sprav_tranzistor (529834), страница 54
Текст из файла (страница 54)
при Т= 343 К в динамическом режиме прп Т = 213 — 303 К . при Т= 343 К . Общее тепловое сопротивление " . Температура перехода Температура кристаллодержателя . 10 В 10 В 0,2 В 17,5 мА 140 мА 175 мВт 85 мВт 300 мВт Г2О мВт 250 К7Вт 373 К !3т 213 зщ 343 К П р и м е ч а н и е При эксплуатации обязательно применение тс ие тепло к жаю. отвода, обеспечивающего тепловое сопротивление перекоп-окру щая среда не более 250 К(Вт 150 уг5 л о:л ц во - 100 ," 75 ~ 5О о 10 го ЗО 40 50 ВО Тэ,мл „б,в о г Зависимость выходной мощности в режиме автогенератора от тока эмиттера 3 сл!мссть выхолпои нощно стн в тп в режиьле автагенератора от напряжения коллектор-база 2Т3115А-2, 2Т31151э-2, КТ3115А-2, КТ3115В 2 КТЗ115Г-2 ваемой керамической крышкой Обозначение типа приводится на ярлыке, находящемся в индивидуальной таре На крышке транзистора наносится условная маркировка лестным кодом 2Т3115А-2— красная точка, 2ТЗ115Б-2 — желтая тачка, КТЗ115А-2 — красная полоска, КТЗ115В-2 — жечтая полоска, КТ3115Г-2 — синяя полоска Масса транзистора не более 0,2 г оляонолар Электрические параметры Г раннчная частота* прн И = б В, / = 5 мА пе лленее 5,8 ГГц липовое значение.............
70 ГГц кв * э Пост стоянная времени цепи обратной связи' при алка = 7 В, гэ = 5 мА, 5= 100 МГц не более...... ° ° ° 3 8 пс типовое значение.........,.... 3 пс 401 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарллые н-р-о СВЧ уси- лительные с нормированным коэффициентом лп>ма на частотах 4 (2ТЗ!15Б-2) и 5 ГГц Предназначены для примевения во входных и последующих каскадах усидитезей сверхвысоких частот Бескорпусные, на керамическом крнсталлолержателе, с гибкими по- Точна нарнироеочнао лосковыми выводамн и прнклал- 1,6 5 дБ 4,5* дБ З,б дБ 3,4* дБ 4,6 дБ 6,0 дБ 5 дБ 6,7* дБ б дБ 7,5" дБ 4 дБ 15 0,5 мкА 0,5 мкА 20 мкА 20 мкА 20 мкА 35 мкА 9 Ом 6,5 Ом 0,6 пФ 0,33 пф 0,5 пФ 0,46 пф . От — 51 до — 62 дБ .
От -45 Ло 54 дБ при Iэ = 5 мА Минзгмальный коэффициент шума при 17 = 7 В, кк I =5мА: э 2Т3115А-2, КТ3115А-2 при Т= 5 ГГп не более . типовое значение 2Т3115Б-2, КТ31!5В-2 при / = 4 ГГц не более . типовое значение КТ3115В-2 при 7'= 5 ГГц не более . КТ3115Г-2 при г = 5 ГГц не более, Оптимальный коэффициент усиления по мощности при бгкг*=7 В. !э=5 мА: 2Т3115А.2, КТ3115А-2, КТ3115В-2 при 7 = 5 ГГц не менее . типовое значение 2Т3115Б-2, КТ3115В-2 при Т= 4 ГГц не менее . типовое значение КТ3115Г-2 при 7"= 5 ГГц не менее . Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при бт в — — 5 В, 7 = 5 мА не менее .
Обратный ток коллектора ие более: при Т= 298 К: 2Т3115А-2, 2Т3115Б-2, КТ3115А-2, КТ3115В-2 при !7кв = 10 В . КТ3115Г-2 при Гукв = 7 В . при Т= 398 К: 2Т3115А-2, 2ТЗ! 15Б-2, КТЗ! 15А-2, КТ3115В-2 прн и„=!О В КТ3115Г-2 прн бгкв = 7 В . Обратный ток эмиттера при бтэк =! В не более: 2Т3115А-2, 2Т3115Б-2, КТ3115А-2, КТ3115В-2 .
