Г= 358 К Температура перехода Тепловое сопротивление . Температура окружающей среды и коллектор- 6 В 4 В 30 мА 150 мВт 108 мВт 423 К 0.6 К7мйт Ог 233 до 358 К ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В 432 Транзисгоры ~ерманневые эщпаксиачьно-планарные р-л-р СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 800 МГц. Предназначены для усиления сигналов. в дециметровом лиа. назоне длин волн с автоматической регулировкой усиленна.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выволами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более ! г. Электрические параметры ая частота при Пкь = 10 В, /з = 2 мА не Грзгщ ренее ГТЗ46А ГТ346Б, ГТ346В, ая времени цепи обратной связи при Ггкь = !О В, Постоянная = 2 л|А не бо ~ее !э = ГТЗ46А ГТ346Б ГТ346В Козфф ч ргпзггеит шума й~ = 75 Оч не более ГТ346А г1ри /'= 800 64рц ГТ346Б при Г= 800 М1-л ГТ346В лри Т= 200 Мрп - этлчжипиент усиления по мощности при 17кь — — 10 В, Козч г 7 = 2 мА, / = 800 МГц не менее э= Колйфнциент обРатного УсилениЯ по мощности пРи !гк = 10 В, уз = 2 мА, Т= 800 МГц не лгенее ГТ346А ГТЗ46В !'гатический лоэффициент перелачи тока в схеме с обшяч эмиттером при 17кь = 10 В, Тз = 2 мА при Т= 298 К 700 МГц 550 МГц 3 пс 5,5 пс 6 пс Ока=10 В, уз=2 мА, 7 дБ 8 дБ 7 дБ 10,5 дБ 20 дБ 12 дБ Предельные эксплуатационные даниме Пост Постоянное напряжение коллелтор-база .
осгояниое напряжение коллектор-эмиттер ипи лзь = 0 лр" 7сзь = 5 кОч Посто Посто тояниое напряжение эмиттер-база . осгояиный тол кочлектора . Постоя Течп оянная рассеиваемая мощность чпература перехода Темпе ература окружающей среды 20 В 20 В 15 В 0,3 В 1О мА 50 мВт 358 К От 233 до 328 К ГТ346А, ГТ346Б.............. !Π— !50 ГТ346В...........,..... 15-150 пря Т = 233 К не менее.......... 3,5 при Т = 328 К не более . .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