КТЗ! 15Г-2 Входное сопротивление в режиме малого сипзала в схеме с обшей базой* при !7кв = 7 В, уэ = 1 мА не более типовое значение Емкость коллскторного перехода " при бгкь = 5 В не более типовое значение Емкость эмиттерного перехода ' при !Iэк = 1 В не более типовое значение Коэффициент ннтермодуляциониых искажений третьего порялка' при гткв = 7 В, Р,п„= 100 мкВт: при уз= 7 мА Предельаые эксплуатацнвиные данные Постоянное напряжение коллектор-база: 2Т31!5А-2, 2Т3115Б-2, КТЗ!!5А-2, КТЗ!15В-2 .
КТ3115Г-2 10 в 7 В цапряжение коллектор-эмиттер при Яэк И Т!остоянн~~ 2ТЗ!! .3!15А.2, 2Т3115Б-2, КТ31!5А-2. КТ31!5В-2 . КТ3115Г-2 нее напряженве эмиттер-база . достояние нный ток коэлектора . Г1остоя ни тояииая рассеиваемая мощность коллектора Пес Г = 213 — 243 К 2Т3115А-2, 2Т3115Б-2, КРТЗ!15А-2, КТ3115В-2.... „рн 7 = 2!3 — 358 К КТЗ!15Г-2 . при Г= 398 К .
ГВЧ мощность, лелеющая на вхол транзистора*, при Т < 358 К, Г= 3,6 ГГц цепрерывная импульсная при т» к 1 мкс при 7;„>м — — 1 кГц нри Г„„„= 25 кГц Температура перекопа Температура окружаюгцей срелы 10 В 7 В 1 В 8,5 мА 70 мВт 50 мВт 35 мВт 25 мВт 500 мВт 100 мВт 423 К От 213 ло 398 К Кн,ДБ О дБ 55 БО а Чэу ВЧ,О 3,5 ЗО О 3 г Ч Б О УОТ„мй О г Ч Б В !ОТ„н1 Зависимость минимального коэффициента шума от така эмнт- тера А'„„дБ 5,5 БэО Зависимость оптимального коэффициента гнума от тока эмит- тера 55 Б,О 4,5 ЧО О Зав висимость коэффициента шума в 50-омном тракте от тока эмиттера г Ч Б г УО2„нл 403 дБ В 3 а г Ч В В 1аг„мд 0,5 г О г Ч В В ТПРР„нд а г Ч В В 1ОУунД В~,дБ 5 а 1 г з ч 5ГГ14 о 1 г 8 Ч 51ГГц Зависимость коэффициента усн пения по мощности от частоты.
Зависимость коэффициента шу- ма от частоты. 2Т3120А, КТЗ120А Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные л.р-л Спч у ц силнтельные с нормкрованнзнм коэффициентом шума на час частоте 400 МГц. 404 ь ь ч. 5 з Ч Зависимость максимального эффициента усиления п„ о "'" о л1оц.
ности От тока эмиттер, Зависимость оптимального эффнциента усиления по ГО ко мощ. НОСТИ ОТ Тоаа эмиттсра Зависимость коэффициента усн- лениЯ по мопгности в 50-омном тракте от тока эмиттера г,о г,5 г,о : 1,5 ы 10 1В чс -1г В дназиачсны для применения во Прел „и последующих каскадах усисдпых вх верхвысо«их частот лителсй л В скаются в металлоксрамичеВыпу „„пусс с гибкими полосковыми и Обозначение типа пРиво,ывслами па этикетке На крышке корпуса дятся па сигея условная маркировка цветваносит вымя т очкамн 2Т3120А — олна белая, К!3!20А — две белые Масса транзистора нс более 0,3 г 1,8 ГГц 3' ГГц 8 пс 3,8' пс 2 лБ 1,3" лБ 2,2 лБ 1,6' дБ 10 дБ 13,5* лБ 40 124* 20 40 0,5 мкА 5 мкА 1 мкА 2 пФ 1,4" пФ 3,2 пФ 2,5" пФ Предельные эксплуатационные данные П созванное напршксние кодлсктор-база ° Посто шоянное напряжение коллектор-эмиттер при э1зв = =!О Оы Посто сстояиное напряжение эмиттер-база .
!5 В 15 В 3 В 405 Электряческне параметры Г аничная частота при Окв = 5 В* Уз = !О мА не менее ра типовое значение Постоянная времени пепи обратной связи при Окк = 5 В, !. = 10 мА, /'= 30 МГп не более типовое значение Минимальный коэффициент шума при бкк = 5 В, Уз = 5 лэА, У'= 400 МГц не более . типовое значение Коэффициент шума при !Укк = 5 В, !з = 5 мА, !2г = 50 Ом, У= 400 МГц не более . типовое значение Оптимальный коэффпниспт усиления по мощности при !Ука = 5 В, !з = 5 мА, Т= 400 МГц не менее . типовое зчачение Статический коэффициент перс чачи тока в схеме с общим эмиттсром прн !Ука =! В, Ук = 5 мА при 1 = 298 К не менее типовое значение при Т = 2!3 К нс менее . при Т = 398 К не менее .
Обра~ный ток коялсктора при Ика = 15 В пе более при Т= 298 К . при Т= 398 К Обратный ток эмиттера при !/зк = 3 В не более . Емк мкость коллектоРного пеРехода пРи !Ука = 5 В не более типовое значение Емкость эмигтерного псрехола при !уза = ! В не более типовое значение Постоянный ток коллектора .
Постоянный ток эмиттера . Импульсный ток коллектора при тк с 1О мкс, Д > 2 . Импульсный ток эмнттера при т„с 1О мкс, Ц в 2 . Постоянная рассеиваемая мощность: при Т = 2! 3 —; 338 К . при т = 398 К Общее тепловое сопротивление . Температура перехода Температура окружающей среды 20 мд 20. д 40 мд 40 мд из 'к ж и е — У О г,б О у,б уа 1г,бряк,й г,б О у,б УО ~г,бркл,в Приведенная зависимость коэффипиепта усиления по мошноств от напряжения коллектор-база. ОЫ 0,5 ю О, 'о Орд -и О,т нО,Р 0,1 -5 а 9 В 18 18 ООТу,м' Приведенная зависимость котф фициеита усиления по ьзошностн от тока эмиттера.
О,3 О,г ;зе ау а 1 в -0,7 -ОЯ > — 0,3 О Приведенная зависимость коэффвзнента шума от напряжения коллектор-база. О 4 О Уг 48 гиу,мл Приведенная зависимость коэффициента шума ат тока эмиттера. 100 мй, 30 мйт . 0,86 Кгмпт 423 К . От 213 398 К г,5 лв о -85 ) чз 'т м 3 Л 15 -50 бмгц о п,г оц об ов або,ггц Приведенная зависимость коэффициента усиления по мошнгл сти от частоты.
веленная зависимость каэйл Привел фицнента шума от частоты 1Тб12А-4, ГТб12А-4 Транзисторы герл.аниевые пчаварныс в-р-и СВЧ генераториые маломощные Предназначены для усиления в генерирования сигна зов евер,. высоких частот в герметизированной аппаратуре. Бескорпусные, на керамическом кристаллолержателе, с металлизированными контактными выступами и покрытым эмалью кристаллом Выпускаются в индивидуальной таре-спутнике. Обозначение типа приводится на таре Масса транзистора не более 0,2 г т,о о,о Юаа йниттер Коллектор 5 мкА 50 мкА Электрические параметры Граничная частота при 6гка =- 5 В, 1э = 50 мА не менее 1,5 ГГц Посгоянная времени цепи обратной связи при 11ка = 3 В.
1э = 80 мА, у'= 30 мГц не более...,.... 7 пс Выхолная мощность в режиме автогенератора при 0..=8 В, 2,=80 А,У=2 Ггц: 1Т612А-4 не менее............, !50 мВт мелианное значение не менее......... 180 мВт П612А-4 не менее............. 200 мВт Коэффициент усиления по мощности* при у'= 1 ГГп, Г г1к = 65% 1Т612А-4 не менее . Раничное напряжение при йэ = !00 мА 1Т612А-4 ие менее 8 В Ратный ток кодлектора при Ока = 12 В не более: 1Т612А-4 при Т= 213 К и Т = 298 К при Т = 343 К .
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
